在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗彎強度很高,耐磨性好,是綜合機械性能很好的陶瓷材料,同時其熱膨脹系數很小,因而被很多人認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜,成本較高,熱導率偏低,主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常,尤其是在電子封裝對熱導率的要求方面,氮化鋁優(yōu)勢巨大。不足的是,較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價格很高,這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術的不斷發(fā)展,其成本必定會有所降低,氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領域大面積應用指日可待。粘結劑是氮化鋁陶瓷粉末的載體,決定了喂料注射成形的流變性能和注射性能。廣州片狀氮化鋁品牌
氮化鋁粉體制備技術發(fā)展趨勢:AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料,國內外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現有工藝存在的技術問題,同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面,目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法,這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點,已在工業(yè)中得到大規(guī)模應用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發(fā)展方向,針對不同應用領域應開發(fā)多種規(guī)格的粉體,以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時,在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優(yōu)化,進一步提高產品的批次穩(wěn)定性,增加產出效率,降低生產成本。衢州片狀氮化鋁粉體廠家直銷氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩(wěn)定,但在堿性溶液中易被侵蝕。
結晶氮化鋁:無色斜方品系結晶工業(yè)品為淡黃色或深黃色結晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、,微溶于鹽酸,其水溶液呈酸性。易潮解,在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤,堿石粉經沸騰焙燒,再經粉碎后與ir}酸反應.經澄清后,把清液濃縮,析出結晶,固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑,木材防腐劑,造紙施膠沉淀劑,石汕1一業(yè)加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業(yè)水的處理,含油污水凈化。
氮化鋁的特性:熱導率高(約320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良;機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結;純度高;光傳輸特性好;無毒;可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。由于氮化鋁壓電效應的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度,膨脹系數小,導熱性好的特性,可以用作高溫結構件熱交換器材料等。利用氮化鋁陶瓷能耐鐵、鋁等金屬和合金的溶蝕性能,可用作Al、Cu、Ag、Pb等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料。氮化鋁粉末純度高,粒徑小,活性大,是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
氮化鋁,共價鍵化合物,化學式為AIN,是原子晶體,屬類金剛石氮化物、六方晶系,纖鋅礦型的晶體結構,無毒,呈白色或灰白色。AlN很高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料??谷廴诮饘偾治g的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產物為白色到灰藍色粉末?;蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成,產物為灰白色粉末?;蚵然X與氨經氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。結晶氮化鋁溶于水、無水乙醇、,微溶于鹽酸,其水溶液呈酸性。成都陶瓷氮化硼廠家直銷
與氧化鈹不同的是氮化鋁無毒,氮化鋁用金屬處理,能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器。廣州片狀氮化鋁品牌
氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。氮化鋁熱導率高、絕緣性能好電阻率高達4x lUfs7,"cm.,熱膨脹系數小(2.55一3.8U; x i0一“K一‘,化學性能穩(wěn)定,在innU℃時才與空氣發(fā)生氧化。在真空中可穩(wěn)定到ISUU}}。致密型氮化鋁是抗水的,幾乎不與濃無機酸發(fā)生反應。密度為3.26gIcm3,熔點24UU C'彈性模量為3U( -- 31 f7C}Pa,抗彎強度為2sa一350MPa ,莫氏硬度為g.A1N陶瓷用粉末冶金法制得』氮化鋁薄膜用反應濺射法制得。AlU陶瓷片川于大功率半導體集成電路和大功率的厚模電路,AIN薄膜用于薄膜器件的介質和耐磨、耐熱、散熱好的鍍層。廣州片狀氮化鋁品牌
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