四氟化碳有以下用途：用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑；是微電子工業(yè)中用量比較大的等離子蝕刻氣體，四氟甲烷高純氣及四氟甲烷高純氣、高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用；用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。 氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。無錫口碑好四氟化碳哪里有

    四氯化碳有什么作用？四氯化碳可以做萃取劑來萃取有機(jī)物（極性分子相似相溶）。萃取實(shí)驗(yàn)中萃取出的碘單質(zhì)是紫紅色的，而其他鹵素也會有其他對應(yīng)的顏色，所以四氯化碳有的時候用于鹵素除雜與鑒定；曾用作滅火劑但是由于在一些條件下四氯化碳會產(chǎn)生窒息性的劇毒氣體——光氣;另外它也不能用于撲滅活潑金屬鉀、鈉的失火，因四氯化碳會強(qiáng)烈分解?，F(xiàn)被1211滅火劑替代；可與水置于同一容器防倒吸（利用密度梯度分離，導(dǎo)氣管需伸入下層）。 華東正規(guī)四氟化碳推薦企業(yè)四氟化碳沒有腐蝕性。

    四氟化碳在常溫常壓下為無色無臭有輕微醚味的氣體?？諝庵胁蝗紵?，是比較穩(wěn)定的無毒物質(zhì)。但是在高溫時，或與可燃?xì)怏w一同燃燒時，分解出有毒的氟化物。在1000℃以上能與二氧化碳形成羰基氟。微溶于水，在25℃，，水中溶解度為(重量)。有輕微的水解作用。四氟化碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì)，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯化碳。四氟化碳為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，鋁等金屬材料都可以使用，但是含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。

四氟化碳是不燃燒的無色、無味的壓縮氣體，充裝于四氟化碳鋼瓶中，飽和蒸汽壓約壓力2000 psig。四氟化碳是一種造成溫室效應(yīng)的氣體。它非常穩(wěn)定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強(qiáng)大的溫室氣體。它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500（二氧化碳的系數(shù)是1）。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。這是因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。與可燃性氣體一起燃燒時，發(fā)生分解，產(chǎn)生的氧化物。

高純四氟化碳和六氟化硫產(chǎn)品滿足重大專項(xiàng)/課題任務(wù)書研究內(nèi)容和考核指標(biāo)規(guī)定的技術(shù)要求。項(xiàng)目的驗(yàn)收完成，標(biāo)志著黎明院開發(fā)的高純度含氟電子氣體四氟化碳和六氟化硫產(chǎn)品，能夠滿足極大規(guī)模集成電路行業(yè)所需的高純度氣體需求，也標(biāo)志著極大規(guī)模集成電路行業(yè)用高純度四氟化碳和六氟化硫電子氣體實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化。高純度四氟化碳和六氟化硫電子氣體是極大規(guī)模集成電路行業(yè)必須的清洗、蝕刻氣體。隨著極大規(guī)模集成電路技術(shù)的提升，芯片制程向14納米甚至7納米的邁進(jìn)，其對電子氣體的純度要求越來越高。為此，黎明院借助科技重大專項(xiàng)平臺，突破產(chǎn)物合成、精制提純、雜物分析、潔凈充裝等關(guān)鍵技術(shù)，攻克了高純度四氟化碳和六氟化硫制備過程中微量雜質(zhì)的純化、分析等技術(shù)難題，制備出5.8N四氟化碳和5.5N六氟化硫，部分雜質(zhì)含量在0.1ppm以內(nèi)。在研發(fā)過程中，并建成了標(biāo)準(zhǔn)化潔凈間。

四氟化碳的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在通常情況下，它與硅直接接觸，也不會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。華東正規(guī)四氟化碳推薦企業(yè)

只有在1000℃以上，才能和二氧化碳進(jìn)行反應(yīng)。無錫口碑好四氟化碳哪里有

    四氟化碳與氧在高溫下不反應(yīng)]四氟化炭是目前微電子行業(yè)使用比較多的等離子蝕刻氣體，它是由高純氣與高純氣配高純氧的混合物，可用于硅粉、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃和鎢薄膜材料的蝕刻。在使用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕的硅及二氧化硅系統(tǒng)中，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這對刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜是非常有用的。危害概覽危險類別：：吸入健康危險：吸入濃度高的四氟化碳后，出現(xiàn)呼吸困難、嘔吐等窒息癥狀。 無錫口碑好四氟化碳哪里有