IC封裝藥液在酸性、中性、堿性條件下均能溶解透明，且長(zhǎng)期穩(wěn)定。與磷酸酯類物質(zhì)相比，本劑具有好于磷酸酯類物質(zhì)”三倍以上的防腐蝕效果。“磷酸酯類物質(zhì)”含磷，易生菌，容易產(chǎn)生大量泡沫。而本劑不含磷、不易生菌、無(wú)泡。對(duì)黑色金屬和其它有色金屬都有輔助的防腐蝕作用；無(wú)毒、無(wú)味等特點(diǎn)，不含有害物質(zhì)，環(huán)保型水性產(chǎn)品﹔極低的添加量，綜合使用成本低；經(jīng)本劑處理的工件，可保持金屬本色，不影響加工精度﹔能夠鎖住金屬表面顏色，穩(wěn)定性好，防腐蝕性強(qiáng)，保護(hù)效果好，金屬表面不褪色，從保護(hù)金屬元件的穩(wěn)定性。IC封裝藥水有機(jī)封閉劑：閃點(diǎn)高（110度），可水溶性，不易燃燒，使用安全，環(huán)保，無(wú)鉻，無(wú)排放。南京IC除銹活化哪里有銷售

IC封裝藥液拆膠液切勿觸及眼睛、皮膚，如不慎接觸可用水清洗。用畢及時(shí)封好瓶蓋，以免液體揮發(fā)比例失調(diào)影響效果，瓶?jī)?nèi)液體會(huì)產(chǎn)生氣體，小心開(kāi)啟，低溫避光保存。是一種單組份高性能混合溶劑，能有效脫除環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚丁二烯、三聚氰胺等聚合物為基礎(chǔ)的膠層和經(jīng)環(huán)氧樹(shù)脂膠粘接、灌封并固化的零件。揮發(fā)快，溶解及清潔力優(yōu)良。對(duì)金屬無(wú)損傷、但對(duì)塑膠有輕微腐蝕性。用于首飾、標(biāo)牌、電子、電器各種產(chǎn)品零件返修不良品之用并可清潔相關(guān)工具。芯片封裝藥水報(bào)價(jià)IC封裝藥水可采用浸泡法和擦拭法進(jìn)行除膠。

IC芯片生產(chǎn)是一個(gè)高科技、高投入和高回報(bào)的行業(yè)，芯片工藝生產(chǎn)中所運(yùn)用的清洗液，尤其是后段制程的有機(jī)溶劑，價(jià)格昂貴，成分保密，被國(guó)外化學(xué)品大廠壟斷。IC清潔劑采用多種能生物降解表面活性劑，并添加多種助劑、緩蝕劑科學(xué)配制而成。，能夠迅速除掉工件表面的各種油污，不腐蝕工件，并且具有短期防銹效果。也可用于大型設(shè)備的表面擦洗，具有低堿度、無(wú)腐蝕、操作簡(jiǎn)單、低溫使用，節(jié)約能源，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。使用方法：本脫脂劑可用擦洗或浸泡式對(duì)工件表面進(jìn)行清洗處理，配制方法：（按1000L計(jì)算）1：將清水加到處理槽容量的9成。2：慢慢加入100-公斤IC-502，邊加邊攪拌。（油污較重可適量提供使用比例）3：加入余量的水到1000L，并攪拌均勻。

傳統(tǒng)工藝一般需經(jīng)過(guò)除油→水洗→除銹（強(qiáng)浸蝕）→水洗→活化（弱浸蝕）→水洗等六道工序。采用本品可簡(jiǎn)化操作步驟，提高工效。IC除銹劑使用方便：本品在常溫下配置、使用，有利于節(jié)約能源、降低成本。半導(dǎo)體制程所用清洗液可大致分為兩類。一類是散裝化學(xué)試劑，如氫氟酸、硫酸、雙氧水以及氨水等；第二類是所謂功能性的藥液，就是在上述散裝化學(xué)試劑、水以及有機(jī)溶劑的基礎(chǔ)上，添加鰲合劑、表面活性劑等混合而成。其中，作為功能性的藥液的表示品種，從事聚合物剝離液和CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）后清洗液生產(chǎn)的企業(yè)眾多，競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。STM-C150除銹活化劑單劑操作，配比濃度20-40%。

IC封裝藥液顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑和蝕刻雜質(zhì)等。通常顆粒粘附在硅表面，影響下一工序幾何特征的形成及電特性。根據(jù)顆粒與表面的粘附情況分析，其粘附力雖然表現(xiàn)出多樣化，但主要是范德瓦爾斯吸引力，所以對(duì)顆粒的去除方法主要以物理或化學(xué)的方法對(duì)顆粒進(jìn)行底切，逐漸減小顆粒與硅表面的接觸面積，終將其去除。有機(jī)物雜質(zhì)在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂、凈化室空氣、機(jī)械油、硅樹(shù)脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對(duì)IC制程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機(jī)物薄膜阻止清洗液到達(dá)晶片表面。IC封裝藥水使用前需干燥新產(chǎn)品。蘇州IC鍍錫藥劑供應(yīng)企業(yè)

IC封裝藥水起著把金屬與腐蝕介質(zhì)完全隔開(kāi)的作用。南京IC除銹活化哪里有銷售

現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求：IC清潔劑在未來(lái)90~65nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)工藝中，除了要考慮清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物去除率等技術(shù)指標(biāo)外，也要考慮對(duì)環(huán)境的污染以及清洗的效率其經(jīng)濟(jì)效益等。硅片清洗技術(shù)評(píng)價(jià)的主要指標(biāo)可以歸納為：微粗糙度（RMS)；自然氧化物去除率；金屬沾污、表面顆粒度以及有機(jī)物沾污，其他指標(biāo)還包括：芯片的破損率；清洗中的再沾污；對(duì)環(huán)境的污染；經(jīng)濟(jì)的可接受：包括設(shè)備與運(yùn)行成本、清洗效率)等。金屬沾污在硅片上是以范德華引力、共價(jià)鍵以及電子轉(zhuǎn)移等三種表面形式存在的。這種沾污會(huì)破壞薄氧化層的完整性，增加漏電流密度，影響MOs器件的穩(wěn)定性，重金屬離子會(huì)增加暗電流，情況為結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。南京IC除銹活化哪里有銷售

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