【磁控濺射鍍光學(xué)膜的技術(shù)路線】 （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應(yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時，都會存在靶中毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。 成都光學(xué)鍍膜設(shè)備廠家。北京光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商

【什么是薄膜干涉】薄膜可以是透明固體、液體或由兩塊玻璃所夾的氣體薄層。入射光經(jīng)薄膜上表面反射后得第yi束光，折射光經(jīng)薄膜下表面反射，又經(jīng)上表面折射后得第二束光，這兩束光在薄膜的同側(cè)，由同一入射振動分出，是相干光，屬分振幅干涉。若光源為擴(kuò)展光源(面光源)，則只能在兩相干光束的特定重疊區(qū)才能觀察到干涉，故屬定域干涉。對兩表面互相平行的平面薄膜，干涉條紋定域在無窮遠(yuǎn)，通常借助于會聚透鏡在其像方焦面內(nèi)觀察;對楔形薄膜，干涉條紋定域在薄膜附近。 實(shí)驗和理論都證明，只有兩列光波具有一定關(guān)系時，才能產(chǎn)生干涉條紋，這些關(guān)系稱為相干條件。薄膜的想干條件包括三點(diǎn)： 兩束光波的頻率相同; 束光波的震動方向相同; 兩束光波的相位差保持恒定。薄膜干涉兩相干光的光程差公式為：　Δ=ntcos(α) ± λ/2 　　式中n為薄膜的折射率;t為入射點(diǎn)的薄膜厚度;α為薄膜內(nèi)的折射角;λ/2是由于兩束相干光在性質(zhì)不同的兩個界面(一個是光疏介質(zhì)到光密介質(zhì)，另一個是光密介質(zhì)到光疏介質(zhì))上反射而引起的附加光程差。薄膜干涉原理廣fan應(yīng)用于光學(xué)表面的檢驗、微小的角度或線度的精密測量、減反射膜和干涉濾光片的制備等。 北京光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商光學(xué)鍍膜設(shè)備真空四個階段。

【單層反射膜】線射入玻璃基板時，會產(chǎn)生4%左右的反射而造成透過率的損失。但是，通過在玻璃基板上蒸鍍比玻璃的折射率更低的電介質(zhì)膜，可以改變玻璃基板的反射率。 調(diào)節(jié)電介質(zhì)膜的厚度使其光程(折射率n×膜厚d)為λ/4時，可以相互抵消玻璃基板和電介質(zhì)膜，電介質(zhì)膜和空氣的分界面的反射，將反射率降到*低。 　　但是，由于折射率受到薄膜材料的限制，所以反射率不能完全為零。而且，由于受玻璃基板折射率的限制，所以并不是所有玻璃基板都能得到防反射效果。

【霍爾離子源的工作原理】工作氣體或反應(yīng)氣體由陽極底部進(jìn)入放電區(qū)內(nèi)參與放電，放電區(qū)內(nèi)由磁鐵產(chǎn)生如圖所示的錐形磁場，在放電區(qū)的上部安裝有補(bǔ)償或中和陰極。根據(jù)工作要求該型號離子源的工作氣體為氬氣，反應(yīng)氣體可以使用氮?dú)?、氧氣或碳?xì)涞榷喾N氣體。放電區(qū)上部陰極燈絲加熱后產(chǎn)生熱電子，當(dāng)離子源的陽極施以正電位+U時，電子在電場作用下向陽極運(yùn)動，由于磁場的存在，電子繞磁力線以螺旋軟道前進(jìn)，與工作氣體或反應(yīng)氣體的原子發(fā)生碰撞使其離化。離子在霍爾電場的作用下被加速獲得相應(yīng)的能量，與燈絲熱陰極發(fā)射的部分熱電子形成近等離子體，由等離子體源發(fā)射出來與基片發(fā)生作用達(dá)到清洗和輔助鍍膜的目的。光學(xué)鍍膜設(shè)備故障解決方法？

【光譜分光不良的補(bǔ)救處理】1.對于第（yi）種情況，比較好處理，只要確認(rèn)前面鍍的沒錯，程序沒有用錯，就可以繼續(xù)原來的程序，要注意的是:如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時，交接處要減少一些膜厚(根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少，一般是0.2-1nm左右)，如果該層剩下的膜厚已不足15-20秒蒸鍍時，要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不鍍，通過后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。 2.對于第（二）（三）種情況的處理比較復(fù)雜一些 模擬:根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片(測試比較片)實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計算機(jī)膜系設(shè)計程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 測試比較片片是指隨鏡片-起鍍制(在傘片上、與鏡片同折射率)，用于測試鍍后分光曲線的平片。優(yōu)化:再鎖定通過模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的**方案。 試鍍:根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍?nèi)舾社R片(1-2片)或測試片，確認(rèn)補(bǔ)se膜系的可行性補(bǔ)se鍍:對試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)se鍍。補(bǔ)se鍍前，確認(rèn)基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其它不良。 錦成國泰光學(xué)鍍膜設(shè)備怎么樣？福建光學(xué)鍍膜設(shè)備市場

光學(xué)鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。北京光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商

【光學(xué)鏡片鍍膜的膜形核過程之單層生長模式（層狀生長）】單層生長模式（Frank一VanderMerwe型），又稱之為弗蘭克一范德摩夫型，是層狀生長模式。該類型的生長便是業(yè)內(nèi)說的理想的外延生長，作為同質(zhì)外延，如若是異質(zhì)外延，在引入失配位錯之后，便形成外延生長。而在晶體失配位錯發(fā)生前，那些沉積的原子是根據(jù)基片的晶體同期來排列的。通常把這種結(jié)構(gòu)稱作“膺結(jié)構(gòu)”。這種膜生長一般是在光學(xué)鏡片鍍膜時，沉積的原子和基底原子之間的相互作用力很da，da過沉積的原子之間的聚合力的情況下，沉積的原子會構(gòu)成一種二維的簿層堆積，堆積成層狀的鍍膜生長模式。北京光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商

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