在深亞微米(0.15μm及以下)集成電路制造中，后段工藝日趨重要，為降低阻容遲滯(RCDelay)，保證信號傳輸，減小功耗，有必要對后段工藝進(jìn)行改進(jìn)，Via阻擋層MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)TiN是其中重要研究課題之一。本論文基于薄膜電阻的理論分析，從厚度、雜質(zhì)濃度和晶體結(jié)構(gòu)三大薄膜電阻影響因素出發(fā)系統(tǒng)研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真實(shí)結(jié)構(gòu)中的各種性質(zhì)，重點(diǎn)是等離子體處理(PlasmaTreatment，PT)下的晶體生長，制備循環(huán)次數(shù)的選擇對薄膜雜質(zhì)濃度、晶體結(jié)構(gòu)及電阻性能的影響，不同工藝薄膜在真實(shí)結(jié)構(gòu)中物理形貌、晶體結(jié)構(gòu)和電阻性能的表現(xiàn)和規(guī)律，超薄TiN薄膜(＜5nm)的實(shí)際應(yīng)用等。俄歇能譜、透射電子顯微鏡和方塊電阻測試證明PT作用下雜質(zhì)濃度降低，同時晶體生長，薄膜致密化而電阻率降低。PT具有飽和時間和深度，較厚薄膜需多循環(huán)制備以充分處理，發(fā)現(xiàn)薄膜厚度較小時(本實(shí)驗(yàn)條件下為4nm)，增加循環(huán)次數(shù)雖然進(jìn)一步降低了雜質(zhì)濃度，但會引入界面而使薄膜電阻率增加。通過TEM觀測發(fā)現(xiàn)由于等離子體運(yùn)動的各向異性，真實(shí)結(jié)構(gòu)中PT效率在側(cè)壁遠(yuǎn)低于頂部和底部，這導(dǎo)致側(cè)壁薄膜在PT后更厚。在刀具上涂敷3~5微米的氮化鈦涂層，刀具就能擁有更高的耐磨性和耐熱性，大幅提高刀具壽命和切削加工效率。常州涂層氮化鈦功能

TiN和TiAlN涂層常應(yīng)用于精沖模,采用XRD技術(shù)分析了不同厚度TiN和TiAlN涂層的相變化,并采用Sin2ψ法測量了TiN涂層和基體以及TiAlN基體的殘留應(yīng)力,應(yīng)用顯微硬度計(jì)測量了涂層的顯微硬度。結(jié)果表明:TiN涂層(111)和(222)晶面存在明顯擇優(yōu)取向,涂層殘留應(yīng)力分布在-2347～-1920MPa,基體殘留應(yīng)力分布在-154.9～-69.21MPa,均隨厚度增加而減小;TiAlN涂層主要相成分為Ti3Al3N2,且(107)晶面存在擇優(yōu)取向,基體殘留應(yīng)力分布在-123.7～469.5MPa,主要呈拉應(yīng)力狀態(tài),且隨厚度增加而增大,對模具壽命有較大影響;TiN和TiAlN涂層顯微硬度隨厚度增加而增大。溫州鍍鈦氮化鈦DLC涂層相對光滑，粗糙度Ra為0.10μm,而TiN涂層Ra為0.16μm。

50.本實(shí)驗(yàn)應(yīng)用離子束輔助沉積技術(shù)在磁性附著體銜鐵鐵鉻鉬合金表面制備氮化鈦納米膜，希望通過氮化鈦納米膜優(yōu)異的理化性能，增強(qiáng)磁性附著體的耐蝕性和耐磨性，從而改進(jìn)磁性附著體的性能，并且對鐵鉻鉬合金材料本體特性沒有影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：第四軍醫(yī)大學(xué)碩土學(xué)垃論文1．離子束輔助沉積技術(shù)可以在鐵鉻銅軟磁合金表面獲得非常致密與基體結(jié)合力極強(qiáng)的氮化鈦納米膜，膜與基體界面的結(jié)合力在65N—75N之間，完全能夠滿足實(shí)驗(yàn)及臨床長期應(yīng)用。2．鐵鉻鑰合金表面鍍氮化鈦納米膜處理前后磁性附著體磁力數(shù)值無明顯改變，方差分析統(tǒng)計(jì)學(xué)處理，p勸．05，無統(tǒng)計(jì)學(xué)差別。即鍍膜后磁固位力無改變。對磁性附著體的銜鐵軟磁合金進(jìn)行鍍膜處理，來研究改進(jìn)磁性附著體性能是可行的c3．由自腐蝕電位所反映的腐蝕傾向；極化曲線反映的耐腐蝕性能；極化電阻、腐蝕電流密度反映的腐蝕速度等電化學(xué)指標(biāo)均表明經(jīng)IBAD制備氮化鈦納米膜的鐵鉻鋁合金較未做表面鍍膜處理的合金耐腐蝕性高。4．制備氮化鈦納米膜組顯微硬度值明顯高于未鍍膜組有明顯性差異，氮化鈦納米膜能夠明顯提高鐵鉻用合金的顯微硬度，增強(qiáng)其耐磨性能。

相關(guān)研究顯示，由于氮化鈦(TiN)屬于生物相容性較好的材料(曾經(jīng)被用于冠脈支架)，因此血栓源性要遠(yuǎn)低于鎳鈦本身。早在2004年，先健科技（深圳）有限公司就針對這一醫(yī)學(xué)困擾研發(fā)推出了一種采用高能離子沉淀涂層技術(shù)的Cera陶瓷膜封堵器，在原鎳鈦合金封堵器設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上保持原房間隔封堵器、室間隔封堵器、動脈導(dǎo)管未閉封堵器設(shè)計(jì)外形，利用等離子技術(shù)，在其鎳鈦合金表面均勻包裹一層氮化鈦TiN薄膜，采用離子技術(shù)，使金屬鈦鍍層與C、N、O等化合轉(zhuǎn)化為生物涂層，很大程度上提高了封堵器的耐腐蝕性以及生物組織和血液相容性。根據(jù)從Cera陶瓷膜封堵器和普通鎳鈦封堵器的動物實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對比可看出：在細(xì)胞爬覆生長性能上，Cera陶瓷膜封堵器要遠(yuǎn)優(yōu)于普通鎳鈦封堵器，在提高使先心病缺損的修復(fù)的同時較好降低了血栓的風(fēng)險；血小板黏附及溶血率也遠(yuǎn)低于普通鎳鈦封堵器。44、氮化鈦 ( Ti N)薄膜獨(dú)特的性能不僅在機(jī)械工業(yè)和商品的表面裝飾行業(yè)上有著適合的應(yīng)用。

氮化鈦的制備方法有哪些1金屬鈦粉或TiH2直接氮化法2TiO2碳熱還原氮化法3微波碳熱還原法4物物理相沉積法5化學(xué)氣相沉積法6機(jī)械合金化法7熔鹽合成法8溶膠-凝膠法9自蔓延高溫合成法TiN的性質(zhì)及結(jié)構(gòu)。TiN屬于間隙相，熔點(diǎn)高達(dá)2955℃，原子之間的結(jié)合為共價鍵、金屬鍵及離子鍵的混合鍵，其中金屬原子間存在金屬鍵。因此，TiN薄膜具有高硬度（理論硬度21GPa）、優(yōu)異的耐熱耐磨和耐腐蝕等特性，并且具有較好的金屬特性：金屬光澤、優(yōu)良的導(dǎo)電性及超導(dǎo)性。TiN具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu)，屬于面心立方點(diǎn)陣（F.C.C），其中Ti原子占據(jù)面心立方的角頂。并且TiN是非計(jì)量化合物，Ti和N組成的化合物TiN1-x可以在很寬的組成范圍內(nèi)穩(wěn)定存在，其范圍為TiN0.6—TiN1.16。氮的含量可在一定范圍內(nèi)變化而不引起TiN的結(jié)構(gòu)變化。氮化鈦涂層可降低牙科鑄造合金,尤其是賤金屬合金的腐蝕傾向,提高其耐蝕性。寧波真空鍍膜氮化鈦功能

我國對氮化鈦涂層刀具的使用起步較晚，但已有不少廠家開始推廣使用，經(jīng)濟(jì)效益極為可觀。常州涂層氮化鈦功能

薄膜材料簡介制造業(yè)中高速切削和干式切削等先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展對刀具提出了較高的要求，作為刀具涂層的薄膜材料TiN不僅要具有較高的硬度，而且要具有優(yōu)良的耐磨性、耐熱性、韌性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等。硬質(zhì)薄膜表面涂層可以實(shí)現(xiàn)上述要求。硬質(zhì)薄膜表面涂層通常指為提高構(gòu)件表面耐磨性、耐腐蝕性、耐高溫性而涂覆于構(gòu)件表面的膜層，厚度為幾納米到幾十微米，材料通常是一些由過渡族金屬與非金屬構(gòu)成的金屬間化合物等。這些化合物一般由金屬鍵、共價鍵、離子鍵，以及離子鍵和金屬鍵的混合鍵鍵合，具有熔點(diǎn)高、硬度大的特征，通常還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性?；谝陨咸卣骱蛢?yōu)點(diǎn)，硬質(zhì)薄膜表面涂層已被廣泛應(yīng)用于航空、工模具、電子等加工領(lǐng)域，并且在刀具、模具等方面有力推動了制造業(yè)的發(fā)展。氮化鈦是第一種產(chǎn)業(yè)化并被廣泛應(yīng)用的硬質(zhì)薄膜材料。氮化鈦薄膜具有硬度高、耐磨、耐熱、耐腐蝕等特性[1]，為面心立方晶體結(jié)構(gòu)，由金屬鍵、共價鍵和離子鍵混合而成，同時具有金屬晶體和共價晶體的特性。常州涂層氮化鈦功能