為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優(yōu)勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅(qū)動晶體管限制了存儲器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅(qū)動晶體管(即，不使用驅(qū)動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問。調(diào)節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內(nèi)的存儲單元(例如。超大規(guī)模集成電路：邏輯門1,001~10k個或 晶體管10,001~100k個。深圳雙列直插型集成電路芯片

    該調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)mtj器件。存儲器電路包括存儲器陣列，存儲器陣列具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,(例如，mram單元)。多個存儲單元a。至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。例如，調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實施例中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x＝,,)。并且調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y＝,,)之間。例如，在存儲單元a,中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間，而調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間?；葜荼馄叫渭呻娐贩庋b靠譜的深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進口集成電路。

    上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強導熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過開孔沉金互聯(lián)，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。可選的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點，通過聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請實施例中，集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短，導流能力強，導熱能力強，寄生電參數(shù)小，可以滿足市場上對集成電路更小型化，更高功率密度的要求。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案。深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售。

    介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導電互連層a至c。在一些實施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d。互連層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內(nèi)的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件。例如，位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中?？孔V集成電路供應(yīng)商，美信美科技就是牛。

    印刷電路板702一般是雙側(cè)的，集成電路704安裝在兩側(cè)上。熱接口材料706的層熱耦聯(lián)至集成電路704。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他熱接口材料。在所描繪的實施例中，由通過外部鉸鏈720連接的一對側(cè)板708a、708b組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料706a、706b的層物理接觸，并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料706a、706b。側(cè)板708a、708b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料形成側(cè)板708a、708b。能夠移除的一個或多個彈性夾710a、710b可定位于側(cè)板708周圍，以將側(cè)板708壓靠在熱接口材料706上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個實施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8b示出了分解圖，而圖8a示出了裝配圖。雙列直插式存儲模塊組件800包括印刷電路板802，在印刷電路板802上安裝有一個或多個集成電路(一般地在804處示出)。印刷電路板802一般是雙側(cè)的，集成電路804安裝在兩側(cè)上。熱接口材料806的層熱耦聯(lián)至集成電路804。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料。在所描繪的實施例中，由通過內(nèi)部鉸鏈820連接的一對側(cè)板808組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料806的層物理接觸?，F(xiàn)貨商深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進口集成電路。長沙模擬集成電路

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    使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個實施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖9示出了根據(jù)一個實施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量，特別是在高密度配置中?，F(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點?？諝饫鋮s是嘈雜的，并且因此當靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時是不期望的。當需要維護雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統(tǒng)板為一對。深圳雙列直插型集成電路芯片