光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要;自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài),中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝,對(duì)制造出更先進(jìn),晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?,F(xiàn)在,一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻其實(shí)就是一個(gè)圖形化轉(zhuǎn)印的過(guò)程。山東光刻實(shí)驗(yàn)室光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與...
一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程,以避免污染,提高質(zhì)量。因此,光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力,企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此,光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。甘肅激光器光刻光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大;一般情況下,為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,下游客戶與光刻膠...
一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程,以避免污染,提高質(zhì)量。因此,光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力,企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此,光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。非接觸式曝光,掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi),可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。廣州光刻代工光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,...
光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問(wèn)題,損失將會(huì)是巨大的。去年2月,某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,報(bào)廢十萬(wàn)片晶圓,直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個(gè)重要原因是,經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,2013年之后,相關(guān)專(zhuān)利的申請(qǐng)已經(jīng)開(kāi)始銳減。市場(chǎng)較小,技術(shù)壁壘又高,這意味著對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō),發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,即便研發(fā)成功一款光刻膠,也要面臨較長(zhǎng)的認(rèn)證周期,需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。如今,全世界能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的國(guó)家只有四個(gè),中國(guó)成為了其中的一員。湖北半導(dǎo)體光刻光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- ...
常用的光刻膠主要是兩種,正性光刻膠(positive photoresist)被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除,負(fù)性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝,而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝(lift-off)。光刻是微納加工當(dāng)中不可或缺的工藝,主要是起到圖形化轉(zhuǎn)移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無(wú)掩膜光刻。無(wú)掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫(xiě)光,有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對(duì)于有掩膜光刻,首先需要設(shè)計(jì)光刻版,常用的設(shè)計(jì)軟件有CAD、L-edit等軟件。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。天津M...
光刻膠是光刻工藝的中心材料:光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑,它是指由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等輻射的作用下,其感光樹(shù)脂的溶解度及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化,經(jīng)適當(dāng)溶劑處理,溶去可溶部分可獲得所需圖像。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹(shù)脂、單體及其他助劑等。光刻膠作為光刻曝光的中心材料,其分辨率是光刻膠實(shí)現(xiàn)器件的關(guān)鍵尺寸(如器件線寬)的衡量值,光刻膠分辨率越高形成的圖形關(guān)鍵尺寸越小。對(duì)比度是指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度,對(duì)比度越高,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,圖形完成度更好。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括...