在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個(gè)底電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成存儲(chǔ)單元。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路，但是應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中，工作mtj器件可以通過組操作(在步驟中)形成，而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過組單獨(dú)的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟中)之后，可以通過一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實(shí)施例中。涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即。買集成電路，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。石家莊模擬集成電路選哪家

    v)施加至字線wl，對(duì)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件實(shí)施讀取操作。非零偏置電壓v將使得讀取電流ir通過存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。通過工作mtj器件的讀取電流ir具有取決于工作mtj器件的電阻狀態(tài)的值。例如，工作mtj器件處于低電阻狀態(tài)(例如，存儲(chǔ)邏輯“”)時(shí)的讀取電流ir將大于工作mtj器件處于高電阻狀態(tài)(例如，存儲(chǔ)邏輯“”)的讀取電流ir。在一些實(shí)施例中，位線解碼器可以包括多路復(fù)用器，多路復(fù)用器被配置為確定存儲(chǔ)器陣列的期望輸出。多路復(fù)用器被配置為將來自存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件的讀取電流ir選擇性地提供給感測(cè)放大器。感測(cè)放大器被配置為比較ir與由電流源產(chǎn)生的參考電流iref，以確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖a示出了對(duì)應(yīng)于圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的一些實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,，存儲(chǔ)單元b,鄰近于存儲(chǔ)單元a,橫向定位。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c。在一些實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)堆疊的ild層。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中。鄭州計(jì)算機(jī)集成電路技術(shù)在摩爾定律的推動(dòng)下，集成電路產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復(fù)雜程度與日俱增，集成電路設(shè)計(jì)的重要性愈發(fā)突出。

    出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件，該調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。圖a至圖c示出了圖的公開的存儲(chǔ)器電路的讀取和寫入操作的一些實(shí)施例的示意圖。圖a至圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖的公開的存儲(chǔ)器電路的集成芯片的截面圖的一些實(shí)施例。圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例。該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。

    存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因?yàn)閙ram單元通常對(duì)寫入操作使用相對(duì)高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可能相對(duì)較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對(duì)大尺寸的驅(qū)動(dòng)晶體管限制了存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實(shí)施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的存儲(chǔ)器陣列，存儲(chǔ)單元不包括驅(qū)動(dòng)晶體管(即，不使用驅(qū)動(dòng)晶體管來對(duì)存儲(chǔ)單元提供電壓和/或電流)。而且，多個(gè)存儲(chǔ)單元分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置。該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問。調(diào)節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR?？孔V集成電路，找深圳美信美科技幫你解決。

    互連層a在存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過互連層b和多個(gè)通孔a連接至存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過多個(gè)通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以布置在存儲(chǔ)單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中。第四互連層d在存儲(chǔ)單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第四互連層d通過第五互連層e和第三多個(gè)通孔c連接至存儲(chǔ)單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中。存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過第四多個(gè)通孔d連接至第六互連層f。在其它實(shí)施例(未示出)中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以橫向地布置為鄰近存儲(chǔ)單元a,。深圳美信美科技有限公司是靠譜的集成電路現(xiàn)貨供應(yīng)商。廣州模擬集成電路價(jià)格

集成電路產(chǎn)業(yè)還甚至延伸至設(shè)備、材料市場(chǎng)。石家莊模擬集成電路選哪家

    在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成存儲(chǔ)單元。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如。mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路，但是應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中，工作mtj器件可以通過組操作(在步驟中)形成，而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過組單獨(dú)的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟中)之后，可以通過一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實(shí)施例中。涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即。存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)。而且，存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問裝置。石家莊模擬集成電路選哪家