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性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。化學反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿是指二氧化鉿嗎？廣西氧化鉿應(yīng)急處理性質(zhì)白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶...

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶...

性質(zhì)白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺...

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化...

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高、同...

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。存儲方法常溫密閉，陰涼通風干燥，合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的閃點是多少？北京氧化鉿MSDS氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射...

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若...

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點N/A分子式HfO2熔點2812oCMSDS閃點N/A。 氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復(fù)雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011、確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012、不確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量...

化學性質(zhì)氧化鉿的化學性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān)，煅燒溫度越高，化學活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng)，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對此研究較少。性質(zhì)氧化鉿為...

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶...

中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少...

氧化鉿MSDS1.1產(chǎn)品標識符:Hafnium(IV)oxide化學品俗名或商品名1.2鑒別的其他方法無數(shù)據(jù)資料1.3有關(guān)的確定了的物質(zhì)或混合物的用途和建議不適合的用途*供科研用途，不作為藥物、家庭備用藥或其它用途。模塊2.危險性概述2.1GHS分類根據(jù)全球協(xié)調(diào)系統(tǒng)(GHS)的規(guī)定，不是危險物質(zhì)或混合物。2.3其它危害物-無模塊3.成分/組成信息3.1物質(zhì):HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分濃度Hafniumdioxide-化學文摘編號(CASNo.)12055-23-1EC-編號235-013-2模塊4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,請將患者移到新鮮空氣處。...

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物，常溫常壓下為白色固體?；拘畔⒅形拿趸x英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠紅外波段材料，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧...

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜，...

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜，...

中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1EINECS登錄號235-013-2熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠紅外波段材料 性質(zhì)白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。...

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。存儲方法常溫密閉，陰涼通風干燥，合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的銷售價格是多少？福建西隴氧化鉿計算化學數(shù)據(jù)1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：...

中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1EINECS登錄號235-013-2熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠紅外波段材料 性質(zhì)白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。...

氧化鉿是一種化學物質(zhì)，分子式是HfO?。中文名氧化鉿，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文別名氧化鉿(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。氧化鉿的安全性描述？甘肅氧化鉿氣味氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系...

氧化鉿是一種化學物質(zhì)，分子式是HfO?。中文名氧化鉿，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文別名氧化鉿(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。氧化鉿的物理性質(zhì)有哪些？寧夏氧化鉿代理直發(fā)應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)...

外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物，通常狀況下為白色無臭無味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點:約2850℃沸點:約沸點5400℃2、性質(zhì)：氧化鉿是一種、無味的白色固體，不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸；化學性質(zhì)不活潑，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔點，所以用途***。3、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑；3）度玻璃涂層。氧化鉿的物理性質(zhì)有哪些？甘...

中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少...

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特...

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加...

氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿的英文名稱是什么？山西氧化鉿CAS#氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是...

氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。化學反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿的英文名稱是什么？貴州氧化鉿分子量氧化鉿化學性質(zhì)熔點:2810°C密度:9.68g/...

中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METAL...

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。化學反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化...

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶...

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特...