所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件200并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件400的圖。參考回圖5，每個冷卻管406的端部耦聯(lián)至輸入分流管606a，并且每個冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過輸入分流管606a進入各冷卻管，并且被加熱的液體通過輸出分流管606b離開各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個或多個集成電路(一般地以704示出)。我國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步較晚，因此發(fā)展集成電路顯得越來越重要。鄭州小規(guī)模集成電路哪家好

    提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列內(nèi)的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲單元a。珠海大規(guī)模集成電路IC集成電路行業(yè)主要上市公司：韋爾股份(603501)、中芯國際(688981)、長電科技(600584)等。

    凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與工作mtj器件并聯(lián)連接的薄膜電阻器和薄膜電阻器。在各個實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列通過多條位線bl至bl和多條字線wl至wl連接至控制電路。在一些實施例中。控制電路包括連接至多條位線bl至bl的位線解碼器和連接至多條字線wl至wl的字線解碼器。調(diào)節(jié)訪問裝置連接在字線wlx(x＝或)和工作mtj器件之間，而工作mtj器件連接在調(diào)節(jié)訪問裝置和位線bly(y＝或)之間。為了訪問工作mtj器件。位線解碼器被配置為基于從控制單元接收的地址saddr選擇性地向一條或多條位線bl至bl提供信號(例如，電壓)。而字線解碼器被配置為基于從控制單元接收的地址saddr選擇性地向一條或多條字線wl至wl提供信號(例如，電壓)。調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為調(diào)節(jié)電流(提供給相關(guān)的工作mtj器件的信號)。

    銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中。mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、附加自由層等)以改進mtj的性能。圖b示出了對應于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些可選實施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲單元a,。存儲單元a,包括工作mtj器件和具有調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導電互連層a至f。多個導電互連層a至f包括互連層a。集成電路作為全球信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)與關(guān)鍵，被譽為“現(xiàn)代工業(yè)的糧食”。

    互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。互連層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實施例中。第四互連層d在存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第四互連層d通過第五互連層e和第三多個通孔c連接至存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中。存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過第四多個通孔d連接至第六互連層f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。集成電路是現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的關(guān)鍵樞紐，關(guān)系中國式現(xiàn)代化進程。東莞巨大規(guī)模集成電路技術(shù)

中型集成電路：邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。鄭州小規(guī)模集成電路哪家好

    介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導電互連層a至c。在一些實施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內(nèi)的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件。例如，位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中。鄭州小規(guī)模集成電路哪家好