圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術(shù)的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側(cè)304相對的側(cè)延伸的一個(gè)或多個(gè)側(cè)板208形成。這些特征將在下面更詳細(xì)地討論。圖4a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個(gè)包括系統(tǒng)板402，多個(gè)印刷電路板插座平行地安裝在系統(tǒng)板上，所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座標(biāo)記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個(gè)印刷電路板插座404地安裝。熱接口材料層408在冷卻管的與系統(tǒng)板402相對的一側(cè)布置在每個(gè)冷卻管406上，并且熱耦聯(lián)至該冷卻管406。多個(gè)雙列直插式存儲模塊組件電耦聯(lián)至系統(tǒng)板402，所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個(gè)雙列直插式存儲模塊組件標(biāo)記為200。特別地，每個(gè)雙列直插式存儲模塊組件200的連接側(cè)304布置在印刷電路板插座404中的一個(gè)印刷電路板插座中。當(dāng)所述兩個(gè)印刷電路裝配件400a和400b相對地放置在一起，如圖4b中所示出的那樣。穩(wěn)定靠譜的集成電路供應(yīng)，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技現(xiàn)貨商。長沙雙極型集成電路價(jià)格

    可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件、和。的截面圖所示，在多個(gè)mtj器件、和上方形成多個(gè)頂電極通孔。多個(gè)頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中?？梢栽诙鄠€(gè)mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件、和上方的第三ild層內(nèi)形成互連層b。在一些實(shí)施例中，互連層b包括限定存儲單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層可以包括通過一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內(nèi)形成開口來形成互連層b。然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如。常州單極型集成電路IC深圳美信美集成電路測試好。

    可在各個(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個(gè)實(shí)施例和和布置的具體實(shí)例等空間相對術(shù)語，以描述所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應(yīng)的解釋。磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram)單元包括垂直布置在導(dǎo)電電極之間的磁隧道結(jié)(mtj)。mtj包括通過隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)，而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“”)。隨著集成芯片的功能增多。對更多的存儲器的需求也增加，從而使得集成芯片設(shè)計(jì)者和制造商必須增加可用存儲器的量，同時(shí)減小集成芯片的尺寸和功耗。

    在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個(gè)mtj器件、和?？梢詫Υ殴潭ぁ⒔殡娮钃鯇雍痛抛杂赡?shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件、和。的截面圖所示，在多個(gè)mtj器件、和上方形成多個(gè)頂電極通孔。多個(gè)頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中。可以在多個(gè)mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件、和上方的第三ild層內(nèi)形成互連層b。在一些實(shí)施例中，互連層b包括限定存儲單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層可以包括通過一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內(nèi)形成開口來形成互連層b。集成電路廠家就找深圳美信美！

    調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個(gè)存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接在字線wlx(x＝,,)和偏置電壓線bvly(y＝,。)之間的調(diào)節(jié)mtj器件。工作mtj器件連接在偏置電壓線bvly(y＝,,)和位線blz(z＝,,)之間。多個(gè)存儲單元a,至c,連接至控制電路?？刂齐娐钒ū慌渲脼檫x擇性地將信號施加至一條或多條位線blz的位線解碼器、被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wlx的字線解碼器以及被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條偏置電壓線bvly的偏置電路。在一些實(shí)施例中。字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件。集成電路具有規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性等特點(diǎn)。東莞圓形集成電路選哪家

模擬集成電路有，例如傳感器、電源控制電路和運(yùn)放，處理模擬信號。長沙雙極型集成電路價(jià)格

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個(gè)存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個(gè)存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置低電阻?？梢詫⒔M偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，同時(shí)存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。長沙雙極型集成電路價(jià)格