調節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個調節(jié)mtj器件，一個或多個調節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。在一些實施例中。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑。pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。德州的集成電路渠道，找什么深圳市美信美科技。常州半導體集成電路分類

    然后在開口內沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b。可以包括工作mtj器件和調節(jié)訪問裝置，調節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或實施例都是需要的，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。徐州圓形集成電路好的渠道商深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進口集成電路。

    調節(jié)mtj器件具有比調節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實施例中，集成芯片還包括連接在調節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實施例中。工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結構與調節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結構內的互連層，互連層通過介電結構與襯底分隔開；以及調節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調節(jié)訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調節(jié)mtj器件，調節(jié)mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中。

    圖至圖中公開的結構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。集成電路具有規(guī)模生產能力，可靠性等特點。

    存取晶體管)用于在讀取和/或寫入操作期間選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅動晶體管限制了存儲器陣列內的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅動晶體管(即，不使用驅動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調節(jié)訪問裝置。該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問。調節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調節(jié)mtj器件。一個或多個調節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。調節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調節(jié)訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內的存儲單元(例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。集成電路實力供應商有哪些？深圳美信美科技。廣州雙列直插型集成電路報價

而根據(jù)處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號集成電路。常州半導體集成電路分類

    每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應液體體積的改變。常州半導體集成電路分類