RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5431N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD53101N

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護的瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態(tài)，這些設備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對于負瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級ESD保護

· IEC61000-4-4四級EFT保護

· 五種單獨的單向配置

機械特性：

· 無空洞、轉移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應用領域：

· 手機和配件

· 個人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺式機和服務器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機

· 外設MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器，保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準，適用于手機、筆記本等便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5503WWSB5503W-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-323。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器

產品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關頻率

高達93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內置軟啟動

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉換器，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WD3168：5V/300mA開關電容電壓轉換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。

    此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內工作。

   其主要特性包括：

1、 輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件：無需電感器

6、高頻操作：1.7MHz

7、自動軟啟動限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過熱和過流保護

10、無負載條件下典型靜態(tài)電流為170uA（跳模模式）

   其應用領域包括：

1、3V至5V的升壓轉換

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電

3、從較低軌道提供的本地5V供電

4、電池備份系統(tǒng)

5、手持便攜式設備

    WD3168是一種效率高、可靠的電源IC，適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應用場景。如需更詳細的信息或產品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封裝：QFN1616-12L(1.6x1.6)。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD9112W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD5126C

WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝：SOT-23-6L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD53101N

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產品，還符合環(huán)保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD53101N