對(duì)分布函數(shù)（PDF）分析是一種分析技術(shù)，它基于Bragg以及漫散射（“總散射”），提供無(wú)序材料的結(jié)構(gòu)信息。其中，您可以通過(guò)Bragg衍射峰，了解材料的平均晶體結(jié)構(gòu)的信息（即長(zhǎng)程有序），通過(guò)漫散射，表征其局部結(jié)構(gòu)（即短程有序）。就分析速度、數(shù)據(jù)質(zhì)量以及對(duì)非晶、弱晶型、納米晶或納米結(jié)構(gòu)材料的分析結(jié)果而言，D8ADVANCE和TOPAS軟件市面上性能好的PDF分析解決方案：相鑒定結(jié)構(gòu)測(cè)定和精修納米粒度和形狀。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無(wú)論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡(jiǎn)單快捷、不出錯(cuò)地對(duì)配置進(jìn)行更改。這都是通過(guò)布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時(shí)，免工具、免準(zhǔn)直，同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識(shí)別與驗(yàn)證的支持。殘余應(yīng)力分析、織構(gòu)和極圖、微區(qū)X射線衍射、廣角X射線散射（WAXS）。浙江原位分析XRD衍射儀配件

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殘余應(yīng)力分析：：在DIFFRAC.LEPTOS中，使用sin2psi法，用Cr輻射進(jìn)行測(cè)量，對(duì)鋼構(gòu)件的殘余應(yīng)力進(jìn)行分析。使用了2D檢測(cè)器的μXRD：使用DIFFRAC.EVA,測(cè)定小區(qū)域結(jié)構(gòu)特性。通過(guò)積分2D圖像，進(jìn)行1D掃描，來(lái)進(jìn)行定性相分析和微觀結(jié)構(gòu)分析。定性相分析：候選材料鑒別（PMI）為常見(jiàn)，這是因?yàn)槠鋵?duì)原子結(jié)構(gòu)十分靈敏，而這無(wú)法通過(guò)元素分析技術(shù)實(shí)現(xiàn)。高通量篩選（HTS）:在DIFFRAC.EVA中，進(jìn)行半定量分析，以現(xiàn)實(shí)孔板上不同相的濃度。非環(huán)境XRD：在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測(cè)量同步，然后可以在DIFFRAC.EVR中顯示結(jié)果。小角X射線散射（SAXS）：在DIFFRAC.SAXS中，對(duì)EIGER2R500K通過(guò)2D模式手機(jī)的NISTSRM80119nm金納米顆粒進(jìn)行粒度分析。

對(duì)于需要探索材料極限的工業(yè)金屬樣品，通常需要進(jìn)行殘余應(yīng)力和織構(gòu)測(cè)量。通過(guò)消除樣品表面的拉應(yīng)力或引起壓應(yīng)力，可延長(zhǎng)其功能壽命。這可通過(guò)熱處理或噴丸處理等物理工藝來(lái)完成。構(gòu)成塊狀樣品的微晶的取向，決定了裂紋的生長(zhǎng)方式。而通過(guò)在材料中形成特定的織構(gòu)，可顯著增強(qiáng)其特性。這兩種技術(shù)在優(yōu)化制造法（例如增材制造）領(lǐng)域也占有一席之地。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。在DIFFRAC.LEPTOS中，對(duì)多層樣品進(jìn)行XRR分析，測(cè)定其薄膜厚度、晶格失配和混合晶體濃度。

薄膜和涂層分析采用的原理與XRPD相同，不過(guò)進(jìn)一步提供了光束調(diào)節(jié)和角度控制功能。典型示例包括但不限于相鑒定、晶體質(zhì)量、殘余應(yīng)力、織構(gòu)分析、厚度測(cè)定以及組分與應(yīng)變分析。在對(duì)薄膜和涂層進(jìn)行分析時(shí)，著重對(duì)厚度在nm和μm之間的層狀材料進(jìn)行特性分析（從非晶和多晶涂層到外延生長(zhǎng)薄膜）。D8ADVANCE和DIFFRAC.SUITE軟件可進(jìn)行以下高質(zhì)量的薄膜分析：掠入射衍射X射線反射法高分辨率X射線衍射倒易空間掃描由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。UMCy樣品臺(tái)在樣品重量和大小方面具有獨(dú)特的承載能力。湖南購(gòu)買XRD衍射儀哪里好

在DIFFRAC.LEPTOS中，進(jìn)行晶片分析：分析晶片的層厚度和外延層濃度的均勻性。浙江原位分析XRD衍射儀配件

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