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河南有做等離子真空鍍膜設(shè)備

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-17

【真空鍍膜濺射種類】: 1、反應(yīng)濺射:氧化物,氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象:①:靶材分子分裂,其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng),形成化合物 ②:膜層性能改變 ③:靶材有可能中毒 2、二極濺射:二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù),其中等離子體和電子均只沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)。 特征:①:無(wú)磁場(chǎng) ②:濺射率低 ③:放電電壓高(>500V) ④:鍍膜底物受熱溫度極易升高(>500°C) 用途:主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射:暗區(qū)無(wú)等離子體產(chǎn)生,在磁控濺射下,電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng),不會(huì)直接沖向陽(yáng)極。而是在電場(chǎng)力和磁場(chǎng)力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)行能量交換,使氣體及靶材原子離子化,dada提高氣體等離子體密度,從而提高了濺射速率(可提高10—20倍)和濺射均勻性。 真空鍍膜設(shè)備使用時(shí),需要注意哪些問題?河南有做等離子真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜設(shè)備的分類】: 這個(gè)問題如果在十年之前,其實(shí)是很容易回答的,就是兩個(gè)大類,物理沉積設(shè)備和化學(xué)沉積設(shè)備?,F(xiàn)在這樣回答也是沒錯(cuò)的,但現(xiàn)在再這樣回答就沒辦法把事情說清楚了,所以從應(yīng)用領(lǐng)域上可以分成以下幾類: 傳統(tǒng)光學(xué)器件(鏡片,濾光片)所用的鍍膜設(shè)備:?jiǎn)吻惑w或多腔體蒸發(fā)式鍍膜設(shè)備,濺射式鍍膜設(shè)備。 新材料領(lǐng)域的柔性設(shè)備:卷對(duì)卷柔性鍍膜設(shè)備。 光通訊行業(yè):離子束濺射鍍膜設(shè)備。 半導(dǎo)體及相似工藝:化學(xué)氣相沉積設(shè)備。 功能膜:多弧離子鍍?cè)O(shè)備,濺射設(shè)備,蒸發(fā)設(shè)備 玻璃工藝:濺射式連續(xù)線 其余的就得歸到“工藝定制設(shè)備”這個(gè)范圍里面了,例如車燈鍍膜設(shè)備,太陽(yáng)能的共蒸發(fā)設(shè)備,光纖鍍膜設(shè)備,太陽(yáng)能管設(shè)備等等 北京做真空鍍膜設(shè)備的廠家真空鍍膜設(shè)備真空度多少?

【真空鍍膜真空的基本概念】: 真空的劃分: 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)(導(dǎo)通量):表示真空管道通過氣體的能力,單位為升/秒(L/S)。一般情況下,管道越短,直徑越大,表面越光滑,越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過任意截面的氣體量,單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率:在一定的壓強(qiáng)和溫度下,單位時(shí)間內(nèi)由泵進(jìn)氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率,簡(jiǎn)稱抽速。單位一般為L(zhǎng)/S或m3/hr或CFM。 極限真空:真空容器經(jīng)充分抽氣后,穩(wěn)定在某一真空度,此真空度稱為極限真空。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之破邊、炸裂】: 一般的鍍膜會(huì)對(duì)基片加熱,由于基片是裝架在金屬圈、碟內(nèi),由于鏡圈或碟片與鏡片(基片)的熱膨脹系數(shù)不一致,冷卻過程中會(huì)造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片,由于出罩時(shí)的溫度較高,與室溫的溫差較大,鏡片的熱應(yīng)力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對(duì)策: 1. 夾具(鏡圈、碟片)的設(shè)計(jì),在尺寸配合上要合理,充分考慮制造誤差帶來(lái)的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形,已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來(lái)哦(非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變性),不銹鋼較為理想(熱變形系數(shù)?。褪羌庸るy度大,價(jià)格貴。 4. 對(duì)于大鏡片應(yīng)降低出罩時(shí)的溫度,減少溫差,防止炸裂。 5. 如果時(shí)鏡圈,可以考慮在鏡圈上開槽,作為緩沖。 真空鍍膜設(shè)備怎么保養(yǎng)?

【真空鍍膜機(jī)概述】: 真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發(fā),電子搶加熱蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 真空鍍膜機(jī)構(gòu)造的五大系統(tǒng):排氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、蒸鍍系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)。 真空鍍膜三要素:真空度、抽氣時(shí)間、溫度;任何鍍膜工藝都需要為這三個(gè)要素設(shè)定目標(biāo)值;因此,只有當(dāng)三個(gè)條件同時(shí)滿足時(shí),自動(dòng)化程序才會(huì)自動(dòng)運(yùn)行。 真空鍍膜機(jī)需要做定期定期保養(yǎng),目的在于:讓鍍膜機(jī)能長(zhǎng)時(shí)間地正常運(yùn)轉(zhuǎn);降低故障時(shí)間,避免影響產(chǎn)能,減少損失;提高機(jī)器精度,穩(wěn)定品質(zhì);加快抽氣速度,提升機(jī)器利用率等。真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。湖南聯(lián)合真空鍍膜設(shè)備

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【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】: 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì),因而被guang泛應(yīng)用,這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高,而且成膜過程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱,因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前,通常使用直流濺射電源,因此帶來(lái) 了一些問題,主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定,沉積速率較低,膜的缺陷密度較高,這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。 河南有做等離子真空鍍膜設(shè)備

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