存儲(chǔ)器產(chǎn)線建設(shè)開啟；全球AI芯片獨(dú)角獸初創(chuàng)公司成立；華為發(fā)布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產(chǎn)32層3DNAND（零突破）。2019年，華為旗下海思發(fā)布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7納米工藝；64層3DNAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；中芯**14納米工藝量產(chǎn)。[5]2021年7月，采用自主指令系統(tǒng)LoongArch設(shè)計(jì)的處理器芯片，龍芯3A5000正式發(fā)布[12]挑戰(zhàn)2020年8月7日，華為常務(wù)董事、華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東在**信息化百人會(huì)2020年峰會(huì)上的演講中說(shuō)，受管制影響，下半年發(fā)售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片，或?qū)⑹侨A為自研的麒麟芯片的后一代。以制造為主的芯片下游，是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)薄弱的環(huán)節(jié)。由于工藝復(fù)雜，芯片制造涉及到從學(xué)界到產(chǎn)業(yè)界在材料、工程、物理、化學(xué)、光學(xué)等方面的長(zhǎng)期積累，這些短板短期內(nèi)難以補(bǔ)足。[6]任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機(jī)，正在加緊補(bǔ)洞，現(xiàn)在大多數(shù)洞已經(jīng)補(bǔ)好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴(yán)苛，要補(bǔ)的洞越來(lái)越多，[10]余承東是承認(rèn)，當(dāng)初只做設(shè)計(jì)不做生產(chǎn)是個(gè)錯(cuò)誤。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年?，F(xiàn)在的IC芯片絕大多數(shù)采用激光打標(biāo)或用專屬芯片印刷機(jī)印字，字跡清晰，既不顯眼，又不模糊且很難擦除。MIC47050YML-TR

    國(guó)產(chǎn)芯片迎黃金發(fā)展期。[3]2020年8月10日，據(jù)美國(guó)消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道網(wǎng)站日?qǐng)?bào)道，**公布了一系列政策來(lái)幫助提振國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)。大部分激勵(lì)措施的焦點(diǎn)是減稅。[4]2022年2月8日，歐盟公布《芯片法案》。[11]2022年11月，美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)工程**領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)明了一種芯片，其安全性和穩(wěn)健性超過(guò)了現(xiàn)有的量子通信硬件[14]。芯片短缺加劇，三星等巨頭關(guān)閉在美部分產(chǎn)能---**國(guó)產(chǎn)化加速在美國(guó)多次擾亂全球芯片供應(yīng)鏈之后，芯片供不應(yīng)求的局面正在不斷蔓延。在大眾、通用等多家汽車制造商因芯片短缺而被迫宣布減產(chǎn)之后，近期美國(guó)科技巨頭蘋果似乎也因?yàn)樾酒?yīng)不足，而將停止生產(chǎn)iPhone12mini。[9]雪上加霜的是，在全球芯片供應(yīng)短缺不斷加劇之際，三星、英飛凌和恩智浦等多個(gè)芯片制造商卻關(guān)閉了其在美國(guó)的部分產(chǎn)能，這是怎么回事呢？[9]周四（2月18日）MarketWatch新報(bào)道顯示，受到暴風(fēng)雪極端天氣的侵襲，部分在美芯片公司因設(shè)施受到影響而被迫停產(chǎn)，這可能會(huì)加劇芯片短缺的問(wèn)題，從而間接影響到該國(guó)汽車制造商的產(chǎn)量。[9]報(bào)道顯示，全球大的芯片制造商之一——韓國(guó)三星電子的發(fā)言人表示，該公司在美國(guó)德州奧斯汀有2家工廠，而本周二當(dāng)?shù)匾呀?jīng)要求該公司關(guān)閉這2家工廠。SIT3232EESEIC芯片廠家對(duì)于芯片的生產(chǎn)、制作都有極大的支持，因此生產(chǎn)的效率是很值得信賴的。

    單從74來(lái)看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會(huì)在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是哪家公司產(chǎn)品。器件名稱----一般可以推斷產(chǎn)品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級(jí)-----區(qū)分商業(yè)級(jí)，工業(yè)級(jí)，軍級(jí)等。一般情況下，C表示民用級(jí)，Ⅰ表示工業(yè)級(jí)，E表示擴(kuò)展工業(yè)級(jí)，A表示航空級(jí)，M表示級(jí)。封裝----指出產(chǎn)品的封裝和管腳數(shù)有些IC型號(hào)還會(huì)有其它內(nèi)容:速率----如memory，MCU，DSP，F(xiàn)PGA等產(chǎn)品都有速率區(qū)別。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī)；在該領(lǐng)域已經(jīng)營(yíng)多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?；碾娮釉骷?jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同，公司工程技術(shù)力量強(qiáng)大，可為客戶設(shè)計(jì)指導(dǎo)方案開發(fā)。如-5，-6之類數(shù)字表示。工藝結(jié)構(gòu)----如通用數(shù)字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來(lái)表示。是否**-----一般在型號(hào)的末尾會(huì)有一個(gè)字母來(lái)表示是否**，如z，R，+等。

    這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形式等因素來(lái)決定的。測(cè)試、包裝經(jīng)過(guò)上述工藝流程以后，芯片制作就已經(jīng)全部完成了，這一步驟是將芯片進(jìn)行測(cè)試、剔除不良品，以及包裝。型號(hào)播報(bào)編輯芯片命名方式一般都是：字母+數(shù)字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個(gè)芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數(shù)字是功能型號(hào)。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只是廠家不一樣。后面的字母多半是封裝信息，要看廠商提供的資料才能知道具體字母什么封裝。74系列是標(biāo)準(zhǔn)的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來(lái)看看不出是什么公司的產(chǎn)品。不同公司會(huì)在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關(guān)拓展一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測(cè)是哪家公司產(chǎn)品。器件名稱----一般可以推斷產(chǎn)品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級(jí)-----區(qū)分商業(yè)級(jí)，工業(yè)級(jí)，軍級(jí)等。一般情況下，C表示民用級(jí)，Ⅰ表示工業(yè)級(jí)，E表示擴(kuò)展工業(yè)級(jí)，A表示航空級(jí)，M表示級(jí)。封裝----指出產(chǎn)品的封裝和管腳數(shù)有些IC型號(hào)還會(huì)有其它內(nèi)容:速率----如memory，MCU，DSP，F(xiàn)PGA等產(chǎn)品都有速率區(qū)別。電源IC芯片的應(yīng)用使得開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被普遍應(yīng)用。

    生產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過(guò)一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對(duì)曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的，曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的，晶圓通過(guò)機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對(duì)光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響[2]。圖1：現(xiàn)代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測(cè)步驟該過(guò)程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解。選擇電源IC芯片時(shí)要查看電源IC芯片廠家的電源檢測(cè)報(bào)告，避免購(gòu)買到過(guò)期或質(zhì)量有問(wèn)題的電源IC產(chǎn)品。74CBTLV3253BQ115

IC這個(gè)詞聽著也非常耳熟，那它表示的是什么呢？MIC47050YML-TR

    減輕了電路設(shè)計(jì)師的重?fù)?dān)，不需凡事再由基礎(chǔ)的一個(gè)個(gè)晶體管處設(shè)計(jì)起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個(gè)單芯片上，以做出如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對(duì)于信號(hào)必須小心。[1]制造播報(bào)編輯參見：半導(dǎo)體器件制造和集成電路設(shè)計(jì)從20世紀(jì)30年始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利（WilliamShockley）認(rèn)為是固態(tài)真空管的可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀(jì)40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽(yáng)能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無(wú)缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。半導(dǎo)體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復(fù)使用：光刻刻蝕薄膜（化學(xué)氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴(kuò)散或離子注入）化學(xué)機(jī)械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。MIC47050YML-TR