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企典數智:幫助中小企業(yè)數字化轉型的新篇章
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光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。分辨率是對光刻工藝加工可以達到的較細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在...
磁控濺射技術不只是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術,經過多年的不斷完善和發(fā)展,該技術也已經成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術之一,普遍應用于玻璃、汽車、醫(yī)療衛(wèi)生、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領域。例如,采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃,其膜層可以由多層金屬或...
對于國產光刻膠來說,今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日,發(fā)改委聯合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關于擴大戰(zhàn)略性新興產業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》,《意見》提出,加快新材料產業(yè)強弱項,具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實...
光刻(Photolithography)是一種圖形轉移的方法,在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念,其實它是有多步工序所組成的。1.清洗:清洗襯底表面的有機物。2.旋涂:將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準,在紫外光下曝光一定的...
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距,隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時,國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴...
日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么?究其原因,主要是技術和市場兩大壁壘過高導致的。首先,光刻膠作為半導體產業(yè)的基礎材料,扮演著極其重要的角色,甚至可以和光刻機相媲美,但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元,不及一家大型IC設...
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距,隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時,國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴...
真空鍍膜:電阻加熱蒸發(fā)法:電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬,做成適當形狀的蒸發(fā)源,其上裝入待蒸發(fā)材料,讓電流通過,對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā),或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設備構造簡單、造價便宜、使用可靠,可用...
磁控濺射技術是一門起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術。它的優(yōu)越性不只體現在鍍膜方面,更滲透到各個行業(yè)領域。時至如今,我國的濺射技術水平較之以前有了很大的突破。隨著時代進步和現代工業(yè)化生產需求,社會對磁控濺射工藝的要求也越來越高,這就需要廣大科研人員不斷深...
半導體器件通常利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構,已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極,晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型表示是各種晶體管(又稱晶體三極管)。晶體管又可以分為雙極...
熱處理是簡單地將晶圓加熱和冷卻來達到特定結果的工藝。在熱處理的過程中,晶圓上沒有增加或減去任何物質,另外會有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā)。在離子注入工藝后會有一步重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復,這稱為退火,溫度一般在1000℃左右。...
真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術,使鍍料原子部分電離成離子,同時產生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電,使鍍料(如金屬鈦)氣化蒸...
脈沖磁控濺射工作原理:在一個周期內存在正電壓和負電壓兩個階段,在負電壓段,電源工作于靶材的濺射,正電壓段,引入電子中和靶面累積的正電荷,并使表面清潔,裸露出金屬表面。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同!為400~500V,電源頻率在10~350KHz,在保...
磁控濺射靶材的原理:在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體,永久磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁...
磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶電源和不同靶材,例如TiW合金,通過單獨調整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調節(jié),即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內部電場的存在,還可在襯底...
磁控濺射技術是近年來新興的一種材料表面鍍膜技術,該技術實現了金屬、絕緣體等多種材料的表面鍍膜,具有高速、低溫、低損傷的特點.利用磁控濺射技術進行超細粉體的表面鍍膜處理,不但能有效提高超細粉體的分散性,大幅度提高鍍層與粉體之間的結合力,還能賦予超細粉體的新的特異...
特殊濺射沉積技術:以上面幾種做基礎,為達到某些特殊目的而產生的濺射技術。1、反應濺射:可分為兩類,第一種情況是靶為純金屬、合金或混合物,通入的氣體是反應氣體,或Ar加上一部分反應氣體;第二種情況是靶為化合物,在純氬氣氣氛中濺射產生分解,使膜內缺少一種或多種靶成...
磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導體材料,不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時,表面的離子電荷無法中和,這將導致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機會將變小,甚至不能...
磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56...
磁控濺射的優(yōu)點:(1)基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,磁控濺射加熱少。(2)有很高的沉積率??蔀R射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜。(3)環(huán)保工藝。磁控濺射鍍膜法生產效率高,沒有環(huán)境污染。(4)涂層很好的牢固性,濺射薄膜與基板,機械強度得到...
原子層沉積技術憑借其獨特的表面化學生長原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復雜三維高深寬比表面沉積,自截止生長等特點,特別適合薄層薄膜材料的制備。例如:S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽(ODPA)對Cu的選擇性吸附,在預先吸附有ODPA分子的襯底表面進...
真空鍍膜:反應磁控濺射法:制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產的要求來看,物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優(yōu)勢,因而被普遍應用,這是因為:反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、...
磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是只在靶面...
磁控濺射技術是近年來新興的一種材料表面鍍膜技術,該技術實現了金屬、絕緣體等多種材料的表面鍍膜,具有高速、低溫、低損傷的特點.利用磁控濺射技術進行超細粉體的表面鍍膜處理,不但能有效提高超細粉體的分散性,大幅度提高鍍層與粉體之間的結合力,還能賦予超細粉體的新的特異...
真空鍍膜:反應磁控濺射法:反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高,而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱,因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產。但是反應磁控濺射在20...
用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶(陰極),等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體(如陶瓷),則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強的電容,這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很...
單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流,單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設備,采用噴霧或聲波結合化學試劑對單晶圓進行清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制,即改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性,這提高了良率;其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設計對...
磁控濺射概述:濺射是一種基于等離子體的沉積過程,其中高能離子向目標加速。離子撞擊目標,原子從表面噴射。這些原子向基板移動并結合到正在生長的薄膜中。磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術,該等離子體產生并限制在包含要沉積的材料的空間內。靶材表面被等離子體中的高...
磁控濺射技術是一門起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術。它的優(yōu)越性不只體現在鍍膜方面,更滲透到各個行業(yè)領域。時至如今,我國的濺射技術水平較之以前有了很大的突破。隨著時代進步和現代工業(yè)化生產需求,社會對磁控濺射工藝的要求也越來越高,這就需要廣大科研人員不斷深...
影響磁控濺射鍍膜結果的因素:1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體...