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真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層附著性能好：普通真空鍍膜時(shí)，在工件表面與鍍層之間幾乎沒(méi)有連接的過(guò)渡層，好似截然分開(kāi)。而離子鍍時(shí)，離子高速轟擊工件時(shí)，能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴(kuò)散層，離子鍍的界面擴(kuò)散深度可達(dá)四至五微米，對(duì)離子鍍后的試件作拉伸試驗(yàn)表明，一直...

鋁膜濕法刻蝕：對(duì)于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連，又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點(diǎn)。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這...

二氧化硅的干法刻蝕方法是：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進(jìn)行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F(xiàn)8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對(duì)多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產(chǎn)速率...

等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素是：化學(xué)刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成。晶圓被送入反應(yīng)室，并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來(lái)后，將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣體。對(duì)于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑...

刻蝕技術(shù)，是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過(guò)程大致如...

反應(yīng)離子刻蝕：這種刻蝕過(guò)程同時(shí)兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點(diǎn)幾到幾十帕的低真空下進(jìn)行。硅片處于陰極電位，放電時(shí)的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場(chǎng)加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動(dòng)量進(jìn)行物理刻蝕,同時(shí)它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)...

真空鍍膜技術(shù)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，特別是近幾年來(lái)，我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴(kuò)散法、電鍍法、涂布法、...

針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散，并加速反應(yīng)過(guò)程，有利于形成擴(kuò)散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結(jié)構(gòu)及形貌差，...

ICP刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過(guò)程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過(guò)程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)?，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaC...

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系...

真空鍍膜：真空蒸發(fā)鍍膜法：真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無(wú)論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍...

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類(lèi)，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用...

影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率...

微納加工與傳統(tǒng)的加工技術(shù)是兩種不同的加工方法，它們?cè)诩庸こ叽?、加工精度、加工速度、加工成本等方面存在著明顯的區(qū)別。下面將從這幾個(gè)方面詳細(xì)介紹微納加工與傳統(tǒng)加工技術(shù)的區(qū)別。加工速度：微納加工技術(shù)的加工速度相對(duì)較慢，因?yàn)槲⒓{加工通常需要使用光刻、電子束曝光等復(fù)雜的...

微納加工具有許多優(yōu)勢(shì)，以下是其中的一些：可定制性強(qiáng)：微納加工技術(shù)可以根據(jù)不同的需求和應(yīng)用定制制造器件和系統(tǒng)。通過(guò)微納加工技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料、結(jié)構(gòu)、尺寸、功能等方面的定制制造，滿足不同用戶的個(gè)性化需求?？啥ㄖ菩詮?qiáng)可以提高產(chǎn)品的適應(yīng)性和競(jìng)爭(zhēng)力，拓展產(chǎn)品的市場(chǎng)和應(yīng)...

微納加工技術(shù)還具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：1.高度集成化：微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高度集成化的加工，可以在同一塊材料上制造出多個(gè)微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)多功能集成。2.高度可控性：微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)加工過(guò)程的高度可控性，可以精確控制加工參數(shù)，如溫度、壓力、時(shí)間等，從而...

無(wú)論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開(kāi)發(fā)新一代的模塊化、知識(shí)密集的、可升級(jí)的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來(lái)的微納技術(shù)研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺(tái)的發(fā)展前景。未來(lái)幾年微納制造系統(tǒng)和平臺(tái)的發(fā)展前景包括以下幾種...

納米壓印技術(shù)已經(jīng)有了許多方面的進(jìn)展。起初的納米壓印技術(shù)是使用熱固性材料作為轉(zhuǎn)印介質(zhì)填充在模板與待加工材料之間，轉(zhuǎn)移時(shí)需要加高壓并加熱來(lái)使其固化。后來(lái)人們使用光刻膠代替熱固性材料，采用注入式代替壓印式加工，避免了高壓和加熱對(duì)加工器件的損壞，也有效防止了氣泡對(duì)加工...

微納加工的發(fā)展趨勢(shì)：自組裝加工：微納加工將向自組裝加工的方向發(fā)展，即通過(guò)自組裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)加工過(guò)程的自動(dòng)化和高通量化。這將需要開(kāi)發(fā)自組裝加工設(shè)備和工藝，以提高加工效率和降低加工成本。微納加工作為一種高精度、高效率的加工技術(shù)，已經(jīng)在微電子、光電子、生物醫(yī)學(xué)、納米材料...

隨著科技的不斷進(jìn)步和需求的不斷增長(zhǎng)，微納加工的未來(lái)發(fā)展有許多可能性。以下是一些可能性的討論：生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用：微納加工在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)微納加工，可以制造出微型傳感器、生物芯片和微型醫(yī)療器械等，用于監(jiān)測(cè)和調(diào)理疾病。例如，微納傳感器可以用于檢測(cè)血...

微納加工是一種先進(jìn)的制造技術(shù)，通過(guò)控制和操作微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)微小器件和系統(tǒng)的制造和加工。微納加工具有許多優(yōu)勢(shì)，以下是其中的一些：尺寸控制精度高：微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)微米和納米級(jí)尺寸的材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確控制和加工。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù)，微納加...

微納加工技術(shù)還具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：微納加工與傳統(tǒng)加工技術(shù)在加工尺寸、加工精度、加工速度、加工成本等方面存在著明顯的區(qū)別。微納加工技術(shù)具有高度集成化、高度可控性、高度可重復(fù)性和高度靈活性等特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)微米級(jí)別和納米級(jí)別的加工，從而在微納器件、微納傳感器、納米材料...

微納制造包括微制造和納制造兩個(gè)方面。(1)微制造有兩種不同的微制造工藝方式，一種是基礎(chǔ)于半導(dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)、LIGA技術(shù)、鍵合技術(shù)、封裝技術(shù)等，這些工藝技術(shù)方法較為成熟，但普遍存在加工材料單一、加工設(shè)備昂貴等問(wèn)題，且只能加工結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的二維或準(zhǔn)三維微機(jī)械零...

微納加工與傳統(tǒng)的加工技術(shù)是兩種不同的加工方法，它們?cè)诩庸こ叽?、加工精度、加工速度、加工成本等方面存在著明顯的區(qū)別。下面將從這幾個(gè)方面詳細(xì)介紹微納加工與傳統(tǒng)加工技術(shù)的區(qū)別。1.加工尺寸：微納加工是指在微米（μm）和納米（nm）級(jí)別下進(jìn)行加工的技術(shù)，而傳統(tǒng)加工技術(shù)...

“納米制造”路線圖強(qiáng)調(diào)了未來(lái)納米表面制造的發(fā)展。問(wèn)卷調(diào)查探尋了納米表面制備所面臨的機(jī)遇。調(diào)查中提出的問(wèn)題旨在獲取納米表面特征的相關(guān)信息：這種納米表面結(jié)構(gòu)可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域，也可以是具有相位調(diào)制或一定晶粒尺寸的涂層。這類(lèi)結(jié)構(gòu)構(gòu)建于眾多固體材料表面...

在微納加工過(guò)程中，薄膜的組成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子...

在光刻圖案化工藝中，需要優(yōu)先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線通過(guò)一個(gè)具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過(guò)程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻或離子注入工藝中，...

微納加工在改進(jìn)和簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程方面，還需要做許多工作才能降低好品質(zhì)納米表面的生產(chǎn)成本?？芍貜?fù)性、尺寸形狀的控制、均勻性以及結(jié)構(gòu)的魯棒性等，都是工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中必須要考慮的關(guān)鍵參數(shù)。微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高級(jí)制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科...

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級(jí)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)。微納加工按技術(shù)分類(lèi)，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工...