另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統(tǒng)板為一對。每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)包括計算部件，所述計算部件包括處理器和存儲器6。存儲器6包括多個雙列直插式存儲模塊組件。系統(tǒng)還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵、熱交換器和儲液器。泵將冷卻液體提供給雙列直插式存儲模塊組件。由雙列直插式存儲模塊組件產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件。集成電路哪家質(zhì)量過關(guān)？認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。無錫通訊集成電路分類

    圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間，位線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條位線bl至bl，并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲器陣列的整個列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲器陣列的整個行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進存儲器陣列的存儲單元之間的隔離。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些額外實施例的截面圖。長沙專業(yè)控制集成電路排名集成電路產(chǎn)業(yè)還甚至延伸至設(shè)備、材料市場。

    圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和第三調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調(diào)節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件在產(chǎn)生不同的電阻來控制相關(guān)的工作mtj器件內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問裝置更大的靈活性。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置描述了圖至圖b中示出的操作和/或裝置，但是應(yīng)該理解，公開的存儲單元不限于這樣的實施例。而且，在可選實施例中，圖至圖b的操作和/或裝置可以實施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如，包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖至出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的截面圖至，該存儲器電路包括存儲單元(例如。mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖至圖，但是應(yīng)該理解。

    圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W(xué)機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。深圳美信美集成電路價格好。

    互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的位線bl。在一些實施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實施例中。第四互連層d在存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第四互連層d通過第五互連層e和第三多個通孔c連接至存儲單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元的位線bl。在一些實施例中。存儲單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過第四多個通孔d連接至第六互連層f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。深圳美信美科技有限公司是靠譜的集成電路現(xiàn)貨供應(yīng)商?；葜輰I(yè)控制集成電路測試

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    提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導(dǎo)致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列內(nèi)的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲單元a。無錫通訊集成電路分類