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基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)，受光學(xué)衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達(dá)0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實(shí)現(xiàn)0.1μm。但利用這種光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)宏觀面...

磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長(zhǎng),成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取得了進(jìn)一步的發(fā)展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內(nèi)等離子體的分布,提高了膜層質(zhì)量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應(yīng)濺射時(shí)的遲滯現(xiàn)象,消除靶中毒和打弧問(wèn)題,提高制備化合物薄膜的穩(wěn)定...

蝕刻是芯片生產(chǎn)過(guò)程中重要操作，也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù)。蝕刻技術(shù)把對(duì)光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長(zhǎng)很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長(zhǎng)的光將透過(guò)這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來(lái)停止光照并移除遮罩，使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕...

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1、沉積速率大：由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高：磁控濺射靶一般選擇200V-10...

磁控濺射的工藝研究：1、磁場(chǎng)：用來(lái)捕獲二次電子的磁場(chǎng)必須在整個(gè)靶面上保持一致，而且磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)合適。磁場(chǎng)不均勻就會(huì)產(chǎn)生不均勻的膜層。磁場(chǎng)強(qiáng)度如果不適當(dāng)，那么即使磁場(chǎng)強(qiáng)度一致也會(huì)導(dǎo)致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射。這就會(huì)使膜層受到污染。如果磁場(chǎng)強(qiáng)度...

磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而...

磁控濺射的基本原理就是以磁場(chǎng)改變電子運(yùn)動(dòng)方向，束縛和延長(zhǎng)運(yùn)動(dòng)路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對(duì)靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時(shí)受正交電磁場(chǎng)的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時(shí)才能沉積在基片上...

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點(diǎn)是濺射速率快，造價(jià)低，后期維修保養(yǎng)廉價(jià)?？墒侵荒転R射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會(huì)聚集很多的電荷，導(dǎo)致濺射無(wú)法持續(xù)。因而關(guān)于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因?yàn)樵靸r(jià)廉價(jià)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)...

光刻過(guò)程：首先，通過(guò)金屬化過(guò)程，在硅襯底上布置一層只數(shù)納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過(guò)光掩膜照射在光刻膠上，可以對(duì)光刻膠進(jìn)行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯...

磁控濺射就是在外加電場(chǎng)的兩極之間引入一個(gè)磁場(chǎng)。這個(gè)磁場(chǎng)使得電子受到洛倫茲力的束縛作用，其運(yùn)動(dòng)路線受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率，提高了氣體分子的電離程度，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現(xiàn)象自發(fā)現(xiàn)以來(lái)己被普遍應(yīng)用在多種薄膜的制備中...

微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家高級(jí)制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯然，...

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機(jī)加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產(chǎn)效率也提高。在固體潤(rùn)滑膜方面,Z新研制的多相納米復(fù)合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對(duì)位置以及濺射的過(guò)程,可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進(jìn)的濺射鍍膜技術(shù)。比較常用的有:在Ar中混入反應(yīng)氣體如O2、N2、C...

真空鍍膜：技術(shù)原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說(shuō)的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說(shuō)的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理...

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面...

特殊濺射沉積技術(shù)：以上面幾種做基礎(chǔ)，為達(dá)到某些特殊目的而產(chǎn)生的濺射技術(shù)。1、反應(yīng)濺射：可分為兩類，第一種情況是靶為純金屬、合金或混合物，通入的氣體是反應(yīng)氣體，或Ar加上一部分反應(yīng)氣體；第二種情況是靶為化合物，在純氬氣氣氛中濺射產(chǎn)生分解，使膜內(nèi)缺少一種或多種靶成...

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法，設(shè)備比較簡(jiǎn)單、容易操作、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度...

真空磁控濺射技術(shù)的原理：濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是...

熱處理是簡(jiǎn)單地將晶圓加熱和冷卻來(lái)達(dá)到特定結(jié)果的工藝。在熱處理的過(guò)程中，晶圓上沒(méi)有增加或減去任何物質(zhì)，另外會(huì)有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā)。在離子注入工藝后會(huì)有一步重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會(huì)被熱處理修復(fù)，這稱為退火，溫度一般在1000℃左右。...

隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢(shì)。高速濺射能夠得到大約幾個(gè)μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時(shí)間，提高工業(yè)生產(chǎn)的效率；有可能替代對(duì)環(huán)境有污染的電鍍工藝。當(dāng)濺射率非常高，以至于在完全沒(méi)有惰性氣...

脈沖磁控濺射的分類：（1）單向脈沖：?jiǎn)蜗蛎}沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。由于零電壓段靶表面電荷中和效果不明顯。（2）、雙向脈沖：雙向脈沖在一個(gè)周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個(gè)階段，在負(fù)電壓段，電源工作于靶材的濺射，正電壓段，引入電子中和靶面累積的正電荷...

真空鍍膜機(jī)磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，有較高的濺射速率。中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射...

高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導(dǎo)致沉積過(guò)程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)薄膜上，引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺...

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過(guò)通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件...

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無(wú)論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或?yàn)R射...

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無(wú)法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變...

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）基板有低溫性。相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō)，磁控濺射加熱少。（2）有很高的沉積率?？蔀R射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜（3）環(huán)保工藝。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高，沒(méi)有環(huán)境污染。（4）涂層很好的牢固性，濺射薄膜與基板，機(jī)械強(qiáng)度得到了...

磁控濺射的工藝研究：1、功率：每一個(gè)陰極都具有自己的電源。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設(shè)計(jì)，功率可以在0~150KW之間變化。電源是一個(gè)恒流源。在功率控制模式下，功率固定同時(shí)監(jiān)控電壓，通過(guò)改變輸出電流來(lái)維持恒定的功率。在電流控制模式下，固定并監(jiān)控輸出電流，這時(shí)可以調(diào)節(jié)...

磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級(jí)粉體的量產(chǎn).由該技術(shù)得到的功能性復(fù)合粉體具有優(yōu)異的分散性,鍍層均勻度較高,鍍層與粉體的結(jié)合緊密度較高。磁控濺射鍍膜可以賦予超細(xì)粉體新的特性,例如在微米級(jí)二氧化硅表面鍍鋁,得到的復(fù)合粉體不但...