微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，一、控制系統(tǒng)閘閥。控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用?？刂葡到y(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶指定的值，通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。二、蝶閥。該蝶閥具有緊湊的設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的不銹鋼結(jié)構(gòu)，通過(guò)閘板旋轉(zhuǎn)操作。蝶閥可以實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導(dǎo)體和工業(yè)過(guò)程。蝶閥通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)自動(dòng)控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。三、多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮?dú)饪刂崎l閥位置的閥門(mén)。它在閥門(mén)的頂部有一個(gè)內(nèi)置控制器，可以在本地和遠(yuǎn)程模式下操作。它還具有緊急關(guān)閉功能，以應(yīng)對(duì)泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點(diǎn)之一是能夠遠(yuǎn)程檢查閥門(mén)狀態(tài)，并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，適用于需要壓力控制的所有加工領(lǐng)域。采用手動(dòng)調(diào)節(jié)控制裝置控制，用戶可直接控制閘門(mén)的開(kāi)啟和關(guān)閉，以調(diào)節(jié)壓力。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。這些真空閥可以手動(dòng)、氣動(dòng)或電子方式驅(qū)動(dòng)，從而可以根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行多功能控制。蒸發(fā)閘閥UMC

微泰半導(dǎo)體閘閥的特點(diǎn)：已向中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備，設(shè)備廠批量供貨，已得到品質(zhì)認(rèn)可，已完成對(duì)半導(dǎo)體Utility設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證。1，采用陶瓷球機(jī)構(gòu)，抗沖擊和震動(dòng)，保證使用25萬(wàn)次，檢修方便，較低維護(hù)成本。2，無(wú)Particle（顆粒）產(chǎn)生，采用陶瓷球無(wú)腐蝕和顆粒產(chǎn)。3，屏蔽保護(hù)：屏蔽式保護(hù)功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于1mm，可防止粉末侵入閥內(nèi)，壽命為半永久性。4，保護(hù)環(huán)：Protecrion Ring通過(guò)流速上升設(shè)計(jì)防止粉末凝固，并通過(guò)打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導(dǎo)體閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。真空閘閥Global Foundries微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門(mén)系統(tǒng)。

微泰半導(dǎo)體閘閥的工作原理主要是通過(guò)閘板的升降來(lái)控制流體的通斷。當(dāng)閘板升起時(shí)，閘閥打開(kāi)，允許流體通過(guò)；當(dāng)閘板降下時(shí)，閘閥關(guān)閉，阻止流體通過(guò)。在具體工作中，它利用各種機(jī)構(gòu)和設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確的控制和可靠的密封，以滿足半導(dǎo)體設(shè)備中對(duì)工藝控制的要求。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護(hù)閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進(jìn)入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護(hù)閘閥：屏蔽1和2+保護(hù)環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進(jìn)電機(jī)閘閥和鋁閘閥，屏蔽門(mén)閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；三級(jí)預(yù)防閘閥，三重防護(hù)閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：25萬(wàn)次?包括屏蔽功能；步進(jìn)電機(jī)閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動(dòng)?維護(hù)前可用次數(shù)：10萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。金屬閥體襯里高壓閥門(mén)主要有襯膠閥門(mén)、襯氟閥門(mén)、襯鉛閥門(mén)、襯塑閥門(mén)、襯搪瓷閥門(mén)。

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。這節(jié)介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護(hù)套、加熱器插入式閥門(mén)。帶加熱器閘閥，加熱器插入閘閥：產(chǎn)品范圍：2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護(hù)前可用次數(shù)：20萬(wàn)次?響應(yīng)時(shí)間：0.2秒~3秒；客戶指定法蘭，加熱溫度：450℃；蝶形閥；蝶閥：產(chǎn)品范圍：DN40、DN50隔離?泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰痉墙饘俨牧细邏洪l閥有陶瓷閥門(mén)、玻璃閥門(mén)、塑料閥門(mén)。加熱閘閥SHIELD GATE VALVE

控制系統(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶指定的值，通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。蒸發(fā)閘閥UMC

微泰，大閘閥、大型閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸（內(nèi)徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門(mén)密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：可調(diào)節(jié)、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護(hù)前可用次數(shù)：10,000 ~ 100,000次、開(kāi)啟時(shí)壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。 蒸發(fā)閘閥UMC