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北京真空鍍膜設(shè)備哪里有賣

來源: 發(fā)布時間:2022-03-12

【真空鍍膜簡介】: 真空(vacuum)是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài),因為真空之中沒有介質(zhì),所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無法傳播的。1654年當(dāng)時的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國雷根斯堡進行了一項實驗,從而證明了真空是存在的?,F(xiàn)在我們所說的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì),而是指在一個既定的空間內(nèi)低于一個大氣壓的氣體狀態(tài),我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空。現(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè),很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝,雖然我國的真空鍍膜技術(shù)起步較晚,但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件制造的一項不可或缺的技術(shù)。目前的真空鍍膜技術(shù)主要分為:真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。 真空鍍膜設(shè)備機組介紹。北京真空鍍膜設(shè)備哪里有賣

【離子鍍膜法介紹】: 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,應(yīng)用氣體放電實現(xiàn)鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有:輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 山東科潤真空鍍膜設(shè)備廠真空鍍膜設(shè)備哪個牌子的好?

【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】: 渦輪分子泵:渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動葉輪將動量傳給氣體分子,使氣體產(chǎn)生定向流動而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空,屬于干泵,極限真空10&7~10&8Torr,烘烤后可到10&10Torr,抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分,這種泵的抽速范圍很寬,但不能直接對大氣排氣,需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān),如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。

【真空鍍膜機常見故障】: 一、 當(dāng)正在鍍膜室真空突然下降 1. 蒸發(fā)源水路膠圈損壞(更換膠圈) 2. 坩堝被打穿(更換坩堝) 3. 高壓電極密封處被擊穿(更換膠圈) 4. 工轉(zhuǎn)動密封處膠圈損壞(更換膠圈) 5. 預(yù)閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞(更換二位五通閥) 6. 高閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞(更換二位五通閥) 7. 機械泵停機可能是繼電器斷開(檢查繼電器是否工作正常) 8. 烘烤引入線電極密封處被擊穿(更換膠圈) 9. 擋板動密封處膠圈損壞(更換膠圈) 10. 玻璃觀察視鏡出現(xiàn)裂紋、炸裂(更換玻璃) 二、長期工作的鍍膜機抽真空的時間很長且達不到工作真空、恢復(fù)真空、極限真空、保真空: 1. 蒸發(fā)室有很多粉塵(應(yīng)清洗) 2. 擴散泵很久未換油(應(yīng)清洗換油) 3. 前級泵反壓強大太機械泵真空度太低(應(yīng)清洗換油) 4. 各動密封膠圈損壞(更換膠圈) 5. 由于蒸發(fā)室長期溫度過高使其各密封膠圈老化(更換膠圈) 6. 蒸發(fā)室各引入水路密封處是否有膠圈損壞(更換膠圈) 7. 各引入座螺釘、螺母有無松動現(xiàn)象(重新壓緊) 8. 高低預(yù)閥是否密封可靠(注油) 真空鍍膜設(shè)備廠家排名。

【濺射的四要素】:①靶材物質(zhì),②電磁場,③底物,④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】:1)離子每一次撞擊靶材時,靶材所釋放出的靶材原子;2)影響濺射收益的因素: ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素:①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】: 定義:每單位時間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個數(shù)。 濺射率的影響因素:①離子動能(取決于電源電壓和氣體壓力)②等離子密度(取決于氣體壓力和電流)。統(tǒng)計學(xué)公式:Rs(統(tǒng)計學(xué))=d/t。 注:濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間,因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜,久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進行定期清潔。 真空鍍膜設(shè)備相關(guān)資料。山東科潤真空鍍膜設(shè)備廠

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【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】: 1. 鍍后烘烤,Zui后一層膜鍍完后,烘烤不要馬上停止,延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時間適當(dāng)延長,退火時效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過大帶來的熱應(yīng)力。 3. 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中,基片溫度不宜過高,高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助,減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配,第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍,根據(jù)不同膜料控制氧進氣量。 北京真空鍍膜設(shè)備哪里有賣