WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關(guān)

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側(cè)開關(guān)和極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。此外，WS4612還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關(guān)RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調(diào)整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時(shí)間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動(dòng)放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關(guān)，專為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理和保護(hù)設(shè)計(jì)。極低導(dǎo)通電阻和集成電流限制功能，應(yīng)對(duì)高電容負(fù)載和短路情況。反向保護(hù)和自動(dòng)放電功能增強(qiáng)安全性。適用于USB外設(shè)、數(shù)據(jù)卡和電源分配，確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設(shè)計(jì)，易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K

  BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)：

高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號(hào)切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。

低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號(hào)在開關(guān)過程中的損失，保證信號(hào)的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，信號(hào)泄漏非常小，從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計(jì)者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計(jì)和高效的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中，BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場(chǎng)上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。

  安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關(guān)，并提供樣品供您測(cè)試，如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9231BWS72358D-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：DFN-8-EP(2x2)。

ESD5341N：?jiǎn)尉€、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。

ESD56151Wxx：電源保護(hù)新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計(jì)。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護(hù)電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，為電路提供強(qiáng)大的浪涌保護(hù)，同時(shí)遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV的ESD保護(hù)。 

     ESD56151Wxx的特點(diǎn)在于其低鉗位電壓設(shè)計(jì)，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對(duì)敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長(zhǎng)期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護(hù)和管理的應(yīng)用場(chǎng)景，如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護(hù)電源接口，提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性，延長(zhǎng)使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESD5311Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí)，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5491S

ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K

ESD5311N：?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設(shè)備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K