【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。 真空鍍膜設(shè)備品牌有很多，你如何選擇？山西pvd真空鍍膜設(shè)備spts

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材利用率低。 天津手機(jī)真空鍍膜設(shè)備廠家真空鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。

【真空鍍膜改善外層膜表面硬度】： 減反膜一般外層選用MgF2,該層剖面是較為松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。改善外層表面硬度的方法包括： 1. 在膜系設(shè)計(jì)允許的條件下，膜外層加10nm左右的二氧化硅膜層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍膜后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會(huì)更好。（但表面會(huì)變粗） 2. 鏡片取出真空室后，放置在較為干燥潔凈的地方，防止鏡片快速吸潮，表面硬度降低。 真空鍍膜設(shè)備是什么？

【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動(dòng)葉輪將動(dòng)量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動(dòng)而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動(dòng)的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機(jī)械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對(duì)大氣排氣，需要配置前級(jí)泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān)，如對(duì)氫的抽速比對(duì)空氣的抽速大20%。 關(guān)于真空鍍膜設(shè)備，你知道多少？江西真空鍍膜設(shè)備控制系統(tǒng)

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【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 山西pvd真空鍍膜設(shè)備spts