所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖是系統(tǒng)的關系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖示出了圖a和圖b的雙列直插式存儲模塊組件的一側的視圖。圖a示出了根據(jù)一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件。圖b示出了圖a的兩個印刷電路裝配件，所述兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起。無論是智能手機、平板電腦還是其他電子產品，硅宇電子的IC芯片都是其高效運轉的關鍵因素。NVGS5120PT1G

    主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數(shù)，決定電阻。電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。更為少見的電感結構，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設計，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機存取存儲器是常見類型的集成電路，所以密度高的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層。LS2051-224SJI(貼片)IC芯片是將大量的微電子元器件形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。

    減輕了電路設計師的重擔，不需凡事再由基礎的一個個晶體管處設計起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數(shù)字轉換器和數(shù)字模擬轉換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號必須小心。[1]制造播報編輯參見：半導體器件制造和集成電路設計從20世紀30年始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（WilliamShockley）認為是固態(tài)真空管的可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。

    所述冷卻管中的每個冷卻管具有在冷卻管與系統(tǒng)板相對的一側上粘附至冷卻管的熱接口材料層。在處，流程包括提供多個集成電路模塊。例如，集成電路模塊可以包括一個或多個雙列直插式存儲模塊組件。每個集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在印刷電路板上的一個或多個集成電路。與集成電路熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層；以及與第二熱接口材料層熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器，所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側相對的側延伸的頂表面。在處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在處，流程包括將每個冷卻管的端部耦聯(lián)至分流管a，以及將每個冷卻管的第二端部耦聯(lián)至第二分流管b。在處，流程包括將泵、熱交換器和儲液器與分流管a和第二分流管b流體流通地耦聯(lián)。流程包括操作泵以將液體傳送通過各冷卻管。IC芯片被應用到我們生活的各個方面，計算器，電子表，IC卡，電視，音響，電腦，音響等等地方。

    芯片(4張)電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybridintegratedcircuit）是由半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。從1949年到1957年，維爾納·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、西德尼·達林頓（SidneyDarlington）、樽井康夫（YasuoTarui）都開發(fā)了原型，但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發(fā)展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過世。晶體管發(fā)明并大量生產之后，各式固態(tài)半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。集成電路的規(guī)模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化集成電路代替了設計使用離散晶體管。集成電路對于離散晶體管有兩個主要優(yōu)勢：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷。硅宇電子的IC芯片以其出色的耐用性和穩(wěn)定性，贏得了廣大客戶的贊譽。SS6488-NF

IC芯片說到原裝電子元器件的真假，無非就是需要辨別一下，元器件是原裝貨還是散新貨。NVGS5120PT1G

    公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發(fā)。這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。摻加雜質將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開始，放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時候將該流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯(lián)接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層，這時候通過重復光刻以及上面流程來實現(xiàn)，形成一個立體的結構。晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，**一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規(guī)格構造的型號的大批量的生產。數(shù)量越大相對成本就會越低，這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。封裝將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式。NVGS5120PT1G