MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度很強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時(shí)進(jìn)行多片基片的處理，壓力一般控制在。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時(shí)所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反應(yīng)面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的溫度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高溫下反應(yīng)生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有臺(tái)階側(cè)面部被覆性能好的優(yōu)點(diǎn)。前者，在淀積的同時(shí)導(dǎo)入PH3氣體，就形成磷硅玻璃（PSG：phosphorsilicateglass）再導(dǎo)入B2H6氣體就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。這兩種薄膜材料，高溫下的流動(dòng)性好，***用來作為表面平坦性好的層間絕緣膜。在半圓形熱片2的自由端是分別接著電源的左電極和右電極。PA4025-WP加熱板說明書

    設(shè)計(jì)不同的熱流密度；防止工質(zhì)進(jìn)入過渡沸騰區(qū)，從而導(dǎo)致傳熱惡化，壁溫過熱。由于采用豎管加熱，筒體上部的含汽率遠(yuǎn)高于下部，筒體上部容易產(chǎn)生傳熱惡化，所以必須減少筒體上部的熱流密度，故此在水冷線圈7設(shè)計(jì)時(shí)采用下密上稀的結(jié)構(gòu)，確保在同樣長度內(nèi)，底部的線圈匝數(shù)多，熱流密度大；頂部的線圈匝數(shù)少，熱流密度小。這樣通過分區(qū)段計(jì)算，從理論上上降低了筒體壁溫高的可能性，**提高了設(shè)備的安全性和使用壽命。圖4為本發(fā)明實(shí)施例用于蒸汽爐加熱的汽水流程示意圖。其中鍋筒下方通過下降管連接水平連通管，水平連通管分別與汽水引進(jìn)管5和輔助加熱水套汽水引入管6相連，鍋筒中的飽和水從下降管，經(jīng)底部聯(lián)通管分別流向中心加熱筒體2和外側(cè)輔助加熱水套，在中心加熱筒體2和外側(cè)輔助加熱水套內(nèi)通過電磁感應(yīng)加熱后，變成汽水混合物，通過頂部匯總，流經(jīng)汽水引出管進(jìn)入鍋筒，一部分蒸汽經(jīng)分離后，從鍋筒頂部引出，完成一個(gè)汽水循環(huán)。當(dāng)設(shè)計(jì)大噸位鍋爐時(shí)，可以用多個(gè)加熱單元組裝設(shè)計(jì)，由于采用外側(cè)水套屏蔽了電磁感應(yīng)場向周邊擴(kuò)散，所以每個(gè)單元之間的距離沒有要求，可以緊挨著；只需考慮未封閉端距離周邊至少500mm以上的距離即可。實(shí)際未封閉端均是向下布置。MSA FACTORYPH200-40-PCC10A加熱板經(jīng)銷固定到環(huán)形或圓形的熱環(huán)5的加熱片不僅可以安定加熱片的間距。

    本實(shí)用新型涉及等離子體cvd晶圓加熱器的領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體cvd晶圓加熱器用表面修磨裝置。背景技術(shù)：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷飛速發(fā)展,單個(gè)芯片上所承載的晶體管數(shù)量以驚人的速度增長,與此同時(shí),半導(dǎo)體制造商們出于節(jié)約成本的需要迫切地希望單個(gè)晶圓上能夠容納更多的芯片,這要求更加精細(xì)的制造工藝.一種常用的工藝是等離子體化學(xué)汽相淀積(pecvd).化學(xué)汽相淀積(pecvd)一般用來在半導(dǎo)體晶圓襯底上淀積薄膜,氣體起反應(yīng)在晶圓加熱器表面形成一層材料；等離子體cvd晶圓加熱器是半導(dǎo)體芯片加工的關(guān)鍵設(shè)備，起承載吸附晶圓及提供加熱的作用,隨著使用次數(shù)增加,晶圓在工藝過程中和等離子體cvd晶圓加熱器表面接觸,高溫狀態(tài)晶圓加熱表面的鋁材會(huì)被晶圓不停磨損,導(dǎo)致晶圓加熱器表面平整度及吸附區(qū)域尺寸變差,吸附力下降,導(dǎo)致工藝無法正常完成,工藝結(jié)果變差。因此就需要將等離子體cvd晶圓加熱器表面進(jìn)行修復(fù),保證表面的平整度和吸附區(qū)域尺寸,保證工藝正常進(jìn)行；現(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方法是使用數(shù)控機(jī)床或手工進(jìn)行修復(fù),但是存在材料去除量較大，數(shù)控機(jī)床一次去除量為，導(dǎo)致晶圓加熱器的可修磨次數(shù)少，使用成本高；另外晶圓加熱器表面溝槽多、材料太軟，導(dǎo)致不好控制表面平整度。

加熱板攪拌器加熱攪拌器加熱板&攪拌器附件出色的性能與智能技術(shù)令人印象深刻的高性能、高安全性和操作簡便性，使您能夠輕松找到符合您實(shí)驗(yàn)室要求的加熱設(shè)備。我們的加熱板、攪拌器、加熱攪拌器以及相關(guān)附件可以完全滿足任何實(shí)驗(yàn)室需求。廣受歡迎的加熱板和攪拌器加熱板系列加熱攪拌器系列RT2高級(jí)加熱攪拌器實(shí)驗(yàn)室加熱板和攪拌器專題目錄實(shí)驗(yàn)室加熱板我們均勻加熱的加熱板能夠提供多種獲得可重現(xiàn)結(jié)果的能力，包括溫度穩(wěn)定性、耐用性以及遠(yuǎn)程控制訪問的能力，以實(shí)現(xiàn)安全性和便捷性。攪拌器我們的攪拌器產(chǎn)品組合在大多數(shù)應(yīng)用中可達(dá)到2400rpm的轉(zhuǎn)速，且在嚴(yán)苛的細(xì)胞培養(yǎng)應(yīng)用中保證可靠性、安全性和運(yùn)行性能，將根據(jù)您的全部實(shí)驗(yàn)室需求為您提供解決方案。加熱攪拌器從基本的攪拌設(shè)計(jì)到適合危險(xiǎn)應(yīng)用的防爆型加熱攪拌器，我們的加熱攪拌器可以提供精細(xì)的控制和可重復(fù)性，滿足您的各種應(yīng)用需求。加熱板與攪拌器附件我們的攪拌器控制設(shè)備和附件能夠補(bǔ)充您的加熱板和攪拌器，幫助確保您獲得正確裝備以快速設(shè)置好您的攪拌器。可靠的精度和控制系列加熱板、攪拌器以及加熱攪拌器可實(shí)現(xiàn)出色的結(jié)果準(zhǔn)確性和重現(xiàn)性。當(dāng)物件溫度距目標(biāo)溫度80120°C時(shí)，改為動(dòng)態(tài)功率加熱。

    本發(fā)明半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓加熱器。背景技術(shù)：現(xiàn)有的晶圓加熱設(shè)備，加熱絲呈螺旋狀從中心向**旋轉(zhuǎn)，加熱絲在熱盤中的分布不夠均勻，無法達(dá)到均勻加熱的目的，無法滿足晶圓的高精度加熱，而高精度加熱對半導(dǎo)體的工藝至關(guān)重要。如中國發(fā)明專利cna所公開的一種能夠提高照射效率的加熱器。實(shí)施方式所涉及的加熱器具備發(fā)光管、發(fā)熱體及反射膜。發(fā)光管呈筒狀，且所述發(fā)光管透光。發(fā)熱體設(shè)置在發(fā)光管的內(nèi)部，且發(fā)熱體以碳作為主要成分。反射膜設(shè)置在發(fā)光管的外周面，并對光進(jìn)行反射。上述現(xiàn)有技術(shù)的晶圓加熱器無法恒溫的均勻加熱。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：一、要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述問題，特提供一種晶圓加熱器，解決現(xiàn)有加熱器無法恒溫的均勻加熱的問題。二、技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓加熱器，包括：加熱盤、底板和若干墊柱；加熱盤上設(shè)有七個(gè)加熱區(qū)域，分別為***加熱區(qū)域、第二加熱區(qū)域、第三加熱區(qū)域、第四加熱區(qū)域、第五加熱區(qū)域、第六加熱區(qū)域和第七加熱區(qū)域；***加熱區(qū)域設(shè)置于中心區(qū)域，第二加熱區(qū)域和第三加熱區(qū)域設(shè)置于***加熱區(qū)域外圓周。將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。PA8005-PCC10A加熱板國內(nèi)總代理

傳統(tǒng)加熱板留置區(qū)分配不合理引致加熱不平衡，也易于引致局部變形等疑問。PA4025-WP加熱板說明書

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術(shù)：隨著科技進(jìn)步，晶片的加工工藝越來越復(fù)雜，要求在單位晶圓面積內(nèi)制作的器件更多，致使晶圓內(nèi)線路的寬度變得更窄，晶圓在熱盤上加熱時(shí)，對熱盤溫度的均勻性要求更高。晶圓加熱中使用的熱盤都是由上盤和壓片中夾一塊加熱片，或是在上盤中埋入幾個(gè)加熱管構(gòu)成，通過一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)控制器控制熱盤的溫度。使得熱盤表面溫度并不均勻，不能滿足高精度晶圓的加工需求。再如中國實(shí)用新型u所公開的一種電控晶圓加熱盤，包括硅橡膠電熱圈、熱導(dǎo)金屬板、晶圓托盤、電子顯示盒和屏蔽罩。所述硅橡膠電熱圈與熱導(dǎo)金屬板連接；所述熱導(dǎo)金屬板與電子顯示盒連接；所述晶圓托盤放置在熱導(dǎo)金屬板上方，并與電子顯示盒相連；所述的屏蔽罩與電子顯示盒相連，該實(shí)用新型只使用一個(gè)電熱圈，會(huì)出現(xiàn)加熱不均勻的情況。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：一、要解決的技術(shù)問題針對現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述缺陷，現(xiàn)有的晶圓加熱方法存在的均勻性不佳的問題。二、技術(shù)方案為解決上述問題，特提供一種晶圓加熱裝置，晶圓加熱裝置包括控制模塊和多分區(qū)熱盤，多分區(qū)熱盤包括***分區(qū)和第二分區(qū)；***分區(qū)包括***加熱模塊和***溫度檢測模塊。PA4025-WP加熱板說明書

上海九展自動(dòng)化技術(shù)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在上海市等地區(qū)的機(jī)械及行業(yè)設(shè)備中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，上海九展自動(dòng)化供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！