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磁控濺射概述：濺射是一種基于等離子體的沉積過(guò)程，其中高能離子向目標(biāo)加速。離子撞擊目標(biāo)，原子從表面噴射。這些原子向基板移動(dòng)并結(jié)合到正在生長(zhǎng)的薄膜中。磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù)，該等離子體產(chǎn)生并限制在包含要沉積的材料的空間內(nèi)。靶材表面被等離子體中的高...

磁控濺射靶材的分類：根據(jù)材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無(wú)機(jī)非金屬靶材等。其中無(wú)機(jī)非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據(jù)幾何形狀的不同，靶材可分為長(zhǎng)（正）方體形靶材、圓柱體靶材和不規(guī)則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實(shí)...

磁控濺射技術(shù)不只是科學(xué)研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術(shù)，經(jīng)過(guò)多年的不斷完善和發(fā)展，該技術(shù)也已經(jīng)成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術(shù)之一，普遍應(yīng)用于玻璃、汽車、醫(yī)療衛(wèi)生、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領(lǐng)域。例如，采用磁控濺射工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或...

半導(dǎo)體元器件的制備首先要有較基本的材料——硅晶圓，通過(guò)在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過(guò)程。由于芯片是高精度的產(chǎn)品，因此對(duì)制造環(huán)境有很高的要求，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵均需控制...

真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬...

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn)：1、基片溫度低?？衫藐?yáng)極導(dǎo)走放電時(shí)產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來(lái)完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場(chǎng)不...

微納加工技術(shù)是先進(jìn)制造的重要組成部分，是衡量國(guó)家制造業(yè)水平的標(biāo)志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點(diǎn)，在推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)科技進(jìn)步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很...

當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、...

表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域中生長(zhǎng)分離層。這些都需要制膜工藝來(lái)完成。制膜的方法有很多，如蒸鍍、濺射等物理的氣相淀積法（PVD）、化學(xué)氣相淀積法（CVD）以及外延和氧化等。其中CVD是微電子...

刻蝕技術(shù)是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)?？涛g技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過(guò)程大致如下...

反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合...

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn)，是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過(guò)程。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高...

光刻是集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子...

磁控濺射鍍膜注意事項(xiàng)：1、輻射:有些鍍膜要用到射頻電源,如功率大,需做好屏蔽處理.另外,歐洲標(biāo)準(zhǔn)在單室鍍膜機(jī)門(mén)框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射;2、金屬污染:鍍膜材料有些(如鉻、銦、鋁)是對(duì)人體有害的,特別要注意真空室清理過(guò)程中出現(xiàn)的粉塵污染;3、噪音污染:如特別是一...

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點(diǎn)：1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時(shí),可以看見(jiàn)濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴(yán)重的...

反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合...

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）基板有低溫性。相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō)，磁控濺射加熱少。（2）有很高的沉積率?？蔀R射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜。（3）環(huán)保工藝。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高，沒(méi)有環(huán)境污染。（4）涂層很好的牢固性，濺射薄膜與基板，機(jī)械強(qiáng)度得到...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制作流程是：1.將硅單晶切成大圓片，并加以研磨、拋光。2.拋光后的片子經(jīng)仔細(xì)清洗后，熱生長(zhǎng)一層二氧化硅層。（一次氧化）3.用光刻技術(shù)可除漏、源擴(kuò)散窗口上的二氧化硅。（一次光刻）4.進(jìn)行選擇性的雜質(zhì)擴(kuò)散。5.去處所有二氧化硅，重新生長(zhǎng)一層質(zhì)量良好...

隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢(shì)。高速濺射能夠得到大約幾個(gè)μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時(shí)間，提高工業(yè)生產(chǎn)的效率；有可能替代對(duì)環(huán)境有污染的電鍍工藝。當(dāng)濺射率非常高，以至于在完全沒(méi)有惰性氣...

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn)：復(fù)合靶?？芍谱鲝?fù)合靶鍍合金膜，目前，采用復(fù)合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、（Tb-Dy）-Fe以及Gb-Co合金膜。復(fù)合靶的結(jié)構(gòu)有四種，分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶，其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)...

與采用其他半導(dǎo)體技術(shù)工藝的晶體管相比，氮化鎵晶體管的一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是其工作電壓和電流是其他晶體管的數(shù)倍。但是，這些優(yōu)勢(shì)也帶來(lái)了特殊的可靠性挑戰(zhàn)。其中挑戰(zhàn)之一就是因?yàn)闁艠O和電子溝道之間通常使用的氮化鋁鎵。氮化鋁和氮化鎵的晶格常數(shù)不同。當(dāng)?shù)X在氮化鎵上生長(zhǎng)時(shí)，其晶...

微機(jī)電系統(tǒng)也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)單獨(dú)的智能系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)（半導(dǎo)體制造技術(shù)）基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅...

晶圓的制作工藝流程：硅提純：將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合，剩下硅)，得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級(jí)硅，這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的...

光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不只包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層。光刻的優(yōu)點(diǎn)是它可以精確地控制形成圖形的形狀、大小，此外它...

真空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場(chǎng)形成電子陷阱，使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設(shè)置一個(gè)與靶面電場(chǎng)正交的磁場(chǎng)，濺射時(shí)產(chǎn)生的快電子在正交的電磁場(chǎng)中作近似擺線運(yùn)動(dòng)，增加了電子行程，提高了氣體的離化率，同時(shí)高能量粒子與氣體碰撞后失去能量，基體溫度...

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn)，是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過(guò)程。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高...

微流控技術(shù)是以微管道為網(wǎng)絡(luò)連接微泵、微閥、微儲(chǔ)液器、微電極、微檢測(cè)元件等具有光、電和流體輸送功能的元器件，較大限度地把采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等分析功能集成在芯片上的微全分析系統(tǒng)。目前，微流控芯片的大小約幾個(gè)平方厘米，微管道寬度和深度(高度)為微米...

MEMS加工技術(shù)：傳統(tǒng)機(jī)械加工方法指利用大機(jī)器制造小機(jī)器,再利用小機(jī)器制造微機(jī)器?？梢杂糜诩庸ひ恍┰谔厥鈭?chǎng)合應(yīng)用的微機(jī)械裝置,例如微型機(jī)械手、微型工作臺(tái)等。特種微細(xì)加工技術(shù)是通過(guò)加工能量的直接作用，實(shí)現(xiàn)小至逐個(gè)分子或原子的切削加工。特種加工是利用電能、熱能、光...

PVD技術(shù)特征：過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧配有高效的電磁過(guò)濾系統(tǒng)，可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀大顆粒過(guò)濾掉，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。離子束：離子束加工是在真空條件下，先由電子槍產(chǎn)生電子束，再引入已抽成真空且充滿惰...

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面...