薄膜和涂層分析采用的原理與XRPD相同，不過進(jìn)一步提供了光束調(diào)節(jié)和角度控制功能。典型示例包括但不限于相鑒定、晶體質(zhì)量、殘余應(yīng)力、織構(gòu)分析、厚度測定以及組分與應(yīng)變分析。在對薄膜和涂層進(jìn)行分析時，著重對厚度在nm和μm之間的層狀材料進(jìn)行特性分析（從非晶和多晶涂層到外延生長薄膜）。D8ADVANCE和DIFFRAC.SUITE軟件可進(jìn)行以下高質(zhì)量的薄膜分析：掠入射衍射X射線反射法高分辨率X射線衍射倒易空間掃描。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進(jìn)行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡單快捷、不出錯地對配置進(jìn)行更改。這都是通過布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時，免工具、免準(zhǔn)直，同時還受到自動化的實(shí)時組件識別與驗(yàn)證的支持。D8 DISCOVER系列包括DISCOVER和DISCOVER Plus版本，可通過使用的是標(biāo)準(zhǔn)D8測角儀還是ATLAS測角儀進(jìn)行區(qū)分。江西物相定量分析XRD衍射儀配件

淀粉結(jié)晶度測定引言淀粉結(jié)晶度是表征淀粉顆粒結(jié)晶性質(zhì)的一個重要參數(shù)，也是表征淀粉材料類產(chǎn)品性質(zhì)的重要參數(shù)，其大小直接影響著淀粉產(chǎn)品的應(yīng)用性能、淀粉材料的物理和機(jī)械性能。X射線衍射法（XRD)加全譜擬合法測定淀粉顆粒結(jié)晶度常用的方法之一。結(jié)晶度對于含有非晶態(tài)的聚合物，其散射信號來源于兩部分：晶態(tài)的衍射峰和非晶態(tài)漫散峰。那么結(jié)晶度DOC則定義為晶態(tài)衍射峰面積與總散射信號面積的比值。采用了開放式設(shè)計并具有不受約束的模塊化特性的同時，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設(shè)計湖北布魯克XRD衍射儀推薦咨詢在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測量同不，然后可以在DIFFRAC.EVA中顯示結(jié)果。

汽車和航空航天：配備了UMC樣品臺的D8D的一大優(yōu)勢就是可以對大型機(jī)械零件進(jìn)行殘余應(yīng)力和結(jié)構(gòu)分析以及殘余奧氏體或高溫合金表征。半導(dǎo)體與微電子：從過程開發(fā)到質(zhì)量控制，D8D可以對亞毫米至300mm大小的樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。制藥業(yè)篩選：新結(jié)構(gòu)測定以及多晶篩選是藥物開發(fā)的關(guān)鍵步驟，對此，D8D具有高通量篩選功能。儲能/電池：使用D8D,您將能在原位循環(huán)條件下測試電池材料，直接了當(dāng)?shù)墨@取不斷變化的儲能材料的晶體結(jié)構(gòu)和相組方面的信息。

材料研究樣品臺緊湊型UMC和緊湊型尤拉環(huán)plus樣品臺能夠精確地移動樣品，因此擴(kuò)展了D8ADVANCEPlus的樣品處理能力。緊湊型UMC樣品臺可對2Kg的樣品進(jìn)行電動移動：X軸25mm、Y軸70mm和Z軸52mm，可用于分析大型塊狀樣品或多個小樣品；緊湊型尤拉環(huán)plus樣品臺的Phi旋轉(zhuǎn)角度不受限制，Psi傾斜度在-5°到95°之間，可用于應(yīng)力、織構(gòu)和外延薄膜分析。另外，它還具有真空多用途通孔，可通過小型薄膜樣品架或大型手動X-Y樣品臺，將樣品固定在適當(dāng)位置。二者均可用于溫控樣品臺，進(jìn)行非環(huán)境分析。另外，它們還可借助DIFFRAC.DAVINCI樣品臺卡口安裝系統(tǒng)，輕松更換樣品臺。在DIFFRAC.LEPTOS中，對多層樣品的薄膜厚度、界面粗糙度和密度進(jìn)行XRR分析。

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個納米到幾個微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測試，X射線的穿透深度一般在幾個微米到幾十個微米，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度，導(dǎo)致薄膜的信號會受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無法利用整個樣品的體積，衍射信號弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點(diǎn)說明：GID需要硬件配置；常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜?？稍跀?shù)秒內(nèi)，輕松從先焦點(diǎn)切換到點(diǎn)焦點(diǎn)，從而擴(kuò)大應(yīng)用范圍，同事縮短重新匹配的時間。江西購買XRD衍射儀

在DIFFRAC.LEPTOS中，對多層樣品進(jìn)行XRR分析，測定其薄膜厚度、晶格失配和混合晶體濃度。江西物相定量分析XRD衍射儀配件

那么,碳晶體的晶胞參數(shù)可直接用來表征其石墨化度。XRD法利用石墨的晶格常數(shù)計算石墨化度G[1]：式中：0.3440為完全非石墨化炭的(002)晶面間距，nm；0.3354為理想石墨晶體的(002)晶面間距，nm。為實(shí)際石墨試樣（002）晶面間距，nm。實(shí)例不同石墨的石墨化度為了準(zhǔn)確的確定值或(002)峰的峰位，需要在樣品中加入內(nèi)標(biāo)以校準(zhǔn)。本文根據(jù)QJ2507-93[2]規(guī)范，用硅作為內(nèi)標(biāo)物，加入待測石墨樣品中，在瑪瑙研缽中混合研磨均勻。石墨及其復(fù)合材料具有高溫下不熔融、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能好以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異等特點(diǎn)，應(yīng)用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進(jìn)一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。江西物相定量分析XRD衍射儀配件