【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】： 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡單、造價便宜、使用可靠，可用于熔點不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的Zui高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 真空鍍膜設(shè)備故障解決方法？北京紅外真空鍍膜設(shè)備

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進行定期清潔。 安徽真空鍍膜設(shè)備對身體有害嗎廣東真空鍍膜設(shè)備廠家。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜臟】： 顧名思義，膜層有臟。一般的膜臟發(fā)生在膜內(nèi)或膜外。臟也可以包括：灰塵點、白霧、油斑、指紋印、口水點等。 改善對策：檢討過程，杜絕臟污染。 1. 送交洗凈或擦拭的鏡片不要有過多的不良附著物。 2. 加強鍍前鏡片的洗凈率或擦凈率。 3. 改善上傘后待鍍膜鏡片的擺放環(huán)境，防止污染。 4. 養(yǎng)成上傘作業(yè)員的良好習(xí)慣，防止鏡片污染。 5. 加快真空室護板更換周期。 6. 充氣管道清潔，防止氣體充入時污染。 7. 初始排期防渦流（湍流），初始充氣防過充。 8. 鏡片擺放環(huán)境和搬運過程中避免油污、水汽。 9. 工作環(huán)境改造成潔凈車間。 10. 將鍍膜機作業(yè)面板和主機隔開，減少主機產(chǎn)生的有害物質(zhì)污染鏡片。

【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點是：設(shè)備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 真空鍍膜設(shè)備常見故障及解決方法。

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點，取長補短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現(xiàn)全mian積均勻。 電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么？湖南真空鍍膜設(shè)備供應(yīng)商

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【真空鍍膜設(shè)備之真空的測量】： 真空計： A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對流規(guī)： 用來測粗真空的真空計，從大氣到1E&5Torr，精度一般在10%，皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢，受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī)： 用來測高真空或超高真空的真空計，熱燈絲的離子規(guī)測量范圍一般從1E&4到1E&9Torr，特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr，精度在10%~20%，燈絲在工作時遇到大氣會燒毀；冷陰極的離子規(guī)一般可以測到1E&11Torr，精度在20%~50%，特別是超高真空下測量精度很差，需要高壓電源，探頭內(nèi)有磁鐵，使用時不能用于某些無磁的場合。 C、電容式壓力計： 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr，動態(tài)范圍大約104范圍，比如，1Torr量程的Zui低是5E&4Torr，通常精度在讀數(shù)的0.25%，可以高到0.15%。 D、寬量程真空計： 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合，兩個規(guī)可以自動切換，在低真空時切換到皮拉尼規(guī)，高真空時可切換到離子規(guī)。北京紅外真空鍍膜設(shè)備

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