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中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-09

WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時(shí),它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括:

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機(jī)電流,60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動(dòng)

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開關(guān)

· 逐周期過流保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費(fèi)類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D,WILLSEMI韋爾

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點(diǎn)與優(yōu)勢:

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機(jī)電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時(shí),壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時(shí),PSRR高達(dá)70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCL120N06DNWSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。

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     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí),極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD9811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管(TSS)封裝:SMB。

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WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2817DA33-8/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN1612-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D10

WD1035DH-8/TR DC-DC電源芯片 封裝:DFN-8-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D