WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關
產(chǎn)品描述
WS4612是一款具有高側(cè)開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4612還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V
· 主開關RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 電流限制精度:±15%
· 調(diào)整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升時間:600μS
· 靜態(tài)供電電流:26μA
· 欠壓鎖定
· 自動放電
· 反向阻斷(無“體二極管”)
· 過溫保護
應用領域
· USB外設
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關
· 3.3V或5V電源分配
WS4612是功能豐富的電源分配開關,專為現(xiàn)代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能,應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝,環(huán)保無鉛無鹵素設計,易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K
BL1551B是一款模擬開關,具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關。這種開關特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。
以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢:
高帶寬:BL1551B具有高達350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號切換,滿足許多高速應用的需求。
低導通電阻:在5V工作電壓下,其導通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號在開關過程中的損失,保證信號的完整性。
高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達到-84dB,這意味著在開關處于關閉狀態(tài)時,信號泄漏非常小,從而確保了良好的信號隔離效果。
寬工作電壓范圍:BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V,這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作,為設計者提供了更大的靈活性。
此外,BL1551B的封裝類型為SC-70-6,這有助于實現(xiàn)緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中,BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關,并提供樣品供您測試,如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9231BWS72358D-8/TR 運算放大器 封裝:DFN-8-EP(2x2)。
ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器
ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:
· 截止電壓:5V
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)
· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用領域包括:
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴格ESD防護的應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。
ESD56151Wxx:電源保護新選擇
ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。
ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。
這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景,如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口,提高設備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,降低維修和更換成本。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD5311Z-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN0603-2L。
WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅(qū)動
· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路
· 電源開關
· 負載開關
· 充電電路
WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件,專為現(xiàn)代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計,確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時,極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5491S
ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K
ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。
應用領域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設備,筆記本電腦。
ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K