多個直流母線電容一側(cè)設(shè)置在鈑金固定板上。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負(fù)疊層銅排14，正疊層銅排和負(fù)疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層15。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接，直流母線電容組件通過疊層母排設(shè)置在一絕緣層的兩側(cè)。直流母線電容組件通過箱體風(fēng)道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動板16和多個IGBT元件17，多個IGBT元件通過IGBT驅(qū)動板設(shè)置在液冷換熱器的兩側(cè)。所述的鈑金隔板底面形成有兩個連接口18，液冷換熱器設(shè)置在兩個連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設(shè)置的IGBT功率組件分別與兩個連接口相對應(yīng)，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液冷換熱器上方為一絕緣層，且直流母線電容組件通過鈑金固定板設(shè)置在鈑金隔板兩側(cè)，直流母線電容組件與IGBT功率組件的位置上下相對應(yīng)，疊層母排分別與直流母線電容組件和IGBT功率組件的輸入端并聯(lián)連接。所述的鈑金隔板下方設(shè)置有箱體底座10，箱體底座上設(shè)置的交流輸出銅排與IGBT功率組件的輸出端并聯(lián)連接。如圖5所示，所述的交流輸出銅排包括設(shè)置在一端的多個匯流爪19、與匯流爪連接的銅排20以及垂直設(shè)置在另一端的絕緣固定塊21，交流輸出銅排的一端穿過鈑金隔板上的連接口。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動作，IGBT柵極驅(qū)動單元就會關(guān)斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊

    包括：裝設(shè)于支架本體的安裝位上的功率模塊，穿設(shè)于所述連接柱的pcb板，所述功率模塊的背部還設(shè)有導(dǎo)熱墊，所述導(dǎo)熱墊的背部設(shè)有散熱體。其中，所述功率模塊上設(shè)有定位孔，所述定位孔與所述容納槽底部的定位柱插裝。其中，所述散熱體上設(shè)有多個螺紋孔柱，所述導(dǎo)熱墊上設(shè)有與所述螺紋孔柱對應(yīng)的安裝孔，組裝時，螺紋孔柱與支架本體上的連接柱對應(yīng)。其中，所述pcb板上設(shè)有與連接柱對應(yīng)的穿孔，組裝時，pcb板通過所述穿孔穿設(shè)于支架本體的連接柱上，所述連接柱內(nèi)穿設(shè)有螺釘，所述螺釘?shù)牧硪欢寺萁佑谏狍w上的螺紋孔柱，以致將pcb板、支架本體，功率模塊、導(dǎo)熱墊和散熱體固定連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的一種功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)，將多個該功率模塊集成到一起，進(jìn)行統(tǒng)一安裝和定位，實(shí)現(xiàn)模塊裝配的集成化，節(jié)省生產(chǎn)成本、提高了生產(chǎn)效率。上述說明是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型技術(shù)手段，可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，詳細(xì)說明如下。附圖說明圖1為本實(shí)用新型的功率模塊機(jī)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的功率模塊機(jī)構(gòu)的圖。河南哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊供應(yīng)要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行，需要輔助的保護(hù)電路。

    將相鄰引腳隔離。進(jìn)一步的，所述連接柱33由容納槽321的底部向外伸出，連接柱33上還設(shè)有通孔331。如圖3所示，所述支架本體31上還設(shè)有若干加強(qiáng)筋310。請再次參閱圖2，本實(shí)施例的應(yīng)用于汽車控制的功率模塊機(jī)構(gòu)，包括：裝設(shè)于支架本體31的安裝位上的功率模塊4，穿設(shè)于所述連接柱33的pcb板2，所述功率模塊4的背部還設(shè)有導(dǎo)熱墊5，所述導(dǎo)熱墊5的背部設(shè)有散熱體6。其中，所述功率模塊4上設(shè)有定位孔41，所述定位孔41與所述容納槽321底部的定位柱322插裝。定位柱322與功率模塊4上的定位孔41之間過盈配合。功率模塊4的引腳42沿著引腳槽323后向上彎折，以便與pcb板2電連接。進(jìn)一步的，所述散熱體6上設(shè)有多個螺紋孔柱61，所述導(dǎo)熱墊5上設(shè)有與所述螺紋孔柱61對應(yīng)的安裝孔51，組裝時，螺紋孔柱61與支架本體31上的連接柱33對應(yīng)。其中，所述pcb板2上設(shè)有與連接柱33對應(yīng)的穿孔21，組裝時，pcb板2通過所述穿孔21穿設(shè)于支架本體31的連接柱33上，所述連接柱33內(nèi)穿設(shè)有螺釘1，所述螺釘1的另一端螺接于散熱體6上的螺紋孔柱61，以致將pcb板2、支架本體3，功率模塊4、導(dǎo)熱墊5和散熱體6固定連接。其組裝過程如下：先將功率模塊支架3和多個功率模塊4集成裝配到一起；在散熱體6上安裝導(dǎo)熱墊5。

    由于鉛會破壞人類神經(jīng)系統(tǒng)以及妨礙胎兒發(fā)育，故目前世界各國正努力尋找無鉛接合材料。然而，無鉛焊錫主要成份為錫銀銅合金，該合金在高溫環(huán)境下易形成介金屬化合物(cu6sn5與cu3sn)，一旦此介金屬化合物形成后，接點(diǎn)在高溫下(＞150℃)的機(jī)械強(qiáng)度則降為原來的三分之一，且在長時間的熱循環(huán)下容易形成孔洞，使得接合強(qiáng)度更為脆弱。再者，當(dāng)孔洞形成后，增加高功率模塊內(nèi)部散熱鰭片與功率集成電路(integratedcircuit,ic)組件的接口熱阻，導(dǎo)致散熱不易，終使得高功率模塊熱失效。故，一般無法符合使用者于實(shí)際使用時所需。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于，克服已知技術(shù)所遭遇的上述問題，并提供一種使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長時間使用下將無有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)的產(chǎn)生，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定，不會產(chǎn)生任何介金屬化合物，從而不會有因制程(環(huán)境)溫度而脆化的問題的高功率模塊的制備方法。本發(fā)明的次要目的在于，提供一種使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上，將可取代錫銀銅合金及鉛錫與銀鉛錫合金。驅(qū)動電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動電路設(shè)計對裝置的運(yùn)行效率、可靠性有重要意義。

    公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設(shè)置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。本申請避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，提高了檢測電流的精度。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊，與上述實(shí)施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的半導(dǎo)體功率模塊的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的igbt芯片對應(yīng)過程，在此不再贅述。另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。湖北優(yōu)勢Mitsubishi三菱IPM模塊供應(yīng)商

過流、短路、過熱保護(hù)動作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動作。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊

    本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊，如圖15所示，半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅(qū)動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上，驅(qū)動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅(qū)動工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20工作；si端口通過模塊引線端子521與檢測電阻40連接，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測區(qū)域的一發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接，從而通過si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓，并根據(jù)該測量電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊，設(shè)置有igbt芯片，其中，igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設(shè)置；一表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接。湖北哪里有Mitsubishi三菱IPM模塊