【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場(chǎng),而磁場(chǎng)是曲線型的,對(duì)數(shù)電場(chǎng)用于同軸圓柱形靶;均勻電場(chǎng)用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場(chǎng)影響而加速飛向基材,在此過(guò)程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時(shí)產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場(chǎng)影響會(huì)移動(dòng)到陰極(也就是濺射靶),同時(shí)用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會(huì)沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時(shí),在磁場(chǎng)的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運(yùn)動(dòng).該電子不但運(yùn)動(dòng)路徑長(zhǎng),還是被電磁場(chǎng)理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對(duì)靶材進(jìn)行轟擊,所以說(shuō)磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 光學(xué)鍍膜設(shè)備產(chǎn)業(yè)集群。江蘇訂購(gòu)光學(xué)鍍膜設(shè)備

【檢測(cè)光學(xué)鍍膜機(jī)鍍膜膜厚均勻性的方法】一種檢測(cè)光學(xué)鍍膜機(jī)鍍膜膜厚均勻性的方法,包括下列步驟:第一步:設(shè)計(jì)本發(fā)明雙腔濾光片膜系;第二步:模擬計(jì)算膜層厚度變化對(duì)所訴雙腔濾光片峰值透過(guò)率及中心波長(zhǎng)的影響;第三步:計(jì)算尖峰極值點(diǎn)透過(guò)率比值與膜層光學(xué)厚度比值,中心波長(zhǎng)與總光學(xué)厚度,兩組數(shù)學(xué)關(guān)系.第四步:根據(jù)第三步的數(shù)學(xué)關(guān)系,求解計(jì)算膜厚的公式;第五步:從工件盤中心到邊緣擺放數(shù)量大于2的基片,沉積本發(fā)明所述雙腔濾光片,測(cè)量出每一片的中心波長(zhǎng)和尖峰極值透過(guò)率,用第四步的公式計(jì)算出每一片兩種膜層厚度,得到鍍膜機(jī)鍍膜膜厚度分布即膜厚均勻性.實(shí)驗(yàn)表明:本發(fā)明可以快速準(zhǔn)確獲得光學(xué)鍍膜機(jī)鍍膜膜厚均勻性數(shù)據(jù),為鍍膜機(jī)鍍膜膜厚均勻性修正提供依據(jù)。江蘇光學(xué)鍍膜設(shè)備說(shuō)明書光學(xué)鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。

【光學(xué)真空鍍膜機(jī)的應(yīng)用】光學(xué)真空鍍膜機(jī)無(wú)論對(duì)于手機(jī)，數(shù)碼產(chǎn)品，還是衛(wèi)浴都有同樣的裝飾性要求產(chǎn)品，光學(xué)鍍膜通過(guò)底層鍍制顏se膜和透明介質(zhì)多層膜實(shí)現(xiàn)多種顏se，se調(diào)和金屬光澤，并能配有絲印，熱轉(zhuǎn)印，鐳雕和拉絲工藝，得到多種se調(diào)的炫彩光澤，光學(xué)鍍膜加強(qiáng)條紋和圖案的立體視覺(jué)，它還能提高真空鍍膜的性能，并通過(guò)提高設(shè)備產(chǎn)率和穩(wěn)定性，以及降低材料消耗。 光學(xué)真空鍍膜機(jī)使用范圍略為廣fan，除3C產(chǎn)業(yè)外，也適用于其他數(shù)碼產(chǎn)品，電器，衛(wèi)浴，醫(yī)療等塑料或金屬件的裝飾及功能薄膜上加上AF、AS涂層，提升光滑度。光學(xué)真空鍍膜機(jī)可鍍制層數(shù)較多的短波通、長(zhǎng)波通、增透膜，反射膜、濾光膜、分光膜、介質(zhì)膜、高反膜、帶通膜、彩se反射膜等各膜系，能夠?qū)崿F(xiàn)0-99層膜的膜系鍍膜，也能滿足如汽車反光玻璃、望遠(yuǎn)鏡、眼鏡片、光學(xué)眼鏡頭、冷光杯等產(chǎn)品鍍膜要求。光學(xué)真空鍍膜機(jī)配置不同的蒸發(fā)源、電子qiang、離子源及鍍膜厚儀可鍍多種膜系，對(duì)金屬、氧化物，化合物及其他高熔點(diǎn)膜材皆可蒸鍍，并可在玻璃表面超硬。

【常見的光學(xué)鍍膜材料】常見的光學(xué)鍍膜材料有以下幾種： 1、氟化鎂材料特點(diǎn)：無(wú)se四方晶系粉末，純度高，用其制備光學(xué)鍍膜可提高透過(guò)率，不出崩點(diǎn)。 2、二氧化硅材料特點(diǎn)：無(wú)se透明晶體，熔點(diǎn)高，硬度大，化學(xué)穩(wěn)定性好。純度高，用其制備高質(zhì)量Si02鍍膜，蒸發(fā)狀態(tài)好，不出現(xiàn)崩點(diǎn)。按使用要求分為紫外、紅外及可見光用。 3、氧化鋯材料特點(diǎn) 白se重質(zhì)結(jié)晶態(tài)，具有高的折射率和耐高溫性能，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，純度高，用其制備高質(zhì)量氧化鋯鍍膜，不出崩點(diǎn) 光學(xué)鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)？

【如何改善光譜特性不良】工作現(xiàn)場(chǎng)所用膜料、芯片、硝材生產(chǎn)廠家、型號(hào)一旦確認(rèn)不要經(jīng)常變更,必須變更的應(yīng)該多次確認(rèn)。杜絕、避兔作業(yè)過(guò)失的發(fā)生。強(qiáng)每罩鏡片的分光測(cè)試監(jiān)控,設(shè)置警戒分光曲線,及時(shí)調(diào)整膜系。測(cè)試比較片管理加強(qiáng),確保進(jìn)軍鍍膜的測(cè)試比較片表面無(wú)污染、新鮮、外觀達(dá)到規(guī)定要求。在使用前,對(duì)比較片作一次測(cè)試,測(cè)定其反射率(只測(cè)一個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)就可以)測(cè)定值與理論之比較?一般測(cè)定值小于理論值(虜蝕層影響),如果二值之間差異較大(比如大于1%)就應(yīng)該考慮對(duì)比較片再?gòu)?fù)新、或更換。鏡片的分光測(cè)試要在基片完全冷卻后進(jìn)行。掌握晶控片敏感度變化規(guī)律,及時(shí)修正控制數(shù)據(jù)。晶控片在新的時(shí)候與使用了若干罩后的感度是不完全一樣的,芯片的聲阻抗值會(huì)有微小變化。有些品控儀(如C5)可以設(shè)置自動(dòng)修正,而大部分品控儀沒(méi)有自動(dòng)修正聲阻抗值的功能。掌握了品片敏感度的規(guī)律可以在膜原設(shè)置上矯正。改善晶控探頭的冷卻效果,晶片在溫度大于50C時(shí),測(cè)量誤差較大。采用離子輔助鍍膜的工藝,可以提高成膜分光特件的穩(wěn)定性。檢討該膜系在該機(jī)臺(tái)的光控適用性。檢討光控中的人為影響。經(jīng)常檢查光控的光路、信號(hào)、測(cè)試片等。光學(xué)鍍膜設(shè)備技術(shù)教程。重慶國(guó)產(chǎn)光學(xué)鍍膜設(shè)備

光學(xué)鍍膜設(shè)備參數(shù)怎么調(diào)？江蘇訂購(gòu)光學(xué)鍍膜設(shè)備

【柵網(wǎng)型離子源的加速過(guò)程】柵網(wǎng)組件通過(guò)向每個(gè)柵網(wǎng)施加特定電壓以從放電室提取離子。首先，屏柵相對(duì)于地為正偏壓(束流電壓)，因此放電室中的等離子體也相對(duì)于地為正偏壓。然后，加速柵相對(duì)于地為負(fù)偏壓(加速電壓)，并沿離子源中心線建立電場(chǎng)，放電室中靠近該電場(chǎng)漂移的正離子被加速。即使不使用減速柵，*外層的電勢(shì)*終也近似為零。減速柵的電位通常保持在接地電位加速的離子在通過(guò)加速柵之后減速并且以近似束流電壓的離子能量從柵網(wǎng)中射出由于已建立的電場(chǎng)，位于放電室或外層的電子被分離開來(lái)。江蘇訂購(gòu)光學(xué)鍍膜設(shè)備

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