并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料806。側(cè)板808可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板808。能夠移除的一個(gè)或多個(gè)彈性夾810可定位在側(cè)板808周圍，以將側(cè)板808壓靠在熱接口材料806上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程900。盡管流程的步驟以特定順序示出，這些步驟的部分或全部可以以其他順序執(zhí)行、并行地執(zhí)行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖9，在902處，提供兩個(gè)印刷電路裝配件400。每個(gè)印刷電路裝配件400包括：系統(tǒng)板402；平行地安裝在系統(tǒng)板402上的多個(gè)印刷電路板插座404；和多個(gè)冷卻管406，每個(gè)所述冷卻管安裝在系統(tǒng)板402上、平行且鄰接于所述印刷電路板插座404中對應(yīng)的一個(gè)印刷電路板插座404，所述冷卻管406中的每個(gè)冷卻管406具有在冷卻管406與系統(tǒng)板402相對的一側(cè)上粘附至冷卻管406的熱接口材料層408。在904處，流程900包括提供多個(gè)集成電路模塊。例如，集成電路模塊可以包括一個(gè)或多個(gè)雙列直插式存儲模塊組件200。每個(gè)集成電路模塊包括：印刷電路板202，所述印刷電路板202具有布置在印刷電路板插座404中的一個(gè)印刷電路板插座中的連接側(cè)304；安裝在印刷電路板202上的一個(gè)或多個(gè)集成電路204。進(jìn)口的德州集成電路，就找深圳美信美科技。上海單極型集成電路公司

    本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)?？稍诟鱾€(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述。在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個(gè)實(shí)施例和和布置的具體實(shí)例等空間相對術(shù)語，以描述所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應(yīng)的解釋。磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram)單元包括垂直布置在導(dǎo)電電極之間的磁隧道結(jié)(mtj)。mtj包括通過隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)。鄭州中規(guī)模集成電路引腳集成電路是電路（主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動組件等）小型化的方式。

    凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個(gè)存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個(gè)存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽觓的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。

    存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過第四多個(gè)通孔d連接至第六互連層f。在其它實(shí)施例(未示出)中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。在一些這樣的實(shí)施例中。存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實(shí)現(xiàn)圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個(gè)非限制性實(shí)施例，并且可以在可選實(shí)施例中使用其它實(shí)施方式。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路包括多個(gè)存儲單元a,至c,，每個(gè)存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間，而調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至位線(例如，bl)。集成電路是20世紀(jì)50年代后期到60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件；

    在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個(gè)mtj器件、和?？梢詫Υ殴潭ぁ⒔殡娮钃鯇雍痛抛杂赡?shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件、和。的截面圖所示，在多個(gè)mtj器件、和上方形成多個(gè)頂電極通孔。多個(gè)頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中。可以在多個(gè)mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件、和上方的第三ild層內(nèi)形成互連層b。在一些實(shí)施例中，互連層b包括限定存儲單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層可以包括通過一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))。可以通過選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內(nèi)形成開口來形成互連層b。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路；佛山雙列直插型集成電路

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    圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和第三調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調(diào)節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件在產(chǎn)生不同的電阻來控制相關(guān)的工作mtj器件內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問裝置更大的靈活性。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置描述了圖至圖b中示出的操作和/或裝置，但是應(yīng)該理解，公開的存儲單元不限于這樣的實(shí)施例。而且，在可選實(shí)施例中，圖至圖b的操作和/或裝置可以實(shí)施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如，包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖至出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的截面圖至，該存儲器電路包括存儲單元(例如。mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖至圖，但是應(yīng)該理解。上海單極型集成電路公司