鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
米開羅那鋰金屬固態(tài)電池成套實(shí)驗(yàn)線正式向客戶交付
?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
米開羅那出席第五屆中國固態(tài)電池技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用研討會(huì)
米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
新能源鋰電設(shè)備維護(hù)管理:延長設(shè)備使用壽命的技巧
新能源鋰電設(shè)備的技術(shù)前沿:探索未來電池制造的發(fā)展方向
鋰電池全套設(shè)備運(yùn)行與維護(hù):優(yōu)化設(shè)備性能的實(shí)用技巧-工業(yè)鋰電池
鋰電池自動(dòng)組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備,如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。
特性:
· 極低電容:CJ=0.5pFtyp
· 極低漏電流:IR<1nAtyp
· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術(shù)
· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受4A(8/20μs)的浪涌電流
應(yīng)用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產(chǎn)品
· 筆記本電腦
ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù),使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護(hù)。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝:WDFN-6-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾WNM3400
RB521C30:肖特基勢壘二極管
· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V
· 直流反向電壓 VR 30 V
· 平均整流正向電流 IO 100 mA
產(chǎn)品特性:
100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。
低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn),這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。
低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。
小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)備和小型電路板。
應(yīng)用領(lǐng)域:
RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號,這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,如電池供電的設(shè)備或需要長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3042WMM7037AT2-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。
ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。
特性:
· 截止電壓:±3.3V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)
· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護(hù)
· 電容:典型值為17.5pF
· 低泄漏電流:典型值為1nA
· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時(shí),典型值為8V。
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用:
· 手機(jī)
· 計(jì)算機(jī)和外設(shè):為計(jì)算機(jī)主板、顯示器、鍵盤等
· 微處理器
· 電源線
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD5431N是專為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計(jì)的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述
ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產(chǎn)生的過應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:5V
每條線路根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.25pF(典型值)
極低漏電流:IR<1nA(典型值)
低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB2.0和USB3.0
HDMI1.3和HDMI1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì),極低電容,出色保護(hù),防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護(hù)敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝:TSSOP-14。
WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)
· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路
· 電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)
· 充電電路
WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí),極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451N
WPM2015-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾WNM3400
WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動(dòng)。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動(dòng)調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴(kuò)展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。
技術(shù)特性:偏移電壓只有3μV,漂移為0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計(jì)放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移,因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動(dòng)使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。
應(yīng)用領(lǐng)域:
溫度傳感器
壓力傳感器
精密電流感測
應(yīng)變計(jì)放大器
醫(yī)療儀器
熱電偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動(dòng)等特性,適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用,為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3400