【真空鍍膜反應磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產的要求來看，物理qi相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優(yōu)勢，因而被guang泛應用，這是因為： 1、反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應磁控濺射中調節(jié)沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節(jié)薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。 3、反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。 4、反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發(fā)展。 蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來沉降在基片表面，通過成膜過程形成薄膜。廣東科潤真空鍍膜設備廠

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應用于許多方面，特別是在微電子、光學薄膜和材料表面處理等領域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現象,20世紀40年代濺射技術作為一種沉積鍍膜方法開始得到應用和發(fā)展。60年代后隨著半導體工業(yè)的迅速崛起,這種技術在集成電路生產工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應用。磁控濺射技術出現和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術應用領域得到極大地擴展,逐步成為制造許多產品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：工藝重復性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點：設備結構復雜，靶材利用率低。 廣東實驗室真空鍍膜設備濺射類鍍膜是利用電子或高能激光轟擊靶材，使表面組分以原子團或離子形式濺射出來沉積在基片表面形成薄膜。

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴重的現象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結構問題，外層膜的柱狀結構松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結構粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時內外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內POLYCOLD解凍時水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結構不均勻。 7. 膜與膜之間的應力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結構 4. 適當降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結構 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結構 6. 加上Polycold解凍時的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時的真空度。

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜臟】： 顧名思義，膜層有臟。一般的膜臟發(fā)生在膜內或膜外。臟也可以包括：灰塵點、白霧、油斑、指紋印、口水點等。 改善對策：檢討過程，杜絕臟污染。 1. 送交洗凈或擦拭的鏡片不要有過多的不良附著物。 2. 加強鍍前鏡片的洗凈率或擦凈率。 3. 改善上傘后待鍍膜鏡片的擺放環(huán)境，防止污染。 4. 養(yǎng)成上傘作業(yè)員的良好習慣，防止鏡片污染。 5. 加快真空室護板更換周期。 6. 充氣管道清潔，防止氣體充入時污染。 7. 初始排期防渦流（湍流），初始充氣防過充。 8. 鏡片擺放環(huán)境和搬運過程中避免油污、水汽。 9. 工作環(huán)境改造成潔凈車間。 10. 將鍍膜機作業(yè)面板和主機隔開，減少主機產生的有害物質污染鏡片。真空鍍膜設備品牌推薦。

【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導（導通量）：表示真空管道通過氣體的能力，單位為升/秒（L/S）。一般情況下，管道越短，直徑越大，表面越光滑，越直的管道流導也越大。 流量：單位時間內流過任意截面的氣體量，單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率：在一定的壓強和溫度下，單位時間內由泵進氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率，簡稱抽速。單位一般為L/S或m3/hr或CFM。 極限真空：真空容器經充分抽氣后，穩(wěn)定在某一真空度，此真空度稱為極限真空。真空鍍膜設備參數怎么調？湖北真空鍍膜設備原理

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【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之破邊、炸裂】： 一般的鍍膜會對基片加熱，由于基片是裝架在金屬圈、碟內，由于鏡圈或碟片與鏡片（基片）的熱膨脹系數不一致，冷卻過程中會造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片，由于出罩時的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的熱應力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對策： 1. 夾具（鏡圈、碟片）的設計，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形，已經變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來哦（非導磁材料、不生銹、耐高溫不變性），不銹鋼較為理想（熱變形系數?。?，就是加工難度大，價格貴。 4. 對于大鏡片應降低出罩時的溫度，減少溫差，防止炸裂。 5. 如果時鏡圈，可以考慮在鏡圈上開槽，作為緩沖。 廣東科潤真空鍍膜設備廠