減輕了電路設(shè)計師的重擔(dān)，不需凡事再由基礎(chǔ)的一個個晶體管處設(shè)計起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號必須小心。[1]制造播報編輯參見：半導(dǎo)體器件制造和集成電路設(shè)計從20世紀30年始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（WilliamShockley）認為是固態(tài)真空管的可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。半導(dǎo)體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復(fù)使用：光刻刻蝕薄膜（化學(xué)氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學(xué)機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。IC芯片要保證焊接質(zhì)量，焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。TM4C1231E6PMI

    FCBGA封裝使得輸入輸出信號陣列（稱為I/O區(qū)域）分布在整個芯片的表面，而不是限制于芯片的。如今的市場，封裝也已經(jīng)是出來的一環(huán)，封裝的技術(shù)也會影響到產(chǎn)品的質(zhì)量及良率。[1]集成電路芯片封裝概述播報編輯封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實現(xiàn)的功能1、傳遞功能；2、傳遞電路信號；3、提供散熱途徑；4、結(jié)構(gòu)保護與支持。封裝工程的技術(shù)層次封裝工程始于集成電路芯片制成之后，包括集成電路芯片的粘貼固定、互連、封裝、密封保護、與電路板的連接、系統(tǒng)組合，直到終產(chǎn)品完成之前的所有過程。層次:又稱為芯片層次的封裝，是指把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固定、電路連線與封裝保護的工藝，使之成為易于取放輸送，并可與下一層次組裝進行連接的模塊(組件)元件。第二層次:將數(shù)個第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成--個電路卡的工藝。仿真機 5S-I-S02B交流工作電壓測量法適用于工作頻率較低的IC，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。

    這是**次從國外引進集成電路技術(shù)；成立電子計算機和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了**IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進行技術(shù)改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國營724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國條4英寸線。1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團公司。[5]1990-2000年重點建設(shè)期1990年，決定實施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國條6英寸線。1995年，決定繼續(xù)實施集成電路專項工程（“909”工程），集中建設(shè)我國條8英寸生產(chǎn)線。1996年，英特爾公司投資在上海建設(shè)封測廠。1997年，由上海華虹集團與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司，主要承擔(dān)“909”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建設(shè)。1998年，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，開始了**大陸的Foundry時代。

    由于美國對華為的第二輪制裁，到9月16日華為麒麟芯片就將用光庫存。在芯片危機上華為如何破局，美國CNBC網(wǎng)站11日分析稱，華為有5個選擇，但同時“所有5個選擇都面臨重大挑戰(zhàn)”。[8]3、德國《經(jīng)濟周刊》表示，以半導(dǎo)體行業(yè)為例，盡管**芯片需求達到全球60％，但**自產(chǎn)的只有13％。路透社稱，美國對華為打壓加劇，**則力推經(jīng)濟內(nèi)循環(huán)，力爭在高科技領(lǐng)域不受制于人。[8]4、美國消費者新聞與商業(yè)頻道網(wǎng)站8月10日報道指出，**計劃到2020年將半導(dǎo)體自給率提高到40%，到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博證券公司技術(shù)、媒體和電信研究主管尼爾·坎普林在電子郵件中告訴消費者新聞與商業(yè)頻道記者：“我認為，這場新的技術(shù)冷戰(zhàn)正是**攀爬技術(shù)曲線、積極開發(fā)本土技術(shù)的原因。”[4]歐亞集團地緣-技術(shù)業(yè)務(wù)負責(zé)人保羅·特廖洛說：“新政策中列出的優(yōu)惠待遇將在某些領(lǐng)域起到幫助作用，但從短期看，對**半導(dǎo)體企業(yè)向價值鏈上游攀升和提高全球競爭力幫助有限。”[4]相關(guān)新聞播報編輯2020年8月13日消息，近日印發(fā)《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，讓本已十分火熱的國產(chǎn)芯片行業(yè)再添重磅利好。重磅政策萬億市場，“新經(jīng)濟”“新基建”催生新機遇?！靶滦枨蟆北l(fā)。硅宇電子的IC芯片為客戶提供高效可靠的解決方案，幫助他們實現(xiàn)更高效的生產(chǎn)力。

    臺全部采用國產(chǎn)處理器構(gòu)建的超級計算機“神威太湖之光”獲世界超算。2017年，長江存儲一期項目封頂；存儲器產(chǎn)線建設(shè)開啟；全球AI芯片獨角獸初創(chuàng)公司成立；華為發(fā)布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產(chǎn)32層3DNAND（零突破）。2019年，華為旗下海思發(fā)布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7納米工藝；64層3DNAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)；中芯**14納米工藝量產(chǎn)。[5]2021年7月，采用自主指令系統(tǒng)LoongArch設(shè)計的處理器芯片，龍芯3A5000正式發(fā)布[12]挑戰(zhàn)2020年8月7日，華為常務(wù)董事、華為消費者業(yè)務(wù)CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說，受管制影響，下半年發(fā)售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片，或?qū)⑹侨A為自研的麒麟芯片的后一代。以制造為主的芯片下游，是我國集成電路產(chǎn)業(yè)薄弱的環(huán)節(jié)。由于工藝復(fù)雜，芯片制造涉及到從學(xué)界到產(chǎn)業(yè)界在材料、工程、物理、化學(xué)、光學(xué)等方面的長期積累，這些短板短期內(nèi)難以補足。[6]任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機，正在加緊補洞，現(xiàn)在大多數(shù)洞已經(jīng)補好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛，要補的洞越來越多，[10]余承東是承認，當(dāng)初只做設(shè)計不做生產(chǎn)是個錯誤。如何判斷IC芯片的好壞：不在路檢測，歡迎來電咨詢。TM4C1231E6PMI

制作工藝：IC芯片按制作工藝可分為半導(dǎo)體IC芯片和膜IC芯片。TM4C1231E6PMI

    所述第二熱接口材料層與所述集成電路熱耦聯(lián)，和能夠移除的散熱器，所述散熱器與所述第二熱接口材料層熱耦聯(lián)，所述散熱器具有越過印刷電路板的與所述連接側(cè)相對的側(cè)延伸的頂表面；其中，所述兩個印刷電路裝配件被相對地放置在一起，使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的所述熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在另一個方面中，本公開的實施方式提供一種用于冷卻集成電路的裝置，所述裝置包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；其中，所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。在又一個方面中，本公開的實施方式提供一種用于冷卻集成電路的方法。TM4C1231E6PMI