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福建MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化

來源: 發(fā)布時間:2024-03-12

MEMS超表面對光電特性的調(diào)控:

1.超表面meta-surface對相位的調(diào)控:相位是電磁波的一個重要屬性,等相位面決定了電磁波的傳播方向,一副圖像的相位則包含了其立體信息。通過控制電磁波的相位,可以實現(xiàn)光束偏轉(zhuǎn)、超透鏡、超全息、渦旋光產(chǎn)生、編碼、隱身、幻像等功能。

2.超表面meta-surface對電磁波多個自由度的聯(lián)合調(diào)控:超表面可以實現(xiàn)對電磁波相位、振幅、偏振等自由度的同時調(diào)控。比如,通過對電磁波的相位和振幅的聯(lián)合調(diào)控,可以實現(xiàn)立體超全息,通過對電磁波的相位和偏振的聯(lián)合調(diào)控,可以實現(xiàn)矢量渦旋光;通過對電磁波的相位和頻率的聯(lián)合調(diào)控,可以實現(xiàn)非線性超透鏡等功能。

3.超表面meta-surface對波導(dǎo)模式的調(diào)控:可將“超構(gòu)光學(xué)”的概念與各類光波導(dǎo)平臺相結(jié)合,將超構(gòu)表面或超構(gòu)材料集成在各類光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上,則可以在亞波長尺度下對波導(dǎo)中的光信號進行靈活自由的調(diào)控。利用上表面集成了超構(gòu)表面的介質(zhì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),可以實現(xiàn)多功能的光耦合、光探測、偏振/波長解復(fù)用、結(jié)構(gòu)光激發(fā)、波導(dǎo)模式轉(zhuǎn)化、片上光信號變換、光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、光路由等應(yīng)用 。 MEMS傳感器基本構(gòu)成是什么?福建MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化

福建MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化,MEMS微納米加工

MEMS技術(shù)的主要分類:光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合,即綜合微電子、微機械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù),開發(fā)新型光器件,稱為微光機電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動和控制等特點。有什么MEMS微納米加工技術(shù)指導(dǎo)MEMS微納米加工的未來發(fā)展是什么?

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MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝:硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應(yīng)氣體生成反應(yīng)活性高的離子和電子,對硅片進行物理轟擊及化學(xué)反應(yīng),以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質(zhì)變成揮發(fā)性的氣體,經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離,然后按照設(shè)計圖形要求刻蝕出我們需要實現(xiàn)的深度。干法刻蝕可以實現(xiàn)各向異性,垂直方向的刻蝕速率遠大于側(cè)向的。其原理如圖所示,生成CF基的聚合物以進行側(cè)壁掩護,以實現(xiàn)各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學(xué)反應(yīng)性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電,將氣體解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質(zhì)原子擊出(各向異性)。對于化學(xué)反應(yīng)性刻蝕則是產(chǎn)生化學(xué)活性極強的原(分)子團,此原(分)子團擴散至待刻蝕物質(zhì)的表面,并與待刻蝕物質(zhì)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的反應(yīng)生成物(各向同性),并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點:

3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復(fù)性,易于大量生產(chǎn),而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時,聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。

4.聲表面波器件的抗輻射能力強,動態(tài)范圍很大,可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程

此外,在很多情況下,聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器,在UHF頻段內(nèi)可以作成Q 值超過五萬的諧振腔,以及可以作成帶外抑制達70dB 、頻率達1 低Hz 的帶通濾波器 MEMS傳感器行業(yè)為國內(nèi)企業(yè)追趕提供了契機。

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智能手機迎5G換機潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動智能手機市場恢復(fù)增長:今年10月份國內(nèi)5G手機出貨量占比已達64%;智能手機整體出貨量方面,在5G的帶動下,根據(jù)IDC今年的預(yù)測,2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%,2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面,單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升,以iPhone為例,2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,手機智能化程度不斷升,功能不斷豐富,指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風(fēng)組合、深度感知(LiDAR)等功能的加入,使得傳感器數(shù)量(包含非MEMS傳感器)由當(dāng)初的5個增加為原來的4倍至20個以上;5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。MEMS的光學(xué)超表面是什么?寧夏高科技MEMS微納米加工

MEMS優(yōu)勢很大,應(yīng)用場景十分豐富。福建MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化

MEMS制作工藝-太赫茲特性:

1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動的電偶極子振蕩產(chǎn)生,或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生,因此有很好的相干性。THz的相干測量技術(shù)能夠直接測量電場振幅和相位,從而方便提取檢測樣品的折射率,吸收系數(shù)等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級,遠小于X射線的10^3量級,不易破壞被檢測的物質(zhì),適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質(zhì),如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強的穿透能力,在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用

4.吸收性:大多數(shù)極性分子對THz有強烈的吸收作用,可以用來進行醫(yī)療診斷與產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控

5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波,THz典型脈寬在皮秒量級,通過光電取樣測量技術(shù),能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾,在小于3THz時信噪比達10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩,!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍,便于在大的范圍內(nèi)分析物質(zhì)的光譜信息。 福建MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化