STM-C190變色防止劑，STM-C190可直接取代磷酸三鈉中和處理制程。配比濃度(5%-10%)，消耗很低。在錫表面沉積一層有機(jī)薄膜，可改善鍍層因儲(chǔ)存或熱處理（烘烤、Reflow）造成的外觀變色狀況。STM-C160除銹活化劑，單劑操作，配比濃度20-40%。適用于各種Cu-alloy、Fe-Ni-alloy不含H2O2，藥液維護(hù)容易。微蝕均一性好，藥劑穩(wěn)定性良好。STM-C150除銹活化劑單劑操作，配比濃度20-40%。適用于各種Cu-alloy、Fe-Ni-alloy、Ni。不含H202，藥液維護(hù)容易。微蝕均一性好，藥劑穩(wěn)定性良好。IC封裝藥水潤(rùn)滑性、耐磨性能優(yōu)良，緩蝕率高。無(wú)錫IC除膠清潔哪家性?xún)r(jià)比高
IC封裝藥液適用于金屬表面，塑料表面，玻璃表面等的清洗和光亮，可以高效去除其表面的松香焊藥，吸塑膠以及墻上粘貼的膠紙，并且有很好的光亮效果。對(duì)表面的深層頑固污漬的去除有很好的效果?？刹捎媒莘ê筒潦梅ㄟM(jìn)行除膠。浸泡十分鐘~3小時(shí)后，取出工件，再用棉布或軟毛刷將粘膠剝離擦除。由多種進(jìn)口表面活性、緩蝕劑及其它助劑配制而成的水基清洗劑，針對(duì)去除切割工藝的膠粘合劑特別研制。具有除膠速度快，除膠徹底，工作溫度低等優(yōu)點(diǎn)。按比例稀釋成工作液后，加熱至40-60度，浸泡4-6分鐘。IC除銹活化液批發(fā)市場(chǎng)IC封裝藥水防止金屬與腐蝕介質(zhì)接觸。
IC清潔劑由于連續(xù)處理過(guò)程中濃度不斷變化，要定期測(cè)定PH值，確定IC-502清洗劑含量濃度，保持在規(guī)定的濃度范圍內(nèi)，及時(shí)補(bǔ)充添加，以確保清洗效果。注意事項(xiàng)：工件油污清洗干凈后用清水沖洗，水洗后的工件再做后續(xù)處理。工件如需防銹，油污清洗干凈后直接烘干，不需要水洗，用水沖洗會(huì)影響防銹效果，定期清理脫脂槽，定期倒槽排渣。無(wú)色透明且粘度低，不燃，安全性非常高的液體。主要用作清洗劑，干燥劑，及做溶劑。做清洗劑可以清洗塑料金屬中的塵埃油脂。極快的揮發(fā)速度可以做為干燥劑，可以干燥酒精浸透后物質(zhì)，或干燥用水基型清洗劑和半水基型清洗劑清洗后的物質(zhì)。
選擇清洗介質(zhì)，即IC清潔劑是設(shè)備設(shè)計(jì)、清洗流程、工藝的前提，根據(jù)現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求，結(jié)合當(dāng)前材料科技發(fā)展中出現(xiàn)的新觀念、新成果，把目光集中到超臨界、超凝態(tài)，常壓低溫等離子體等介于氣、液相的臨界狀態(tài)物質(zhì)是順理成章的事。超臨界清洗劑：氣相清洗方法，使晶圓在氣相加工過(guò)程中可以一直保持在真空是內(nèi)，避免污染，因而增加了成品率，并降低了成本，氣相清洗方法采用了非常重要的CO2，超臨界CO2技術(shù)是使CO2成為液態(tài)，用高壓壓縮成一種介于液體和氣體之間的流體物質(zhì)，"超臨界"狀態(tài)。IC封裝藥水膜成單獨(dú)相存在，通常是氧化金屬的化合物。
IC清潔劑在諸多的清洗工序中，只要其中某一工序達(dá)不到要求，則將前功盡棄，導(dǎo)致整批芯片的報(bào)廢，所以可以毫不夸張地說(shuō)，沒(méi)有有效的清洗技術(shù)，便沒(méi)有集成電路和超大規(guī)模集成電路的現(xiàn)在。傳統(tǒng)清洗技術(shù)主要使用酸、堿、雙氧水、甲苯、三氯乙烯、氟利昂等化學(xué)試劑，成本高，而且有毒，有腐蝕性，危害安全與健康并污染環(huán)境，特別是氟利昂等ODS物質(zhì)研究破壞地球臭氧層，危及人類(lèi)生態(tài)環(huán)境，是國(guó)際上限期禁止生產(chǎn)和使用的物質(zhì)。多年來(lái)，國(guó)內(nèi)外科學(xué)家就致力于研究無(wú)毒，無(wú)腐蝕性的清洗工藝，但尚未取得突破。IC封裝藥水與硅酸鹽相比，本劑具有好于硅酸鹽五倍以上的防腐蝕效果。IC除銹活化液批發(fā)市場(chǎng)
IC封裝藥水通過(guò)各種腐蝕測(cè)試，具有很強(qiáng)的防銀變色效果。無(wú)錫IC除膠清潔哪家性?xún)r(jià)比高
IC封裝藥液顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑和蝕刻雜質(zhì)等。通常顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，終將其去除。有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂、凈化室空氣、機(jī)械油、硅樹(shù)脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC制程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面。無(wú)錫IC除膠清潔哪家性?xún)r(jià)比高