的實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實現(xiàn)要素：根據(jù)的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個或多個調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關(guān)速度應(yīng)用。珠海圓形集成電路公司

    介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導(dǎo)電互連層a至c。在一些實施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元a,和存儲單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個連接至圖的存儲器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲單元b,。在一些實施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲器陣列的一列內(nèi)的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件。例如，位線bl連接至圖的存儲器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實施例中，工作mtj器件通過包括多個導(dǎo)電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實施例中。深圳通訊集成電路小型集成電路：邏輯門10個以下或 晶體管100個以下。

    本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術(shù)：現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)產(chǎn)生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產(chǎn)生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產(chǎn)生的。為了合適地運行，這些計算機(jī)系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內(nèi)。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產(chǎn)生的熱量。技術(shù)實現(xiàn)要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應(yīng)的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對的一側(cè)上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。

    偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置低電阻?？梢詫⒔M偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如。大于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，同時存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖。多個存儲單元a,至c。集成電路它是微型電子器件或部件，在電路中用字母“IC”表示。

    與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側(cè)304相對的側(cè)延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲液器114與分流管606a和第二分流管606b流體流通地耦聯(lián)。流程900包括操作泵110以將液體傳送通過各冷卻管406。如本文所使用的，術(shù)語“或”可以解釋為包含性或排除性的意義兩者。此外，以單數(shù)形式對資源、操作或結(jié)構(gòu)的描述不應(yīng)解讀為排除復(fù)數(shù)形式。其中，諸如“能夠”、“可以”、“可能”、或“可”的條件語句，除非另有明確說明，或在所使用的上下文中另有理解，一般旨在傳達(dá)某些實施例包含特定特征、元素和/或步驟，而其他實施例不包含這些特定特征、元素和/或步驟。除非另有特別說明。深圳美信美集成電路價格好。武漢巨大規(guī)模集成電路IC

2021年10月，我國集成電路產(chǎn)量達(dá)2975.4億塊，同比增長48.1%。珠海圓形集成電路公司

    在互連層a的上表面上方形成多個底電極通孔。多個底電極通孔由介電層圍繞。在一些實施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個底電極通孔。在各個實施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔上方形成多個mtj器件、和。多個mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實施例中。自由層可以形成為接觸底電極通孔。多個mtj器件、和中的一個包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件。多個mtj器件、和中的一個或多個包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件和，調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件、和。例如，在一些實施例中，可以通過在介電層和多個底電極通孔上方沉積磁固定膜。在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件、和。珠海圓形集成電路公司