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沈陽(yáng)雙列直插型集成電路報(bào)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-10

    圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間,位線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線bl至bl,并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號(hào)使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進(jìn)存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元之間的隔離。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些額外實(shí)施例的截面圖。集成電路哪家服務(wù)好?認(rèn)準(zhǔn)深圳市美信美科技有限公司。沈陽(yáng)雙列直插型集成電路報(bào)價(jià)

沈陽(yáng)雙列直插型集成電路報(bào)價(jià),集成電路

    該調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)mtj器件。存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)器陣列,存儲(chǔ)器陣列具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,(例如,mram單元)。多個(gè)存儲(chǔ)單元a。至c,分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。例如,調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x=,,)。并且調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y=,,)之間。例如,在存儲(chǔ)單元a,中,調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間,而調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj,mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中,固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中,介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中,自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。南京數(shù)字集成電路企業(yè)好的集成電路供應(yīng),深圳美信美科技就是牛。

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    存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如,mram單元)。而且,存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問裝置,該調(diào)節(jié)訪問裝置具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中,涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件,工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài);以及連接在工作mtj器件和字線之間的調(diào)節(jié)訪問裝置,調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,字線和字線連接至字線解碼器。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件,字線連接至字線解碼器,并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中,工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中,集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。

    滿足短聯(lián)結(jié)線路要求,滿足佳導(dǎo)熱要求。上層基板可選的可以只有一層金屬層,此金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)。上層基板可選的可以只有一層金屬層,此金屬層直接暴露在外,加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層,內(nèi)層金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié),外層金屬層直接暴露在外,加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有多層金屬層,除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié),外層金屬層直接暴露在外,加強(qiáng)導(dǎo)熱以外,上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層,并通過開孔沉金,以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層,此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad,留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層,除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外,下層基板還可以有多層金屬層,并通過開孔沉金互聯(lián),以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)??蛇x的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點(diǎn),通過聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請(qǐng)實(shí)施例中,集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短,導(dǎo)流能力強(qiáng),導(dǎo)熱能力強(qiáng),寄生電參數(shù)小,可以滿足市場(chǎng)上對(duì)集成電路更小型化,更高功率密度的要求。附圖說明為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案。集成電路廠家就找深圳美信美!

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    在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個(gè)底電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中,在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中,在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中,可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成存儲(chǔ)單元。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如,mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路,但是應(yīng)該理解,在其它實(shí)施例中,調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如,薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中,工作mtj器件可以通過組操作(在步驟中)形成,而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過組單獨(dú)的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如,在工作mtj的形成(在步驟中)之后,可以通過一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此,在一些實(shí)施例中。涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即。存儲(chǔ)器和特定應(yīng)用集成電路是其他集成電路家族的例子,對(duì)于現(xiàn)代信息社會(huì)非常重要?;葜莼旌霞呻娐窂S家

集成電路是電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備,也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式。沈陽(yáng)雙列直插型集成電路報(bào)價(jià)

    圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性?shī)A210a、210b、210c。所公開的技術(shù)的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302,所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側(cè)304相對(duì)的側(cè)延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)板208形成。這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。圖4a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個(gè)包括系統(tǒng)板402,多個(gè)印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上,所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座標(biāo)記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個(gè)印刷電路板插座404地安裝。熱接口材料層408在冷卻管的與系統(tǒng)板402相對(duì)的一側(cè)布置在每個(gè)冷卻管406上,并且熱耦聯(lián)至該冷卻管406。多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件電耦聯(lián)至系統(tǒng)板402,所述雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件中的一個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件標(biāo)記為200。特別地,每個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的連接側(cè)304布置在印刷電路板插座404中的一個(gè)印刷電路板插座中。當(dāng)所述兩個(gè)印刷電路裝配件400a和400b相對(duì)地放置在一起,如圖4b中所示出的那樣。沈陽(yáng)雙列直插型集成電路報(bào)價(jià)

標(biāo)簽: 溫度傳感器 集成電路