(5) 西門子EDI模塊，TOC(總有機碳)的影響。

     進水中如果有機物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染，導致系統(tǒng)運行電壓上升，產水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體，堵塞通道。

(6) 西門子EDI模塊，進水中CO2的影響。

     進水中CO2生成的HCO3-是弱電解質，容易穿透離子交換樹脂層而造成產水水質下降。

(7) 西門子EDI模塊，總陰離子含量(TEA)的影響。

     高的TEA將會降西門子EDI模塊產水電阻率，或需要提高西門子EDI模塊運行電流，而過高的運行電流會導致系統(tǒng)電流增大，極水余氯濃度增大，對極膜壽命不利。

另外，進水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對西門子EDI模塊系統(tǒng)運行有影響。 美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保質量經得起檢驗。上海直銷美國IONPURE EDI模塊型號

IONPUREEDI模塊作為超純水設備的主要部件，一旦損壞將直接造成拋光混床樹脂的壽命縮短，增加運行成本，嚴重影響生產。

導致IONPUREEDI模塊故障的主要原因：

  1、IONPUREEDI模塊長期在大電流，低于額定流量情況下運行，極板側積聚的熱量得不到有效散發(fā)，造成EDI接近兩極的膜片和隔網較早發(fā)熱變形,EDI濃水壓差增大，水質和水量下降，嚴重會碳化漏水。

  2、IONPUREEDI模塊長期沒有清洗保養(yǎng)，EDI的膜片和通道結垢，進出水壓差增大，造成產水水質下降，電流無法調節(jié)，電壓上升。 江蘇原裝美國IONPURE EDI模塊量大從優(yōu)美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保按客戶的需求發(fā)貨。

美國ionpure edi模塊的進水指標要求： ◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水 ◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計）：<25ppm。 ◎電導率：<40μS/cm。 ◎PH：6.0～9.0。當總硬度低于0.1ppm時，edi比較好工作的pH范圍為8.0～9.0。 ◎溫度：5～35℃。 ◎進水壓力：<4bar（60psi）。 ◎硬度：（以CaCO3計）：<1.0ppm。 ◎有機物（TOC）：<0.5ppm。 ◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 ◎變價金屬：Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 ◎H2S：<0.01ppm。 ◎二氧化硅：<0.5ppm。 ◎色度：<5APHA。 ◎二氧化碳的總量：<10ppm。 ◎ SDI 15min：<1.0。

IonpureIP-LXM30Z EDI模塊已經達到了高流量的工業(yè)化要求－不僅在電子工業(yè)，而且在制藥、造紙、電力及化工生產等領域，這些系統(tǒng)提供的流量可達2000gpm及以上。事實上，由于最 新技術的開發(fā)，EDI系統(tǒng)在出力上的限制取決于其它的因素，而不是EDI系統(tǒng)的自身。

二、工業(yè)水處理的未來

  目前的RO－EDI技術大大地降低了化學藥劑的使用，簡化了運行操作，降低了總的固定投資費用。盡管在工業(yè)水處理中還面臨著進一步降低化學藥劑使用的要求，但我們可以預期，隨著過濾及RO膜技術的提高，RO－EDI系統(tǒng)的經濟性將會得到進一步的提高。 美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保性價比出眾。

(3)濁度、污染指 數(SDI)的影響。

   EDI組件產水通道內填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指 數會使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產水量下降。

(4)硬度的影響。

  如果IONPUREEDI模塊中進水的殘存硬度太高，會導致濃縮水通道的膜表面結垢，濃水流量下降，產水電阻率下降;影響產水水質，嚴重時會堵塞組件濃水和極水流道，導致組件因內部發(fā)熱而毀壞。

(5) TOC(總有機碳)的影響。

  進水中如果有機物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染，導致系統(tǒng)運行電壓上升，產水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體，堵塞通道。

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如果電壓降低或是進水的總離子水平提高的話,那么系統(tǒng)中的樹脂會更多的和離子發(fā)生交換,相應的工作區(qū)間就往出水側移動,直至達到新的平衡,或是穿透,這一過程中,出水電導會發(fā)生一定的變化,出水的弱電離子增加是最明顯的表現。如果電壓上升或是進水離子減少,則系統(tǒng)的工作區(qū)間會向進水側發(fā)生移動,表現為出水水質變好,弱電離子的含量減少。所以判斷系統(tǒng)的平衡狀態(tài)可以通過出水水質變化,弱電離子的漏出多少來實現,并可以通過工作區(qū)間的移動來解釋。

     濃水流量的變化是另一個調節(jié)系統(tǒng)平衡的要素,特別是對于系統(tǒng)中的電流有直接影響。濃水的流量對去除弱電離子Ｓｉ也有一定關系。由于Ｓｉ在２５℃,ｐＨ值是６～８的水體中的溶解度是１２０ｍｇ／Ｌ。所以進水的濃縮倍率達到一定程度后,Ｓｉ在濃水中就會飽和,導致不能進行更深度的除硅,這也是確定濃水流量下限的條件之一。 上海直銷美國IONPURE EDI模塊型號

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