隨著芯片尺寸加大，工藝線寬減小，從9Onm工藝開(kāi)始，以往IC清潔劑在清洗過(guò)程中使用的超聲波清洗遇到一些問(wèn)題，如造成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)損傷，在65nm及以下工藝，其損傷程度可能會(huì)加劇。芯片中的深溝槽結(jié)構(gòu)清洗時(shí)清洗液和漂洗去離子水很難進(jìn)入結(jié)構(gòu)內(nèi)部，難以達(dá)到清洗目的。高堆桑式和深溝槽式結(jié)構(gòu)清洗后的干燥過(guò)程也是很關(guān)鍵的技術(shù)問(wèn)題。一般小于130nm工藝中，要求必須去除所有大于或等于100nm的顆粒，而由于表面邊界層的限制，現(xiàn)行清洗技術(shù)，如液體或高壓〈液體〉噴射清洗已無(wú)法洗去0onm的顆粒。IC封裝藥水經(jīng)本劑處理的工件，可保持金屬本色，不影響加工精度。無(wú)錫IC封裝藥水供應(yīng)商

IC清潔劑在諸多的清洗工序中，只要其中某一工序達(dá)不到要求，則將前功盡棄，導(dǎo)致整批芯片的報(bào)廢，所以可以毫不夸張地說(shuō)，沒(méi)有有效的清洗技術(shù)，便沒(méi)有集成電路和超大規(guī)模集成電路的現(xiàn)在。傳統(tǒng)清洗技術(shù)主要使用酸、堿、雙氧水、甲苯、三氯乙烯、氟利昂等化學(xué)試劑，成本高，而且有毒，有腐蝕性，危害安全與健康并污染環(huán)境，特別是氟利昂等ODS物質(zhì)研究破壞地球臭氧層，危及人類生態(tài)環(huán)境，是國(guó)際上限期禁止生產(chǎn)和使用的物質(zhì)。多年來(lái)，國(guó)內(nèi)外科學(xué)家就致力于研究無(wú)毒，無(wú)腐蝕性的清洗工藝，但尚未取得突破。南京IC除膠清潔液經(jīng)銷商IC封裝藥水耐腐蝕性能提高5-20倍。

翻新工藝中可根據(jù)回收物情況不同設(shè)計(jì)多次清洗環(huán)節(jié)。在污染情況不是很嚴(yán)重的情況下，需在工藝設(shè)計(jì)清洗環(huán)節(jié)即可，去除自有污染物及翻新工藝污染物（如維修補(bǔ)焊、打磨、拋光工藝后的污染物殘留）。如回收來(lái)的線路板或芯片污染嚴(yán)重，需根據(jù)污染物組成設(shè)計(jì)第1次粗洗，去除大部分污染物，以利于其他翻新工藝的順利進(jìn)行，然后在工藝設(shè)計(jì)精洗環(huán)節(jié)。清洗方法主要有手工刷洗、超聲清洗、噴淋清洗、震蕩清洗等，需根據(jù)企業(yè)實(shí)際情況進(jìn)行選擇?？傮w來(lái)講，超聲清洗的運(yùn)行成本、清潔度、清洗效率等綜合來(lái)比較優(yōu)。

IC封裝藥液銀封閉劑具有很強(qiáng)的耐硫化和耐鹽霧性，通過(guò)各種腐蝕測(cè)試，具有很強(qiáng)的防銀變色效果?？沽蚧院湍秃蛐阅軆?yōu)越，5%硫化鉀測(cè)試可通過(guò)1-2小時(shí)，能通過(guò)硫化氫和鹽霧測(cè)試48小時(shí)以上。護(hù)膜接觸電阻很小，不影響鍍層的導(dǎo)電性、可焊性，保持鍍層外觀潔白光亮。經(jīng)金防變色劑處理后的銀鍍層抗變色能力持久，經(jīng)測(cè)試1-3年不變色、不生銹。本產(chǎn)品潤(rùn)滑性、耐磨性能優(yōu)良。緩蝕率高；可有效防止鋁材黑變、灰變、白毛、失光、失色的不良現(xiàn)象的產(chǎn)生；與硅酸鹽相比，本劑具有好于硅酸鹽五倍以上的防腐蝕效果，比硅酸鹽溶液穩(wěn)定，不會(huì)出現(xiàn)析出、凝膠、懸浮、沉淀、結(jié)垢的現(xiàn)象。IC封裝藥水經(jīng)金防變色劑處理后的銀鍍層抗變色能力持久，經(jīng)測(cè)試1-3年不變色、不生銹。

IC清潔劑對(duì)金屬不腐蝕，可蒸餾回收，反復(fù)使用，比較經(jīng)濟(jì)；毒性較低，對(duì)環(huán)境污染少；清洗與漂洗可用同一種介質(zhì)，使用方便。烴類清洗工藝的缺點(diǎn)，主要的是安全性問(wèn)題，要有嚴(yán)格的安全方法措施。醇類清洗工藝特點(diǎn)：醇類中乙醇和異丙醇是工業(yè)中常用得有機(jī)極性溶劑，甲醇毒性較大，一般做添加劑。醇類清洗工藝特點(diǎn)是：對(duì)離子類污染物有很好的溶解能力，清洗松香焊劑效果非常好，對(duì)油脂類溶解能力較弱；與金屬材料和塑料等相容性好，不產(chǎn)生腐蝕和容脹；干燥快，容易晾干或送風(fēng)干燥，可不必使用熱風(fēng)；脫水性好，常用做脫水劑。IC封裝藥水具有光澤度高，良好的罩光作用。無(wú)錫芯片制程藥劑型號(hào)

IC封裝藥水極低的添加量，綜合使用成本低。無(wú)錫IC封裝藥水供應(yīng)商

有機(jī)物的去除常常在清洗工序的第1步進(jìn)行，金屬污染物：IC電路制造過(guò)程中采用金屬互連材料將各個(gè)單獨(dú)的器件連接起來(lái)，首先采用光刻、蝕刻的方法在絕緣層上制作接觸窗口，再利用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)汽相沉積(CVD)形成金屬互連膜，如A-Si，Cu等，通過(guò)蝕刻產(chǎn)生互連線，然后對(duì)沉積介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)。這個(gè)過(guò)程對(duì)IC制程也是一個(gè)潛在的污染過(guò)程，在形成金屬互連的同時(shí)，也產(chǎn)生各種金屬污染。必須采取相應(yīng)的措施去除金屬污染物。原生氧化物及化學(xué)氧化物：硅原子非常容易在含氧氣及水的環(huán)境下氧化形成氧化層，稱為原生氧化層。無(wú)錫IC封裝藥水供應(yīng)商

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