介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c。在一些實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)堆疊的ild層。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個(gè)連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元b,。在一些實(shí)施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲(chǔ)器陣列的一列內(nèi)的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件。例如，位線bl連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過(guò)包括多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c并且不延伸穿過(guò)襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對(duì)工作mtj器件的訪問(wèn)的存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中。從進(jìn)口情況來(lái)看，集成電路行業(yè)已成為我國(guó)進(jìn)口依賴程度較高的行業(yè)之一。長(zhǎng)沙通用集成電路價(jià)格

    在互連層a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔。多個(gè)底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過(guò)在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔上方形成多個(gè)mtj器件、和。多個(gè)mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實(shí)施例中。自由層可以形成為接觸底電極通孔。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件和，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件、和。例如，在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)在介電層和多個(gè)底電極通孔上方沉積磁固定膜。在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來(lái)形成多個(gè)mtj器件、和。南京雙極型集成電路公司未來(lái)的人工智能、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、5G等行業(yè)都可以為集成電路行業(yè)提供新的發(fā)展空間。

    圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間，位線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線bl至bl，并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號(hào)使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進(jìn)存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元之間的隔離。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些額外實(shí)施例的截面圖。

    國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖示出依據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖示出依據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實(shí)現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。下面結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案描述如下。圖示出依據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，包括上基板、元件及下基板。上基板上的上層金屬層、下層金屬層以及下層金屬層上的聯(lián)結(jié)pad6、、。未來(lái)，隨著國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持等宏觀政策貫徹落實(shí)，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將逐步發(fā)展壯大。

    在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過(guò)不延伸穿過(guò)襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線和字線之間。在其它實(shí)施例中，涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的互連層，互連層通過(guò)介電結(jié)構(gòu)與襯底分隔開；以及調(diào)節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過(guò)包括多個(gè)互連層并且不延伸穿過(guò)襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實(shí)施例中，集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，調(diào)節(jié)mtj器件具有通過(guò)介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，互連層從工作mtj器件正下方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正下方。在一些實(shí)施例中，集成電路還包括連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線和字線連接至字線解碼器。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)mtj器件與調(diào)節(jié)mtj器件具有不同的尺寸。在一些實(shí)施例中。集成電路還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器并且位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中。集成電路是20世紀(jì)50年代后期到60年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件；東莞中規(guī)模集成電路排名

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    印刷電路板702一般是雙側(cè)的，集成電路704安裝在兩側(cè)上。熱接口材料706的層熱耦聯(lián)至集成電路704。一種常見(jiàn)的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他熱接口材料。在所描繪的實(shí)施例中，由通過(guò)外部鉸鏈720連接的一對(duì)側(cè)板708a、708b組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料706a、706b的層物理接觸，并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料706a、706b。側(cè)板708a、708b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料形成側(cè)板708a、708b。能夠移除的一個(gè)或多個(gè)彈性?shī)A710a、710b可定位于側(cè)板708周圍，以將側(cè)板708壓靠在熱接口材料706上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖8b示出了分解圖，而圖8a示出了裝配圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件800包括印刷電路板802，在印刷電路板802上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地在804處示出)。印刷電路板802一般是雙側(cè)的，集成電路804安裝在兩側(cè)上。熱接口材料806的層熱耦聯(lián)至集成電路804。一種常見(jiàn)的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料。在所描繪的實(shí)施例中，由通過(guò)內(nèi)部鉸鏈820連接的一對(duì)側(cè)板808組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料806的層物理接觸。長(zhǎng)沙通用集成電路價(jià)格