金屬的腐蝕生銹給社會(huì)發(fā)展造成了巨大的經(jīng)濟(jì)損失，還給人們的日常生產(chǎn)生活帶來(lái)較大的不便和潛在的直接或間接性的環(huán)境污染，安全隱患。因此對(duì)金屬基材的防銹始終是人們關(guān)注的焦點(diǎn)。IC除銹劑的優(yōu)點(diǎn)防銹的方法中比較簡(jiǎn)單有效的就是使用IC除銹劑。IC除銹劑的優(yōu)點(diǎn)在于超級(jí)高效的合成滲透劑，它能強(qiáng)力滲入鐵銹、腐蝕物、油污內(nèi)從而輕松地除掉掉螺絲、螺拴上的銹跡和腐蝕物，具有滲透除銹、松動(dòng)潤(rùn)滑、防止腐蝕、保護(hù)金屬等性能。并可在部件表面上形成并貯存一層潤(rùn)滑膜，可以防止?jié)駳饧霸S多其它化學(xué)成份造成的腐蝕。IC封裝藥水配比濃度(5%-10%)，消耗很低。江蘇IC封裝藥水生產(chǎn)商

IC除銹劑除了除銹功能外，還具有防銹功能。是由強(qiáng)力IC除銹劑和高效緩蝕劑組成，在快速除銹的同時(shí)，對(duì)工件的材質(zhì)不造成腐蝕，可作為鹽酸及硫酸的環(huán)保替代品。除銹效果迅速，可迅速除去金屬表面的銹斑。還能滲透溶解碳酸鹽等沉積物（如水垢），并將其它的不溶性物質(zhì)在反應(yīng)過(guò)程中分解脫落。沒(méi)有類似濃鹽酸的發(fā)煙現(xiàn)象和使用上的危險(xiǎn)。可迅速去除表面及零部件，精密金屬制品及零部件等上的銹斑。使用前搖勻，將噴嘴對(duì)準(zhǔn)需除銹的地方，對(duì)于難觸及區(qū)域使用隨罐所附細(xì)管，將細(xì)管裝在噴頭上。IC去膠清洗劑銷售價(jià)IC封裝藥水耐腐蝕性能提高5-20倍。

在IC除銹劑涂抹完20分鐘時(shí)間里，必須保證生銹的表面盡量的濕潤(rùn)，如果效果不好，可以用IC除銹劑進(jìn)行反復(fù)的擦拭；在擦拭完畢后，用清水沖洗表面，盡量是使用熱水，這樣可以讓表面更快的干燥，同時(shí)還可以預(yù)防生銹。浸泡槽除銹法：在浸泡槽里水和IC除銹劑按照5比1的比例進(jìn)行調(diào)和；除銹的溫度保持常溫即可，如果有條件可以將IC除銹劑進(jìn)行加溫，加溫至上限70攝氏度即可；銹蝕的物體放在浸泡槽內(nèi)浸泡的時(shí)間不能超過(guò)三個(gè)小時(shí)；浸泡完畢后，用清水沖洗表面，盡量是使用熱水，這樣可以讓表面更快的干燥，同時(shí)還可以預(yù)防生銹。

IC除銹劑可以在不破壞基材表面外觀的前提下實(shí)現(xiàn)防銹功能，而且在某些特定條件下還可以增加表面的光亮度。IC除銹劑的使用工藝簡(jiǎn)單，配方中的物質(zhì)種類容易獲得，并且制備成本低，適用范圍較廣。從解決問(wèn)題的角度出發(fā)，未雨綢繆，把問(wèn)題遏殺在萌芽階段是解決問(wèn)題的比較好途徑和手段。IC除銹劑的出現(xiàn)可以有效的扮演這一角色。IC除銹劑的分類：通常按照溶液的特征，IC除銹劑可以分為；水溶性IC除銹劑、油溶性IC除銹劑、乳化型IC除銹劑、氣相IC除銹劑和蠟?zāi)ば虸C除銹劑等。IC封裝藥水可用水調(diào)節(jié)粘度，使用安全方便，經(jīng)濟(jì)使用。

IC封裝藥液顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑和蝕刻雜質(zhì)等。通常顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，終將其去除。有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂、凈化室空氣、機(jī)械油、硅樹(shù)脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC制程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面。IC封裝藥水無(wú)毒、無(wú)味等特點(diǎn)，不含有害物質(zhì)，環(huán)保型水性產(chǎn)品。江蘇芯片制程藥劑規(guī)格

IC封裝藥水具有剝鎳鍍層功能，有機(jī)封閉劑。江蘇IC封裝藥水生產(chǎn)商

現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求：IC清潔劑在未來(lái)90~65nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)工藝中，除了要考慮清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物去除率等技術(shù)指標(biāo)外，也要考慮對(duì)環(huán)境的污染以及清洗的效率其經(jīng)濟(jì)效益等。硅片清洗技術(shù)評(píng)價(jià)的主要指標(biāo)可以歸納為：微粗糙度（RMS)；自然氧化物去除率；金屬沾污、表面顆粒度以及有機(jī)物沾污，其他指標(biāo)還包括：芯片的破損率；清洗中的再沾污；對(duì)環(huán)境的污染；經(jīng)濟(jì)的可接受：包括設(shè)備與運(yùn)行成本、清洗效率)等。金屬沾污在硅片上是以范德華引力、共價(jià)鍵以及電子轉(zhuǎn)移等三種表面形式存在的。這種沾污會(huì)破壞薄氧化層的完整性，增加漏電流密度，影響MOs器件的穩(wěn)定性，重金屬離子會(huì)增加暗電流，情況為結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。江蘇IC封裝藥水生產(chǎn)商

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