X射線反射率測定引言X射線反射率（XRR：X-RayReflectivity）是一種表面表征技術(shù)，是利用X射線在不同物質(zhì)表面或界面的反射線之間的干涉現(xiàn)象分析薄膜或多層膜結(jié)構(gòu)的工具。通過分析XRR圖譜(圖1)可以確定各層薄膜的密度、膜厚、粗糙度等結(jié)構(gòu)參數(shù)。XRR的特點：1無損檢測2對樣品的結(jié)晶狀態(tài)沒有要求，不論是單晶膜、多晶膜還是非晶膜均可以進行測試3XRR適用于納米薄膜，要求厚度小于500nm4晶面膜，表面粗糙度一般不超過5nm5多層膜之間要求有密度差XRD可研究材料的結(jié)構(gòu)和物理特性，是 重要的材料研究工具之一。浙江布魯克XRD衍射儀推薦咨詢

藥用滑石粉中石棉的測定引言滑石粉主要成分是滑石（含水的硅酸鎂）?；塾糜卺t(yī)藥、食品行業(yè)的添加劑。在滑石成礦過程中，常伴生有其他礦石，如角閃石和蛇紋石等石棉成分。石棉為物質(zhì)。而根據(jù)中國藥典，藥用滑石粉中，石棉應(yīng)“不得檢出”。在2θ=10.5±0.1°處的XRD特征峰為角閃石特征峰，在2θ=12.1±0.1°和2θ=24.3±0.1°處的XRD特征峰為蛇紋石特征峰。無論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡單快捷、不出錯地對配置進行更改。這都是通過布魯克獨特的DAVINCI設(shè)計實現(xiàn)的：配置儀器時，免工具、免準(zhǔn)直，同時還受到自動化的實時組件識別與驗證的支持。不僅如此——布魯克提供基于NIST標(biāo)樣剛玉（SRM1976）的準(zhǔn)直保證。目前，在峰位、強度和分辨率方面，市面上尚無其他粉末衍射儀的精度超過D8ADVANCE。合肥x射線檢測分析D8D在金屬樣品檢測中，殘余奧氏體、殘余應(yīng)力和織構(gòu)檢測是其中小部分，目的在于確保產(chǎn)品完成復(fù)合用戶需求。

D2PHASER—數(shù)據(jù)質(zhì)量D2PHASER所具備的數(shù)據(jù)質(zhì)量和數(shù)據(jù)采集速度遠超目前人們對臺式XRD系統(tǒng)的認(rèn)知。得益于出色的分辨率、低角度和低背景，該儀器是從相識別、定量相分析到晶體結(jié)構(gòu)分析的所有粉末衍射應(yīng)用的理想解決方案。不僅如此——只有布魯克AXS才能在整個角度范圍內(nèi)，保證實現(xiàn)儀器對準(zhǔn)（精度等于或優(yōu)于±0.02°2θ）。加上遵循著嚴(yán)格的儀器驗證協(xié)議，它可為所有應(yīng)用提供準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。

當(dāng)石墨(002)衍射峰峰形對稱性很差時，如圖2，樣品中可能含有多種不同石墨化度的組分存在(當(dāng)然，也可能是由于非晶碳或無定形碳的存在。需要對衍射峰進行分峰處理，得到各個子峰的峰位和積分強度值，如圖2所示。分別計算各子峰的石墨化度，再利用各子峰的積分強度為權(quán)重，歸一化樣品的石墨化度。圖2石墨實驗（藍色數(shù)據(jù)點）及分峰擬合圖譜（紅色：擬合圖譜，兩綠色為單峰擬合結(jié)果）石墨及其復(fù)合材料具有高溫下不熔融、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能好以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異等特點，應(yīng)用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。使用D8D，您將能在原位循環(huán)條件下測試電池材料，直截了當(dāng)?shù)孬@取不斷變化的儲能材料和晶體結(jié)構(gòu)和相位信息。

薄膜和涂層分析采用的原理與XRPD相同，不過進一步提供了光束調(diào)節(jié)和角度控制功能。典型示例包括但不限于相鑒定、晶體質(zhì)量、殘余應(yīng)力、織構(gòu)分析、厚度測定以及組分與應(yīng)變分析。在對薄膜和涂層進行分析時，著重對厚度在nm和μm之間的層狀材料進行特性分析（從非晶和多晶涂層到外延生長薄膜）。D8ADVANCE和DIFFRAC.SUITE軟件可進行以下高質(zhì)量的薄膜分析：掠入射衍射X射線反射法高分辨率X射線衍射倒易空間掃描由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。在DIFFRAC.LEPTOS中，進行晶片分析：分析晶片的層厚度和外延層濃度的均勻性。合肥織構(gòu)檢測分析

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