本發(fā)明具如下有益于效用：通過(guò)將軸對(duì)稱改成中心對(duì)稱、將ω形狀的加熱板中心改成單獨(dú)分體或封閉環(huán)形的構(gòu)造，以及合理配置留置區(qū)和電壓位置的安裝，化解了傳統(tǒng)加熱板的構(gòu)造的缺點(diǎn)，提高了采用的穩(wěn)定性，增加了加熱板的壽命。附圖說(shuō)明圖1為傳統(tǒng)加熱片的構(gòu)造示意圖；圖2為傳統(tǒng)加熱片的一種損壞方法；圖3為傳統(tǒng)加熱片的另一個(gè)損壞方法；圖4為本發(fā)明的一種加熱板構(gòu)造；圖5為本發(fā)明的另一種加熱板構(gòu)造。圖中，o中心點(diǎn)、1熱弧板、2半圓形熱片、21拐點(diǎn)、22空隙、3左電極、4右電極、5熱環(huán)、6***加熱片、60***熱弧片、61***迂回端、7第二加熱片、70第二熱弧片、71第二迂回端、8留置區(qū)、91***電極、92第二電極。實(shí)際實(shí)施方法下面結(jié)合附圖和實(shí)際實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步詳盡解釋。為了化解現(xiàn)有技術(shù)存在的三個(gè)技術(shù)疑問，本發(fā)明提供一種加熱板，包括，數(shù)目為偶數(shù)的若干組加熱片。在實(shí)際使用中，偶數(shù)組加熱片需將加熱片分為兩組，每組并聯(lián)著分別聯(lián)接到電源的兩極。一般，還可以將加熱片的數(shù)目設(shè)成4組或6組等，雖然分組越多，越易于致使加熱的不平穩(wěn)，但是對(duì)于需加熱的較大面積，可以通過(guò)多組加熱片實(shí)現(xiàn)延長(zhǎng)加熱片的壽命。所有加熱片均為中心對(duì)稱布置。采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。江蘇PA8005-CC-PCC20A加熱板

    晶圓放置在墊柱3上，使晶圓與加熱盤1之間形成間隙，防止晶圓與加熱盤1直接接觸從而損壞晶圓，。加熱盤1上還設(shè)有限位柱4，限位柱4的數(shù)量為6個(gè)，晶圓放置在6個(gè)限位柱之間，這方每次加熱晶圓時(shí)，晶圓都能放置在加熱盤1的固定位置。底板2上設(shè)置有溫度傳感器5，溫度傳感器5用于檢測(cè)底板2上溫度值。底板2上設(shè)置有過(guò)溫保護(hù)器6，當(dāng)溫度過(guò)高使，對(duì)加熱器及時(shí)斷電，防止加熱器損壞。實(shí)施例二、加熱器在工作過(guò)程中溫度較高，這樣加熱器的周圍的溫度也會(huì)較高，很容易燙傷工作人員，因此在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，曾設(shè)了隔熱環(huán)7，隔熱環(huán)7套設(shè)在加熱器**，起到了對(duì)周圍隔熱的作用，同時(shí)也減少了加熱器熱量的散發(fā)，同時(shí)也保證的工作人員與底板2或加熱盤的直接接觸，有效的避免了。以上*是本發(fā)明的推薦實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。天津PH132-PCC10A加熱板晶圓放置在墊柱3上，使晶圓與加熱盤1之間形成間隙。

    本實(shí)用新型涉及等離子體cvd晶圓加熱器的領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體cvd晶圓加熱器用表面修磨裝置。背景技術(shù)：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷飛速發(fā)展,單個(gè)芯片上所承載的晶體管數(shù)量以驚人的速度增長(zhǎng),與此同時(shí),半導(dǎo)體制造商們出于節(jié)約成本的需要迫切地希望單個(gè)晶圓上能夠容納更多的芯片,這要求更加精細(xì)的制造工藝.一種常用的工藝是等離子體化學(xué)汽相淀積(pecvd).化學(xué)汽相淀積(pecvd)一般用來(lái)在半導(dǎo)體晶圓襯底上淀積薄膜,氣體起反應(yīng)在晶圓加熱器表面形成一層材料；等離子體cvd晶圓加熱器是半導(dǎo)體芯片加工的關(guān)鍵設(shè)備，起承載吸附晶圓及提供加熱的作用,隨著使用次數(shù)增加,晶圓在工藝過(guò)程中和等離子體cvd晶圓加熱器表面接觸,高溫狀態(tài)晶圓加熱表面的鋁材會(huì)被晶圓不停磨損,導(dǎo)致晶圓加熱器表面平整度及吸附區(qū)域尺寸變差,吸附力下降,導(dǎo)致工藝無(wú)法正常完成,工藝結(jié)果變差。因此就需要將等離子體cvd晶圓加熱器表面進(jìn)行修復(fù),保證表面的平整度和吸附區(qū)域尺寸,保證工藝正常進(jìn)行；現(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方法是使用數(shù)控機(jī)床或手工進(jìn)行修復(fù),但是存在材料去除量較大，數(shù)控機(jī)床一次去除量為，導(dǎo)致晶圓加熱器的可修磨次數(shù)少，使用成本高；另外晶圓加熱器表面溝槽多、材料太軟，導(dǎo)致不好控制表面平整度。

    晶圓熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來(lái)進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，把具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來(lái)控制。所謂光刻膠，是對(duì)光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時(shí)具有耐腐蝕性的材料。一般說(shuō)來(lái)，正型膠的分辨率高，而負(fù)型膠具有感光度以及和下層的粘接性能好等特點(diǎn)。光刻工藝精細(xì)圖形(分辨率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來(lái)決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光系統(tǒng)。晶圓晶圓的背面研磨工藝晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝。輔助加熱水套與中心加熱筒2連通的一端用于輔助加熱，封閉端用于線圈7的安裝檢修。

    格芯***宣布其先進(jìn)的硅鍺(SiGe)產(chǎn)品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺(tái)的原型設(shè)計(jì)。這表明300mm生產(chǎn)線將形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)，進(jìn)而促進(jìn)數(shù)據(jù)中心和高速有線/無(wú)線應(yīng)用的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。借助格芯的300mm專業(yè)生產(chǎn)技術(shù)，客戶可以充分提高光纖網(wǎng)絡(luò)、5G毫米波無(wú)線通信和汽車?yán)走_(dá)等高速應(yīng)用產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和再現(xiàn)性能。格芯是高性能硅鍺解決方案的行業(yè)***，在佛蒙特州伯靈頓工廠用200mm生產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。將9Hp(一種90nm硅鍺工藝)遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab10工廠實(shí)現(xiàn)300mm晶圓生產(chǎn)技術(shù)，將會(huì)保持這一行業(yè)**地位,并奠定300mm晶圓工藝基礎(chǔ)，有助于進(jìn)一步發(fā)展產(chǎn)品線，確保工藝性能持續(xù)增強(qiáng)和微縮。「高帶寬通信系統(tǒng)日益復(fù)雜，性能需求也隨之水漲船高，這些都需要更高性能的芯片解決方案，」格芯的RF業(yè)務(wù)部副總裁ChristineDunbar表示?！父裥镜?HP旨在提供出色的性能，其300mm生產(chǎn)工藝將能夠滿足客戶的高速有線和無(wú)線組件需求，助力未來(lái)的數(shù)據(jù)通信發(fā)展?！垢裥镜?HP延續(xù)了成熟的高性能硅鍺BiCMOS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，支持微波和毫米波頻率應(yīng)用高數(shù)據(jù)速率的大幅增長(zhǎng)，適用于下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施，如TB級(jí)光纖網(wǎng)絡(luò)、5G毫米波和衛(wèi)星通信(SATCOM)以及儀器儀表和防御系統(tǒng)。防止工質(zhì)進(jìn)入過(guò)渡沸騰區(qū)，從而導(dǎo)致傳熱惡化，壁溫過(guò)熱。PA2020-FC-PCC20A加熱板總代理

或者層疊多個(gè)桶并在每個(gè)桶內(nèi)設(shè)置多個(gè)加熱器。江蘇PA8005-CC-PCC20A加熱板

    同時(shí)，氮化鋁耐熔融狀態(tài)下金屬的侵蝕，幾乎不受酸的穩(wěn)定。因氮化鋁表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜，人們利用此特性，將它用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。也因?yàn)榈X陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹陶瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。氮化鋁的化學(xué)式為AlN，化學(xué)組成AI約占，N約占。它的粉體為一般是白色或灰白色，單晶狀態(tài)下則是無(wú)色透明的，常壓下的升華分解溫度達(dá)到2450℃。氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱率在170~210W/()之間，而單晶體更可高達(dá)275W/()以上。熱導(dǎo)率高(＞170W/m·K)，接近BeO和SiC；熱膨脹系數(shù)(×10-6℃)與Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；可采用流延工藝制作。氮化鋁陶瓷作為一種硬脆材料，燒結(jié)后的氮化鋁陶瓷加工起來(lái)十分的困難，它的各種性質(zhì)優(yōu)異于其他的陶瓷材料也意味著它的加工難度比其他陶瓷高，并且氮化鋁陶瓷加工還有一個(gè)致命難點(diǎn)，它脆性大，十分容易白邊。在此情況下，用氮化鋁制作陶瓷加熱盤也變得分外艱難。8英寸的氮化鋁陶瓷加熱盤約莫是315mm直徑、19mm厚度的圓盤。 江蘇PA8005-CC-PCC20A加熱板

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