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南京IC封裝表面處理液

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-10

IC封裝藥液適用于金屬表面,塑料表面,玻璃表面等的清洗和光亮,可以高效去除其表面的松香焊藥,吸塑膠以及墻上粘貼的膠紙,并且有很好的光亮效果。對(duì)表面的深層頑固污漬的去除有很好的效果。可采用浸泡法和擦拭法進(jìn)行除膠。浸泡十分鐘~3小時(shí)后,取出工件,再用棉布或軟毛刷將粘膠剝離擦除。由多種進(jìn)口表面活性、緩蝕劑及其它助劑配制而成的水基清洗劑,針對(duì)去除切割工藝的膠粘合劑特別研制。具有除膠速度快,除膠徹底,工作溫度低等優(yōu)點(diǎn)。按比例稀釋成工作液后,加熱至40-60度,浸泡4-6分鐘。IC封裝藥水經(jīng)本劑處理的工件,可保持金屬本色,不影響加工精度。南京IC封裝表面處理液

IC封裝藥液注意事項(xiàng):有機(jī)酸為檸檬酸、酒石酸、蘋(píng)果酸、綠原酸、草酸、苯甲酸、水楊酸、咖啡酸中的任意一種。使用的甘油是從可降解材料中提煉出的,如植物甘油。所述添加劑SI一1為制酸劑,其主要成分為碘化鈉,其主要作用為在酸性環(huán)境中,使混合溶液產(chǎn)品轉(zhuǎn)換為具有防銹性質(zhì)的環(huán)保IC除銹劑。產(chǎn)品特性:本品減少了使用強(qiáng)酸生產(chǎn)IC除銹劑的繁瑣操作過(guò)程和易造成污染等缺陷。甘油為可降解材料中提煉出來(lái)的,如植物甘油,加強(qiáng)了金屬表面的附著性能。本品工藝先進(jìn),制作方法簡(jiǎn)單、快捷、高效。江蘇IC封裝表面處理液型號(hào)IC封裝藥水對(duì)黑色金屬和其它有色金屬都有輔助的防腐蝕作用。

HCFC類(lèi)IC清潔劑及其清洗工藝特點(diǎn):這是一種含氫的氟氯烴,其蒸發(fā)潛熱小、揮發(fā)性好,在大氣中容易分解,破壞臭氧層的作用比較小,屬于一種過(guò)渡性產(chǎn)品,規(guī)定在2040年以前淘汰,所以,我們不推薦使用該類(lèi)清洗劑。其存在的問(wèn)題主要有兩個(gè):一是過(guò)渡性。因?yàn)閷?duì)臭氧層還有破壞作用,只允許使用到2040年;二是價(jià)格比較高,清洗能力較弱,增加了清洗成本。氯代烴類(lèi)的清洗工藝特點(diǎn):氯代烴類(lèi)如二氯甲烷、三氯乙烷等也屬于非ODS清洗劑。其清洗工藝特點(diǎn)是:清洗油脂類(lèi)污物的能力特別強(qiáng);像ODS清洗劑一樣,也可以用蒸氣洗和氣相干燥。

IC除銹劑中鹽酸可以清洗表面,提高酸洗效果,增快酸洗速度。該IC除銹劑在循環(huán)使用時(shí),為進(jìn)一步提高除銹速度、消除氣味,可加入檸檬酸、鹽酸配成的活化劑。檸檬酸可中和鐵離子。鹽酸可增加酸的能量。制備方法:先將有機(jī)酸、糊精、鉬酸鈉、磷酸和水放入混合罐內(nèi)室溫下勻速攪拌30min。然后在混合溶液中加入甘油,室溫下勻速攪拌10min,攪拌轉(zhuǎn)速為25r/min。接著在混合溶液中加入添加劑SI一1,室溫下勻速攪拌30min,攪拌轉(zhuǎn)速為25r/min。得到環(huán)保IC除銹劑。IC封裝藥水屬于干性防銹/防變色劑,適用于等產(chǎn)品后防變色,防腐蝕處理。

半水清洗主要采用有機(jī)溶劑和去離子水,再加上一定量的活性劑、添加劑所組成的清洗劑。該類(lèi)清洗介于溶劑清洗和水清洗之間。這些IC清潔劑都屬于有機(jī)溶劑,屬于可燃性溶劑,閃點(diǎn)比較高,毒性比較低,使用上比較安全,但是須用水進(jìn)行漂洗,然后進(jìn)行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑,既降低了可燃性,又可使漂洗更為容易。半水清洗工藝特點(diǎn)是:清洗能力比較強(qiáng),能同時(shí)除去極性污染物和非極性污染物,洗凈能力持久性較強(qiáng);清洗和漂洗使用兩種不同性質(zhì)的介質(zhì),漂洗一般采用純水,漂洗后要進(jìn)行干燥。IC封裝藥水可采用浸泡法和擦拭法進(jìn)行除膠。蘇州IC封裝藥水經(jīng)銷(xiāo)商

IC封裝藥水極低的添加量,綜合使用成本低。南京IC封裝表面處理液

有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第1步進(jìn)行,金屬污染物:IC電路制造過(guò)程中采用金屬互連材料將各個(gè)單獨(dú)的器件連接起來(lái),首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口,再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積(CVD)形成金屬互連膜,如A-Si,Cu等,通過(guò)蝕刻產(chǎn)生互連線,然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。這個(gè)過(guò)程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過(guò)程,在形成金屬互連的同時(shí),也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。原生氧化物及化學(xué)氧化物:硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層,稱(chēng)為原生氧化層。南京IC封裝表面處理液

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