KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進國外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化，無相序要求。內(nèi)含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調(diào)試、抗干擾性強等優(yōu)點。它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。其主要應(yīng)用于大功率電源、高頻設(shè)備交直流調(diào)壓、鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐；整流變壓器、調(diào)工機、電爐變壓器一次側(cè)、充磁退磁調(diào)節(jié)、直流電機調(diào)速控制、電機軟啟動節(jié)能裝置；以鎳、鐵鉻、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二、性能特點○無相序要求限制，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網(wǎng)。○能與國內(nèi)外各種控制儀表（溫控儀）、微機的輸出信號直接接口?！疬m用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側(cè)等各種負載類型。○具有軟啟動軟停止功能，減少對電網(wǎng)的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠?！痱?qū)動能力強，每路可以輸出800毫安的電流，可以驅(qū)動4000A可控硅?！鹁哂腥毕?、過流、過壓保護功能。新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右.遼寧模塊哪家好

    冷卻體）的選定方法、實際安裝的注意事項7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評價、測定方法1.適用范圍9-12.評價、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構(gòu)造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而功率MOSFET雖然交換速度足夠快了，但是存在著不能得到高耐壓、大容量元件等的缺陷。IGBT（JEDEC登錄名稱，絕緣柵雙極晶體管）正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的，它作為一種既有功率MOSFET的高速交換功能又有雙極型晶體管的高電壓、大電流處理能力的新型元件，今后將有更大的發(fā)展?jié)摿?。發(fā)表評論請自覺遵守互聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的政策法規(guī)，嚴禁發(fā)布***、**、反動的言論。山東貿(mào)易模塊進貨價新能源汽車的成本構(gòu)成中，動力電池占比比較高，其次則是IGBT。

    **后介紹了電機功率與電流對照表和380v電...發(fā)表于2018-02-0117:23?475次閱讀分析隔離型雙向直流變換器中存在的電源側(cè)回流功率和...首先，闡述雙移相控制的工作原理和變換器回流功率產(chǎn)生的原理，建立傳輸功率和電源側(cè)、負載側(cè)回流功率的數(shù)學(xué)...發(fā)表于2018-01-3115:28?1084次閱讀電壓模式、遲滯或基于遲滯三種控制拓撲怎樣選擇？幾乎所有的電源均是專為提供一個穩(wěn)定的輸出電壓或電流而設(shè)計的。提供這種輸出調(diào)節(jié)功能需要一個閉環(huán)系統(tǒng)和即...發(fā)表于2018-01-3011:28?177次閱讀零交越失真放大器的失調(diào)電壓與輸入共模電壓的關(guān)系詳...數(shù)模轉(zhuǎn)換器***用于各種應(yīng)用中，并常常搭配放大器使用，以便對輸出信號進行調(diào)理。放大器可以提升輸出電流...發(fā)表于2018-01-3011:24?226次閱讀分享動力電池的性能參數(shù)作為一篇入門的文章，筆者先跟大家分享一下動力電池的性能參數(shù)，雖然這些個參數(shù)都比較偏理論敘述，但是卻是...發(fā)表于2018-01-3008:38?896次閱讀基于中國動力電池望于2020年前實現(xiàn)300瓦時/...2018年1月7日，中國科學(xué)院院士、中國電動汽車百人會執(zhí)行理事長歐陽明高教授報告。

    我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進的工藝設(shè)備，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型，在改善IGBT的開關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設(shè)計在工藝上實現(xiàn)卻有相當大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝，特定耐壓指標的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級，當硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了。隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。

    您所在位置：網(wǎng)站首頁>海量文檔>理工科>能源/化工富士IGBT應(yīng)用手冊.pdf92頁本文檔一共被下載：次,您可全文**在線閱讀后下載本文檔。下載提示1.本站不保證該用戶上傳的文檔完整性，不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載產(chǎn)生的反悔問題本站不予受理。2.該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽三)歸上傳者、原創(chuàng)者。3.登錄后可充值，立即自動返金幣，充值渠道很便利同意并開始全文預(yù)覽下載地址文檔糾錯收藏文檔下載幫助下載源文檔（pdf格式，）特別說明：下載前務(wù)必先預(yù)覽，自己驗證一下是不是你要下載的文檔。上傳作者：kolr（上傳創(chuàng)作收益人）發(fā)布時間：2018-03-04需要金幣：180(10金幣=人民幣1元)瀏覽人氣：下載次數(shù)：收藏次數(shù)：文件大?。篗B下載過該文檔的會員：這個文檔不錯0%(0)文檔有待改進0%。從應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模占比來看，中國IGBT市場應(yīng)用以新能源汽車、工業(yè)控制及消費電子為主，占比分別是30%。中國澳門西門子模塊

其主要功能是實現(xiàn)能源的轉(zhuǎn)換和控制，從而提高電力設(shè)備的效率和可靠性。遼寧模塊哪家好

    線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機器人要如何實現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對黑色材質(zhì)的識別距離為20mm，而對白色材質(zhì)的識別距離為70mm，這是因為白色...發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動方案亮相英飛凌汽車電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作，聯(lián)合開發(fā)了多款功能強大、高可靠性的汽車級IGBT驅(qū)動，分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計，超前電流、電壓有什么區(qū)別？為了達到上述目的，在此電路中使用了2個反射光學(xué)傳感器。一個用作計數(shù)，另一個用來決定計數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義？氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例，它是由**而成，這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。遼寧模塊哪家好

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的****，公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，成立于2022-03-29。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則，為國內(nèi)IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦。主要經(jīng)營IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等產(chǎn)品服務(wù)，現(xiàn)在公司擁有一支經(jīng)驗豐富的研發(fā)設(shè)計團隊，對于產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)要求極為嚴格，完全按照行業(yè)標準研發(fā)和生產(chǎn)。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼為用戶提供真誠、貼心的售前、售后服務(wù)，產(chǎn)品價格實惠。公司秉承為社會做貢獻、為用戶做服務(wù)的經(jīng)營理念，致力向社會和用戶提供滿意的產(chǎn)品和服務(wù)。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司以市場為導(dǎo)向，以創(chuàng)新為動力。不斷提升管理水平及IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì)、誠信的經(jīng)營理念期待您的到來！