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場(chǎng)效應(yīng)管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見用途是用作放大器。高壓場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng) C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型...

場(chǎng)效應(yīng)管的類型：DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)充當(dāng)傳感器、放大器和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)。它可以用作圖像(光子)傳感器。FREDFET (快速反向或快速恢復(fù)外延二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種用于提供非?？焖俚闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是使用通過在有源區(qū)分級(jí)摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)的高電子遷移率晶體管。TFET ( 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是以帶對(duì)帶隧道基的晶體管IGBT(IGBT高頻爐)是一種功率控制裝置。它與類雙極的主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)，并常用于200-3000伏的漏源...

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。 場(chǎng)效應(yīng)管它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）。金華固電場(chǎng)效應(yīng)管制造商 場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下...

場(chǎng)效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.場(chǎng)效應(yīng)管布局走線合理，整機(jī)穩(wěn)定性高，信噪比佳，音樂細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) 。嘉興金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管作用 場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)電極:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反...

場(chǎng)效應(yīng)管介紹：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管都有第四個(gè)電極。廣州N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管類似的類型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個(gè)絕緣柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開。廣州MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。 場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)換速率較高，高頻特性好。杭州N溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管多少錢 ...

場(chǎng)效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

貼片場(chǎng)效應(yīng)管:1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。5：一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大。場(chǎng)效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬用表檢查，必須用測(cè)試儀，而且要在接入測(cè)試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí)，則應(yīng)先短路再取下，關(guān)鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。 場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型...

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限...

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆...

C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。 場(chǎng)效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。廣州加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管分...

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流?！?、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓?！?、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí)，電子可以沿任意方向流過溝...

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管輸出為輸入的2次冪函數(shù)。溫州V型槽場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管類似的類型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個(gè)絕緣柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種...

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，...

場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用為普遍的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！“礈系腊雽?dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管都有第四個(gè)電極。上海N溝...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性.如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮.增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn):當(dāng)Vgs=0時(shí)Id(漏極電流)=0。東莞加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)...

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見用途是用作放大器。上海氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G...

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。深圳J型場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較...

場(chǎng)效應(yīng)管介紹：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。蘇州全自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管原理場(chǎng)效應(yīng)管...

場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性.如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮.場(chǎng)效應(yīng)管布局走線合理，整機(jī)穩(wěn)定性高，信噪比佳，音樂細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) 。珠海...

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時(shí)，漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω。源極(S)，載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管判...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。中...

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí)，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時(shí)，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時(shí)，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時(shí)，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時(shí)，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請(qǐng)注意，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。源極(S)，載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道。通常，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。中...