氮化鋁基板材料熱膨脹系數（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數（4.5×10-6/K）相近，導熱率系數大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異，可以適應SiC的應用要求，是搭載SiC半導體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質、脫模機等添加劑，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法。通過該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm；熱導率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。衢州耐溫氮化硼品牌

氮化鋁陶瓷的制備技術：壓制成形的三個階段：一階段，主要是顆粒的滑動和重排，無論是一般的粉體或者造粒后的粉體，其填充于模具中的很初結構中都含有和顆粒尺寸接近或稍小的空隙。第二階段，顆粒接觸點部位發(fā)生變形和破裂，當壓力超過顆粒料的表觀屈服應力時，顆粒發(fā)生變形使得顆粒間空隙減小，隨著顆粒的變形，坯體體積很大空隙尺寸減少，塑性低的致密粒料對應的屈服應力大，達到相同致密度所需要更高的壓力。第三階段，坯體進一步密實與彈性壓縮，這一階段起始于高壓力階段，但密度提高幅度較小，此階段發(fā)生一定程度的彈性壓縮，這種彈性壓縮過大，則在脫模后會造成應力開裂與分層。模壓成型的優(yōu)點是成型坯體尺寸準確、操作簡單、模壓坯體中粘結劑含量較少、干燥和燒成收縮較小，特別適用于制備形狀簡單、長徑比小的制品。但是，這種傳統(tǒng)的成型方法效率低，且制得的AlN陶瓷零部件的尺寸精度取決于所用模具的精度，而高精度模具的制備成本較高。麗水片狀氮化硼哪家好氮化鋁一般難以燒結致密，使用添加劑可以在較低溫度產生液相，潤濕晶粒，從而達到致密化。

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系?；瘜W組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標：各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；光傳輸特性好；無毒。

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：加入適當的燒結助劑，引入添加劑主要有兩方面的作用：促進氮化鋁陶瓷致密化。氮化鋁是共價化合物，具有熔點高、自擴散系數小的特點，一般難以燒結致密，使用添加劑可以在較低溫度產生液相，潤濕晶粒，從而達到致密化。凈化晶格。氮化鋁低氧有很強的親和力，晶格中經常固溶了氧，產生鋁空位，降低了聲子的平均自由程，熱導率也因此降低。合適的添加劑可以有效與晶格中氧反應生成第二相，凈化晶格，提高熱導率。大量的研究表明，稀土金屬氧化物和氟化物、堿土金屬氧化物和氟化物等均可以作為助燒劑提高氮化鋁的熱導率。但添加劑的量應適當，過多會增加雜質含量，從而影響熱導率；過少又起不到燒結助劑的作用。復合助劑比單一的添加劑能更有效的提高熱導率，同時還能降低燒結溫度。氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能。

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數低，硬度高，化學穩(wěn)定性好但與一般絕緣體不同，它的熱導率也很高。氮化鋁在整個可見光和紅外頻段都具有很高的光學透射率。制備氮化鋁粉末一般都需要較高的溫度，從而導致生產制備過程中的能耗較高，同時存在安全風險。成都球形氮化鋁粉體廠家直銷

氧化鋁陶瓷基板的熱導率低，熱膨脹系數和硅不太匹配。衢州耐溫氮化硼品牌

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。另外，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件，同時可作為耐高溫耐腐蝕結構陶瓷、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應用前景的無機材料。陶瓷的透明度，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內的電磁波通過，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷。純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學性能，可以用作制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。因此，氮化鋁陶瓷在方面具有很好的應用。衢州耐溫氮化硼品牌